耐輻射 QMLV、1.5V 至 7V 輸入、3A 低噪聲可調低壓降 (LDO) 穩壓器
| Output options | Adjustable Output |
| Iout (Max) (A) | 3 |
| Vin (Max) (V) | 7 |
| Vin (Min) (V) | 1.5 |
| Vout (Max) (V) | 6.65 |
| Vout (Min) (V) | 0.8 |
| Fixed output options (V) | 0 |
| Noise (uVrms) | 20 |
| Iq (Typ) (mA) | 7 |
| Thermal resistance θJA (°C/W) | 75.4 |
| Rating | Space |
| Load capacitance (Min) (μF) | 22 |
| Regulated outputs (#) | 1 |
| Features | Adjustable current limit, Current sense, Enable, Power good, Soft start |
| Accuracy (%) | 2 |
| PSRR @ 100 KHz (dB) | 25 |
| Dropout voltage (Vdo) (Typ) (mV) | 210 |
| Operating temperature range (C) | -55 to 125, 25 to 25 |
| Radiation, SEL (MeV.cm2/mg) | 85 |
| Radiation, TID (Typ) (krad) | 100 |
- 5962R13202：
- 耐輻射保障 (RHA)：高達 100krad (Si) TID
- 電離輻射總劑量：100krad (Si)
- 無低劑量率輻射損傷增強 (ELDRS)：100krad (Si)
- 劑量率：10 mrad (Si)/s
- 單粒子鎖定 (SEL) 對于
LET 的抗擾度 = 85MeV-cm2/mg - SEB 和 SEGR 對于
LET 的抗擾度 = 85MeV-cm2/mg - SET/SEFI 起始閾值大于 40MeV-cm2/mg，詳情請參閱輻射報告(SNAA257)
- 專為降低干擾而設計，以避免損壞重要的下行組件
- 有關 SET/SEFI 橫截面圖的詳細信息，請參閱輻射報告 (SNAA257)
- 超低輸入電壓范圍：1.5V 至 7V
- 3A 最大輸出電流
- 共流/并行運行以提供高達 6A 的輸出電流
- 與陶瓷輸出電容一起工作時保持穩定
- 線路、負載和溫度范圍內的精度為 ±2%
- 通過外部電容器進行可編程的軟啟動
- 所有輸入電壓具有輸入使能，且具有電源正常輸出，可進行電源定序
- 超低壓降 LDO 電壓：
1A (25°C)、VOUT = 1.8V 時為 62mV - 低噪聲：
VIN = 2V、VOUT = 1.8 V、電流為 3A 時為20.33μVRMS - 電源抑制比 (PSRR)：1kHz 頻率下超過 45dB
- 出色的負載/線路瞬態響應
- 折返電流限制
- 請參閱“工具和軟件”選項卡
- 耐熱增強型 CFP 封裝 (0.6°C/W RθJC)
TPS7H1101A-SP 是 TPS7H1101-SP 的改進版，允許在整個輸入電壓范圍內使用使能特性。它是一款使用 PMOS 導通元件配置的耐輻射 LDO 線性穩壓器。它可在 1.5V 至 7V 的寬輸入電壓范圍內運行，同時提供出色的 PSRR。TPS7H1101A-SP 通過 極寬的調節范圍實現了精確的可編程折返電流限值功能。為了滿足 FPGA、DSP 或微控制器的復雜電源要求，TPS7H1101A-SP 提供了啟用開/關功能、可編程軟啟動、共流能力和一個電源正常開漏輸出。
