高功率 RF LDMOS FET 350 W；50V；1200 – 1400 兆赫
PTVA123501EC 和 PTVA123501FC LDMOS FET 設計用于 1200 MHz 至 1400 MHz 頻段的功率放大器應用。特點包括高增益和耐熱增強型封裝，帶有開槽和無耳法蘭。采用Wolfspeed先進的LDMOS工藝制造；這些器件提供出色的熱性能和卓越的可靠性。
特征
- 寬帶內部輸入輸出匹配
- 高增益、高效率
- 集成 ESD 保護
- 低熱阻
- 出色的堅固性
- 無鉛且符合 RoHS 標準
應用領域
- 1200 至 1400 MHz 頻段的功率放大器；雷達
CMPA5585030F-AMP
CMPA5585030F
CMPA5585030D
CGHV96050F1-AMP
CGHV96050F1
CMPA1H1J050F-AMP
CMPA1H1J050F
CGHV50200F-AMP
CGHV50200F
PTVA030121EA-V1
PTVA120252MT-V1
PTVA120251EA-V2
PTVA120501EA-V1
PTVA123501FC-V1
PTVA123501EC-V2
