內(nèi)存研究的趨勢(shì)是開發(fā)一種新的存儲(chǔ)器，稱為非易失性 RAM，它結(jié)合了 RAM 的快速讀取與大容量存儲(chǔ)器的海量?jī)?nèi)存的特點(diǎn)。有很多新儲(chǔ)存單元方案，例如，F(xiàn)eRAM（鐵電儲(chǔ)存器），ReRAM（電阻儲(chǔ)存器），MRAM（磁阻儲(chǔ)存器），STT-MRAM （自旋轉(zhuǎn)矩磁阻儲(chǔ)存器），PCM（相變存儲(chǔ)器）。這些類型的儲(chǔ)存器是以使用不同的物理原理改變材料傳導(dǎo)性為基礎(chǔ)。例如，在電介質(zhì)材料層中一根細(xì)線的形成或破壞，材料結(jié)構(gòu)由非晶轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Щ蚺c磁場(chǎng)一直。在本應(yīng)用案例中，我們介紹如何使用脈沖發(fā)生器測(cè)試 STT-MRAM 儲(chǔ)存單元。MRAM 儲(chǔ)存單元使用磁性隧道結(jié)（MTJ）儲(chǔ)存數(shù)據(jù)，MTJ 由薄氧化層隔離開的兩塊電磁鐵構(gòu)成，如果兩塊電磁鐵的磁場(chǎng)指向同一方向，電子可以通過絕緣層從一個(gè)電磁鐵傳導(dǎo)到另一個(gè)電磁鐵。第一塊電磁鐵具有固定的磁場(chǎng)，第二塊電磁鐵的方向可以通過電流脈沖改變，所以轉(zhuǎn)換磁場(chǎng)方向就可以改變疊片的傳導(dǎo)性。為了寫入或者擦除一比特?cái)?shù)據(jù)，需要在疊片中通過一個(gè)電流脈沖；磁場(chǎng)的假設(shè)方向取決于電流脈沖方向。寫入或者擦除的效率取決于脈沖的持續(xù)時(shí)間和幅度，所以在此項(xiàng)技術(shù)的研究和探索階段，測(cè)試不同脈寬和幅度的組合是非常有用的，一個(gè)簡(jiǎn)單的實(shí)現(xiàn)方法是使用一臺(tái)脈沖發(fā)生器，市面上一般的脈沖發(fā)生器都支持脈寬、幅度、重復(fù)頻率可