1.三極管在ＢＥ之間加上正向電壓時，由于外加電場破壞了ＰＮ結的動態平衡（ＰＮ結的動 態平衡是指：多數載流子的擴散運動和少數載流子的漂移運動達到平衡，這句話很繞，其實 是這樣的：也就是說在ＰＮ結的接觸面上空穴和自由電子的數目是一樣的，從而達到電中性）。 這里我解釋一下，為什么在ＰＮ結內會形成內電場？原因是這樣的：因為在Ｐ型半導體和Ｎ 型半導體內多數載流的數目是不一樣的，從而形成濃度差，自然的進行擴散運動，由于擴散 運動，在 P 型半導體和 N 型半導體的接觸面上就會存在電勢差，從而就有了電場。而這個 電場力會阻礙 P 型半導體空穴向 N 型半導體移動，而當外加電場時，在 B 和 E 之間加正向 電壓時，會削弱內電場，破壞了 PN 結的動態平衡，從而擴散運動源源不斷的進行，進而產 生正向電流。

2.當 BE 之間加正向電壓時，N 型半導體，也就是 E 極的多數載流子（也就是自由電子）會 進行擴散運動，到達基區，與基區的多數載流子空穴復合（當然復合的電子及其的少）。由 于 E 極的自由電子的擴散運動從而產生 E 極電流，基區的自由電子和空穴復合，這種復合運 動產生 B 極電流，（當然在這里，B 區的空穴也會向 E 極進行擴散運動，產生電路，但及其 微弱，我們研究時都是忽略的）。

3.當Ｃ和Ｅ之間加上反偏電壓時，到達基區的自由電子在外加電場力的作用力進行擴散運動， 從而產生Ｃ極電流。Ｃ極電流是擴散運動產生的。

4.我們常說的放大倍數 β 其實是交流放大倍數，還有一個直流放大倍數，它們近似是相等 的。

5.這里我想重點說一下，PN 結的結電容，PN 結的結電容是勢壘電容和分布電容的總和，有 電容的存在，那么三級管在對高頻信號放大時就需要去考慮它的分布電容對放大能力的影響。 這一點，讓我想到了 MOS 開關電路，為什么 MOS 管在做高頻開關時，需要接三級管圖騰柱 式的輸出，就是因為在 MOS 管的 G 和 S 之間存在很大的電容，開關頻率過高，電容還未來 得及放電，下一個脈沖信號又來了，MOS 管起不到作用，因為Ｇ和 S 之間的電容在下一個 脈沖信號來之前它沒有放電完后，就一直處于導通狀態，MOS 管發熱及其嚴重，所以一旦 接了三極管的圖騰柱式輸出，可以在極短的時間里把電放掉，從而快速的通斷。