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TPH4R50ANH1 MOSFET 擁有多個關鍵特性，使其在高效 DC-DC 轉換器、開關電壓調節器和電機驅動器中備受青睞：
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高速切換：
- TPH4R50ANH1 的一大亮點就是其高速切換能力。這對于減少切換過程中的能量損耗至關重要，從而提高整個系統的效率。其典型門電荷 (QSW) 為 22 nC，輸出電荷 (Qoss) 為 79 nC，確保最小的切換損耗，進而有助于更好的熱管理，并減少冷卻需求。
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低導通電阻 (RDS(ON))：
- TPH4R50ANH1 的導通電阻在 VGS = 10V 時僅為 3.7 m?（典型值）。在需要最大限度降低導通損耗的應用中，這種低 RDS(ON) 是關鍵。在電源應用中，每一毫歐的阻抗都可能轉化為顯著的功率節約，使這款 MOSFET 成為節能設計的理想選擇。
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低漏電流：
- TPH4R50ANH1 的漏電流 (IDSS) 最大值僅為 10 μA（在 VDS = 100 V 時），確保在待機或低功耗狀態下的最小能量浪費。此特性對電池供電設備或對功耗要求極高的系統尤為重要。
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增強的熱管理：
- MOSFET 的熱性能往往是高功率應用中的限制因素。TPH4R50ANH1 的最大結殼熱阻 (Rth(ch-c)) 為 0.71°C/W，即使在嚴苛的條件下也能有效散熱。再加上在 Tc = 25°C 時高達 170 W 的功耗評級，使得這款 MOSFET 能在高功率環境中可靠運行。
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