瑞薩電子發(fā)布全新DDR5 MRDIMM內(nèi)存接口芯片組

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）的完整內(nèi)存接口芯片組解決方案。

2024-11-22 標(biāo)簽：芯片內(nèi)存瑞薩電子 803 0

DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 DDR5和DDR4的主要區(qū)別

DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 1. DDR5內(nèi)存簡(jiǎn)介 DDR5（Double Data Rate 5）是第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRA...

2024-11-22 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器內(nèi)存DDR4 4403 0

AI將如何改變PC市場(chǎng)格局

AI幾乎已經(jīng)無(wú)處不在。每一天，我們都能看到或聽(tīng)到AI的新進(jìn)展，或者使用由AI驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。

2024-11-18 標(biāo)簽：PC內(nèi)存硬件 884 0

新思科技助力優(yōu)化MRAM與RRAM的開(kāi)發(fā)流程

嵌入式閃存及其對(duì)應(yīng)的離片NOR閃存，在非易失性?xún)?nèi)存領(lǐng)域（即用于持久性或長(zhǎng)期數(shù)據(jù)存儲(chǔ)）多年來(lái)占據(jù)著標(biāo)準(zhǔn)地位。然而，隨著工藝技術(shù)尺寸縮小至28nm以下，這些...

2024-11-18 標(biāo)簽：嵌入式存儲(chǔ)器內(nèi)存 835 0

佰維存儲(chǔ)發(fā)布LPDDR5X高效能內(nèi)存

近日，佰維存儲(chǔ)正式推出了新一代高效能內(nèi)存——LPDDR5X。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的1bnm制程工藝，為旗艦智能手機(jī)等終端設(shè)備帶來(lái)了卓越的性能與節(jié)能優(yōu)勢(shì)。 LP...

2024-11-15 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器接收器內(nèi)存 794 0

華邦電子推出第四代低功耗內(nèi)存LPDDR4/4X

全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子正式發(fā)布 LPDDR4/4X 內(nèi)存產(chǎn)品。該產(chǎn)品系列專(zhuān)為最新一代汽車(chē)應(yīng)用設(shè)計(jì)，在能效、性能和減少碳排放方面都獲得顯著提升。

2024-11-14 標(biāo)簽：封裝內(nèi)存華邦電子 957 0

三星電子計(jì)劃新建封裝工廠，擴(kuò)產(chǎn)HBM內(nèi)存

三星電子計(jì)劃在韓國(guó)天安市新建一座半導(dǎo)體封裝工廠，以擴(kuò)大HBM內(nèi)存等產(chǎn)品的后端產(chǎn)能。該工廠將依托現(xiàn)有封裝設(shè)施，進(jìn)一步提升三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域的生產(chǎn)能力。

2024-11-14 標(biāo)簽：三星電子封裝內(nèi)存 827 0

Rambus推出業(yè)界首款HBM4控制器IP

Rambus Inc.，業(yè)界知名的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商，近日宣布了一項(xiàng)重大突破：推出業(yè)界首款HBM4（High Bandwidth Memory 4，...

2024-11-14 標(biāo)簽：IP內(nèi)存Rambus 908 0

華邦電子推出LPDDR4/4X內(nèi)存產(chǎn)品

全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者華邦電子，近日正式推出了其專(zhuān)為最新一代汽車(chē)應(yīng)用設(shè)計(jì)的LPDDR4/4X內(nèi)存產(chǎn)品。該產(chǎn)品系列在能效、性能和減少碳排放方面均實(shí)...

2024-11-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝內(nèi)存 930 0

佰維存儲(chǔ)發(fā)布新一代LPDDR5X內(nèi)存

近日，存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的佼佼者佰維存儲(chǔ)，正式推出了其最新的高效能內(nèi)存產(chǎn)品——LPDDR5X。這款內(nèi)存產(chǎn)品采用了先進(jìn)的1bnm制程工藝，不僅在技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了新的...

