Qorvo QPM5811 0.5W GaAs MMIC前端模塊
Qorvo QPM5811 0.5W GaAs（砷化鎵）MMIC前端模塊 (FEM) 優化用于頻率范圍為8.5GHz至10.5GHz的X波段雷達應用。QPM5811在單一封裝中集成了發射/接收開關、低噪聲放大器和功率放大器。其接收路徑提供26dB增益，低噪聲系數為2.0dB。其發射路徑提供30dB小信號增益。該器件可提供0.5W飽和功率，45%功率附加效率 (PAE) 以及23.5dB大信號增益。
Qorvo QPM5811前端模塊采用6.0mm x 6.0mm表面貼裝QFN封裝，包覆成型封裝，具有高導熱性芯片連接工藝。該封裝讓器件在高溫環境中能夠保持出色的性能。

QPM5811 0.5W GaAs MMIC前端模塊特性
頻率范圍：8.5GHz至10.5GHz
飽和輸出功率 (PSAT)：49.5dBm
功率附加效率 (PAE)：45%
大信號增益：23.5dB
小信號增益：26dB
噪聲系數：2dB
6.0mm x 6.0mm QFN封裝
無鉛、無鹵、符合RoHS指令
QPM5811 0.5W GaAs MMIC前端模塊應用
通信
雷達