電流檢測電阻的位置連同開關(guān)穩(wěn)壓器架構(gòu)決定了要檢測的電流。檢測的電流包括峰值電感電流、谷值電感電流（連續(xù)導(dǎo)通模式下電感電流的最小值）和平均輸出電流。檢測電阻的位置會影響功率損耗、噪聲計(jì)算以及檢測電阻監(jiān)控電路看到的共模電壓。

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放置在降壓調(diào)節(jié)器高端

對于降壓調(diào)節(jié)器，電流檢測電阻有多個(gè)位置可以放置。當(dāng)放置在頂部MOSFET的高端時(shí)（如圖1所示），它會在頂部MOSFET導(dǎo)通時(shí)檢測峰值電感電流，從而可用于峰值電流模式控制電源。但是，當(dāng)頂部MOSFET關(guān)斷且底部MOSFET導(dǎo)通時(shí)，它不測量電感電流。

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圖1．帶高端RSENSE的降壓轉(zhuǎn)換器

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在這種配置中，電流檢測可能有很高的噪聲，原因是頂部MOSFET的導(dǎo)通邊沿具有很強(qiáng)的開關(guān)電壓振蕩。為使這種影響最小，需要一個(gè)較長的電流比較器消隱時(shí)間（比較器忽略輸入的時(shí)間）。這會限制最小開關(guān)導(dǎo)通時(shí)間，并且可能限制最小占空比（占空比 ＝ VOUT／VIN）和最大轉(zhuǎn)換器降壓比。注意在高端配置中，電流信號可能位于非常大的共模電壓（VIN）之上。

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放置在降壓調(diào)節(jié)器低端

圖2中，檢測電阻位于底部MOSFET下方。在這種配置中，它檢測谷值模式電流。為了進(jìn)一步降低功率損耗并節(jié)省元件成本，底部FET RDS（ON）可用來檢測電流，而不必使用外部電流檢測電阻RSENSE