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優(yōu)起辰電子

主要從事半導(dǎo)體、電子元器件、集成電路產(chǎn)品、電子產(chǎn)品、通訊設(shè)備、機(jī)電設(shè)備、計(jì)算機(jī)軟硬件的技術(shù)開(kāi)發(fā)與銷售;國(guó)內(nèi)貿(mào)易;經(jīng)營(yíng)進(jìn)出口業(yè)務(wù)。

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管STW9NK90Z

型號(hào): STW9NK90Z
品牌: ST(意法)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 型號(hào) STW9NK90Z
  • 品牌 ST意法半導(dǎo)體
  • 封裝 TO-247
  • 類型 N溝道
  • 漏源電壓(Vdss) 900V
  • 連續(xù)漏極電流(Id) 8A
  • 功率(Pd) 160W
  • 導(dǎo)通電阻(RDS) 1.3Ω
  • 閾值電壓(Vgs) 4.5V

--- 產(chǎn)品詳情 ---

制造商:   STMicroelectronics      

產(chǎn)品種類:      MOSFET 

RoHS:      Yes 

技術(shù):      Si    

安裝風(fēng)格:      Through Hole 

封裝 / 箱體: TO-247-3      

晶體管極性:   N-Channel    

通道數(shù)量:      1 Channel      

Vds-漏源極擊穿電壓:  900 V     

Id-連續(xù)漏極電流:  8 A  

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.3 Ohms      

Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V       

Vgs th-柵源極閾值電壓:     3 V  

Qg-柵極電荷:       72 nC     

最小工作溫度:      - 55 C     

最大工作溫度:      + 150 C  

Pd-功率耗散: 160 W    

通道模式:      Enhancement 

商標(biāo)名:   SuperMESH   

系列:      STW9NK90Z  

封裝:      Tube      

商標(biāo):      STMicroelectronics      

配置:      Single     

下降時(shí)間:      28 ns      

高度:      20.15 mm      

長(zhǎng)度:      15.75 mm      

產(chǎn)品類型:      MOSFET 

上升時(shí)間:      13 ns      

包裝數(shù)量:600     

子類別:   MOSFETs       

晶體管類型:   1 N-Channel 

類型:      MOSFET 

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:      55 ns      

典型接通延遲時(shí)間:      22 ns      

寬度:      5.15 mm 

單位重量:      6 g

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