SGA8343Z高性能SiGe HBT低噪聲放大器詳細(xì)數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載
資料介紹
RFMD的SGA8343Z是一種高性能硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(SiGe HBT),用于從DC到6GHz的操作。SGA8343Z是優(yōu)化的3V操作,但可以偏置在2V的低電壓電池操作系統(tǒng)。該裝置以低成本提供高增益、低NF和優(yōu)異的線性度。它可以在不需要高線性度的應(yīng)用中以非常低的偏置電流工作。無(wú)鉛封裝上的啞光鍍錫利用后退火工藝來(lái)減輕錫晶須的形成,并且符合歐盟指令2002/95的RoHS標(biāo)準(zhǔn)。這個(gè)包裝也是用不含三氧化二銻和鹵化阻燃劑的綠色模塑化合物制造的。
應(yīng)用程序
模擬和數(shù)字無(wú)線系統(tǒng)
3G、蜂窩、PCS、RFID
固定無(wú)線尋呼機(jī)系統(tǒng)
低功耗應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)級(jí)
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