30-W；8.0GHz；GaN HEMT 芯片
Wolfspeed 的 CG2H80030D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度；和更高的導(dǎo)熱率。與 Si 和 GaAs 晶體管相比，GaN HEMT 具有更高的功率密度和更寬的帶寬。
特征
- 30 W 典型 PSAT
- 28V 運(yùn)行
- 高擊穿電壓
- 高溫操作
- 運(yùn)行頻率高達(dá) 8 GHz
- 高效率
應(yīng)用領(lǐng)域
- 2路私人廣播
- 寬帶放大器
- 蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施
- 測試儀器
- A級；AB; 適用于 OFDM 的線性放大器；W-CDMA；邊緣; CDMA波形
