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第三代功率半導(dǎo)體碳化硅 SiC（silicon carbide）具有高耐壓等級(jí)、開關(guān)速度快以及耐高溫的特點(diǎn)，能顯著提高電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率、功率密度和可靠性。 首先，設(shè)計(jì)了兩電平三相逆變器主電路和帶有保護(hù)功能的隔離型驅(qū)動(dòng)電路，使用 LTSpice 仿真分析了門極電阻對(duì)驅(qū)動(dòng)性能的影響；其次，建立了逆變器的功率損耗與熱阻模型，使用 Icepak 對(duì)散熱器進(jìn)行了散熱分析；再次，討論了 PCB 板寄生參數(shù)對(duì)主電路和驅(qū)動(dòng)電路的影響，并提出了減少寄生參數(shù)的措施；最后，采用 CREE 公司的 1 200 V/40 mΩ SiC MOSFET 制作了 1 臺(tái) 7.5 kW 的實(shí)驗(yàn)樣機(jī)，并給出了測(cè)試結(jié)果。
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