900 V、10 mΩ、194 A、第 3 代裸片 SiC MOSFET
Wolfspeed 通過引入最先進的 SiC MOSFET 技術（業界首個 900 V MOSFET 平臺）擴大了其在碳化硅 (SiC) 技術領域的領先地位。全新 900 V 平臺針對高頻電力電子應用（包括可再生能源逆變器、電動汽車充電系統和三相工業電源）進行了優化，可實現更小、更輕、效率更高的下一代電力轉換系統，且成本與硅相當基于的解決方案。
特征
- 整個工作溫度范圍內 Vbr 最低為 900V
- 高阻斷電壓和低 RDS(on)
- 具有低反向恢復電荷 (Qrr) 的快速本征二極管
- 具有低輸出電容的高速開關
好處
- 高電壓；高溫；耐高濕性，可實現真正的戶外太陽能轉換和非車載充電應用
- 提高系統效率并顯著降低開關損耗
- 減小系統尺寸；重量; 和冷卻要求
- 提高功率密度
- 易于并聯并與標準柵極驅動設計兼容
應用領域
- 太陽能逆變器
- 電機驅動
- 高壓DC/DC轉換器
- 開關模式電源
- 固態斷路器
- 車外充電器
CPM3-0650-0015A
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