大學(xué)的時(shí)候看到電路中涉及到MOS管的使用，指定頭大。前幾天偶然看見一篇文檔《MOS管原理，非常詳細(xì)》，對(duì)MOS管的使用總結(jié)的很透徹，所以整理到這里。以下以增強(qiáng)型MOS管為例解釋說(shuō)明。 1. 三個(gè)極怎么判定 G極(gate)—柵極，不用說(shuō)比較好認(rèn) S極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是 D極(drain)—漏極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的那邊 2. N溝道還是P溝道 箭頭指向G極的是N溝道 箭頭背向G極的是P溝道 3. 寄生二極管方向如何判定 不論N溝道還是P溝道MOS管，中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的： 要么都由S指向D，要么都有D指向S 4. MOS開關(guān)實(shí)現(xiàn)的功能 1>信號(hào)切換 2>電壓通斷 5. MOS管用作開關(guān)時(shí)在電路中的連接方法 關(guān)鍵點(diǎn): 1>確定那一極連接輸入端，那一極連接輸出端 2>控制極電平為？V 時(shí)MOS管導(dǎo)通 3>控制極電平為？V 時(shí)MOS管截止 NMOS：D極接輸入，S極接輸出 PMOS：S極接輸入，D極接輸出 反證法加強(qiáng)理解 NMOS假如：S接輸入，D接輸出 由于寄生二極管直接導(dǎo)通，因此S極電壓可以無(wú)條件到D極，MOS管就失去了開關(guān)的作用 PMOS假如：D接輸入，S接輸出 同樣失去了開關(guān)的作用 6. MOS管的開關(guān)條件 N溝道—導(dǎo)通時(shí) Ug> Us,Ugs> Ugs(th)時(shí)導(dǎo)通 P溝道—導(dǎo)通時(shí) Ug< Us,Ugs< Ugs(th)時(shí)導(dǎo)通 總之，導(dǎo)通條件：|Ugs|>|Ugs(th)| 7. 相關(guān)概念 BJT Bipolar Junction Transistor 雙極性晶體管，BJT是電流控制器件； FET Field Effect Transistor 場(chǎng)效應(yīng)晶體管，F(xiàn)ET是電壓控制器件. 按結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管分為：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱JFET）、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱MOSFET）兩大類 按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種. 按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。 總的來(lái)說(shuō)場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。 8. MOS管重要參數(shù) ①封裝 ②類型（NMOS、PMOS） ③耐壓Vds（器件在斷開狀態(tài)下漏極和源極所能承受的最大的電壓） ④飽和電流Id ⑤導(dǎo)通阻抗Rds ⑥柵極閾值電壓Vgs(th) 9. 從MOS管實(shí)物識(shí)別管腳 無(wú)論是NMOS還是PMOS 按上圖方向擺正，中間的一腳為D，左邊為G，右邊為S。 或者這么記：?jiǎn)为?dú)的一腳為D，逆時(shí)針轉(zhuǎn)DGS。 這里順便提一下三極管的管腳識(shí)別：同樣按照上圖方向擺正，中間一腳為C，左邊為B，右邊為E。