資料介紹
描述
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HMMC-2007是GaAs單片微波設計用于低插入的集成電路損耗和從DC到8GHz的高隔離。它是有意的用作通用單刀雙擲(SPDT)吸收開關。兩個系列和兩個每擲并聯MESFET提供最大1.4 dB插入損耗和38dB的典型隔離。HMMC-2007芯片使用襯底通孔提供到芯片背面的接地連接最大限度地減少所需的引線接合的數量。
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特點
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?輸出終止于50? 關閉時
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?頻率范圍:DC–8 GHz
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?插入損耗:<1.2 dB@8 GHz
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?隔離:
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>70分貝@45兆赫
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>35分貝@8千兆赫
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?回波損耗:
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25 dB(輸入和輸出)
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18 dB未選擇輸出
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?切換速度:<20μs(10%–90%射頻)
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?P-1dB:27 dBm
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?諧波(直流耦合):<-80 dBc@10 dBm


芯片尺寸:660 x 960μm(25.9 x 37.8密耳)
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芯片尺寸公差:±10μm(±0.4 mils)
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芯片厚度:127±15μm(5.0±0.6密耳)
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襯墊尺寸:120 x 120μm(4.7 x 4.7密耳)
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