2024-11-13 標(biāo)簽：存儲(chǔ)技術(shù)內(nèi)存佰維存儲(chǔ) 844 0

三星擴(kuò)建半導(dǎo)體封裝工廠，專(zhuān)注HBM內(nèi)存生產(chǎn)

近日，三星電子計(jì)劃在韓國(guó)忠清南道天安市的現(xiàn)有封裝設(shè)施基礎(chǔ)上，再建一座半導(dǎo)體封裝工廠，專(zhuān)注于HBM(High Bandwidth Memory，高帶寬存儲(chǔ)...

2024-11-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝內(nèi)存 1084 0

美光:人工智能影響PC內(nèi)存的供需平衡

美光是內(nèi)存業(yè)務(wù)的主要參與者之一，包括分別用于SSD和RAM的NAND和DRAM。 “我們?nèi)揞^，海力士、我們、三星，都在花費(fèi)大量的精力和財(cái)力打造H...

2024-11-12 標(biāo)簽：內(nèi)存美光人工智能 690 0

鎧俠斥資16.75億元研發(fā)下一代內(nèi)存，目標(biāo)2030年前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化

近日，日本NAND Flash大廠鎧俠宣布了一項(xiàng)重大投資計(jì)劃。據(jù)日媒報(bào)道，該公司將在未來(lái)三年內(nèi)投資360億日元（約合人民幣16.75億元），用于研發(fā)面向...

2024-11-11 標(biāo)簽：NAND內(nèi)存鎧俠 651 0

DMA是什么？詳細(xì)介紹

DMA（Direct Memory Access）是一種允許某些硬件子系統(tǒng)直接訪問(wèn)系統(tǒng)內(nèi)存的技術(shù)，而無(wú)需中央處理單元（CPU）的介入。這種技術(shù)可以顯著提...

2024-11-11 標(biāo)簽：cpu內(nèi)存硬件 1.8萬(wàn) 0

常見(jiàn)RAM內(nèi)存故障及解決辦法

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）是計(jì)算機(jī)中不可或缺的組件之一，它負(fù)責(zé)存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)運(yùn)行時(shí)的數(shù)據(jù)和程序。然而，由于各種原因，RAM可能會(huì)出現(xiàn)故障，導(dǎo)致計(jì)算機(jī)性能下降甚...

2024-11-11 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)RAM計(jì)算機(jī) 4056 0

如何優(yōu)化RAM內(nèi)存使用

優(yōu)化RAM內(nèi)存使用是一個(gè)重要的任務(wù)，特別是對(duì)于那些擁有有限內(nèi)存資源的用戶(hù)。以下是一些優(yōu)化RAM內(nèi)存使用的策略，這些策略可以幫助您更有效地使用內(nèi)存資源： ...

2024-11-11 標(biāo)簽：RAM內(nèi)存程序 1335 0

海量數(shù)據(jù)處理需要多少RAM內(nèi)存

海量數(shù)據(jù)處理所需的RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）內(nèi)存量取決于多個(gè)因素，包括數(shù)據(jù)的具體規(guī)模、處理任務(wù)的復(fù)雜性、數(shù)據(jù)庫(kù)管理系統(tǒng)的效率以及所使用軟件的優(yōu)化程度等。以...

2024-11-11 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器RAM內(nèi)存 1171 0

RAM內(nèi)存不足的表現(xiàn)及解決方法

RAM內(nèi)存不足的表現(xiàn)及解決方法 一、RAM內(nèi)存不足的表現(xiàn) 系統(tǒng)運(yùn)行緩慢 當(dāng)RAM內(nèi)存不足時(shí)，計(jì)算機(jī)的響應(yīng)速度會(huì)明顯下降，打開(kāi)程序或文件需要更長(zhǎng)的時(shí)間。 ...

2024-11-11 標(biāo)簽：RAM計(jì)算機(jī)內(nèi)存 4283 0

如何檢測(cè)電腦的RAM內(nèi)存

在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）是至關(guān)重要的組件之一。它負(fù)責(zé)存儲(chǔ)當(dāng)前正在使用的程序和數(shù)據(jù)，以便CPU可以快速訪問(wèn)。隨著技術(shù)的發(fā)展，RAM的速...

2024-11-11 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器RAM內(nèi)存 2339 0