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摘要: 針對傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)超結(jié) IGBT 器件在大電流應(yīng)用時(shí)的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)較弱，削弱了 IGBT 器 件低飽和導(dǎo)通壓降優(yōu)點(diǎn)的問題，設(shè)計(jì)了 p 柱浮空的超結(jié) IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT) 。采用深槽刻 蝕和回填工藝制備了 p 柱和 p 體區(qū)分離的超結(jié) IGBT 器件。測試結(jié)果表明，該器件擊穿電壓高于 660 V，在導(dǎo)通電流 20 A 時(shí)，其飽和導(dǎo)通壓降為 1. 7 V，相比于傳統(tǒng)超結(jié) IGBT 器件更低，關(guān)斷 能量為 0. 23 mJ，遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)超結(jié) IGBT 器件的 3. 3 mJ，較低的導(dǎo)通壓降和關(guān)斷能量使得 FP-SJIGBT 器件的電流密度可達(dá) 449 A/cm2 。此外，在 400 V 直流母線電壓下，F(xiàn)P-SJ-IGBT 器件具有 不低于 10 μs 的短路時(shí)間。
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