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功率MOSFET的應用PDF電子書免費下載

2046121 2020-10-27 | pdf | 6.68 MB | 次下載 | 2積分

資料介紹

本書是由電子工業部電子材料與固體器件教材編審委員會半導體物理與器件編審小組評選審定、推薦出版的全國第四輪統編教材。全書共7章,第1章闡明功率MOS器件的基本特性及其工作原理,第2章闡述功率MOS應用方面的基礎知識;其后6章分別介紹功率MOS在音頻功放、高頻電路、電源、開關電路、微機及其它方面的應用。全書著重基本概念的聞述,避免繁雜的數學推導,各章還提供了較豐富的實用電路。本書除用于高校教材或教學參考書外,對從事功率MOS應用開發的科技工作者,均有一定的參考價值。

　　半導體器件一直是沿著提高器件工作頻率和提高器件功率處理能力這兩個方向發展的。每一種器件在頻率和功率兼顧時都存在著某種限制。為了突破這種限制，人們不斷探索新的器件工作原理、新的器件結構，以不斷解決在提高器件頻率和功率過程中的矛盾。如晶閘管雖然其功率控制容量可以達到MW以上，但其工作頻率較低，一般限制在10kHz以內。為了突破這一限制，后來發展了大功率雙極型晶體管（GTR）。現在，達林頓大功率雙極型晶體管的功率控制容量雖比晶閘管低一個數量級（0.MW），但其工作頻率卻提高了兩個數量級（MHz），因此總的來看是前進了功率雙極型晶體管工作頻率要進一步提高，則受到其基區和集電區中少子存儲效應的限制。為了突破這一限制，人們在探素、開發多子功率器件—功率MOS器件。目前功率MOS器件的功率控制容量比功率雙極型晶體管約低一個數量級（約0.01MW），但其工作頻率卻提高了兩個數量級（約100MHz）。因此，從器件的頻率和功率兼顧來看，功率MOS器件的出現，使半導體器件的發展又前進了一步。