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??????? 設計了一種采用0.6μmCMOS工藝的低功耗差動帶隙基準電壓源電路。在設計中采用
兩個pn結串聯結構來減小運放失調電壓的影響，并采用自偏置共源共柵運放來改善MOS器件對電源的依賴性。這種帶隙基準源輸出電壓為2V，功耗為2.3mW,溫度系數可達到13ppm/℃，主要適用于高精度模擬系統，并帶有提高電源抑制比電路和啟動電路。
關鍵詞: CMOS 低功耗 基準電壓源
???????? 隨著集成電路工藝和設計水平的發展，在模/數轉換器(ADC)、數/模轉換器(DAC)等混合信號集成電路設計中,高性能的電壓基準源設計已成為關鍵技術之一。由于電壓基準源的溫度穩定性以及抗噪聲能力是影響A/D、D/A 轉換精度的關鍵因素, 甚至影響到整個系統的精度和性能。因此, 設計一個好的基準電壓源具有十分重要的現實意義。電壓基準源有基于正向ＶＢＥ的電壓基準、基于齊納二極管反向擊穿特性的電壓基準、帶隙電壓基準等多種。其中,帶隙電壓基準具有低溫度系數、低基準電壓、高電源抑制比、長期穩定性并且可與標準CMOS工藝兼容等優點,因而得到廣泛的研究應用。
兩個pn結串聯結構來減小運放失調電壓的影響，并采用自偏置共源共柵運放來改善MOS器件對電源的依賴性。這種帶隙基準源輸出電壓為2V，功耗為2.3mW,溫度系數可達到13ppm/℃，主要適用于高精度模擬系統，并帶有提高電源抑制比電路和啟動電路。
關鍵詞: CMOS 低功耗 基準電壓源
???????? 隨著集成電路工藝和設計水平的發展，在模/數轉換器(ADC)、數/模轉換器(DAC)等混合信號集成電路設計中,高性能的電壓基準源設計已成為關鍵技術之一。由于電壓基準源的溫度穩定性以及抗噪聲能力是影響A/D、D/A 轉換精度的關鍵因素, 甚至影響到整個系統的精度和性能。因此, 設計一個好的基準電壓源具有十分重要的現實意義。電壓基準源有基于正向ＶＢＥ的電壓基準、基于齊納二極管反向擊穿特性的電壓基準、帶隙電壓基準等多種。其中,帶隙電壓基準具有低溫度系數、低基準電壓、高電源抑制比、長期穩定性并且可與標準CMOS工藝兼容等優點,因而得到廣泛的研究應用。
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