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標(biāo)簽 > 擊穿電壓
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二極管擊穿電壓是指二極管在反向偏置下,電流突然增大,導(dǎo)致二極管損壞的電壓值。 最大值(Peak Value):最大值是指在一個周期內(nèi),電壓或電流的最大瞬...
2024-08-08 標(biāo)簽:二極管電流半導(dǎo)體材料 2207 0
局部放電是指電氣設(shè)備的內(nèi)部局部地區(qū)發(fā)生的放電現(xiàn)象,其注意在變壓器的工作中產(chǎn)生,尤其是高壓的變壓器中。
PN結(jié)發(fā)生齊納擊穿是一種特殊的物理現(xiàn)象,它在特定的條件下發(fā)生,允許電流在低于雪崩擊穿電壓的情況下流過PN結(jié)。
基于碰撞電離率模型的Miller公式S參數(shù)擬合分析
我們應(yīng)用簡單的Fulop模型對平行平面結(jié)進(jìn)行了分析,對復(fù)雜的Chynoweth模型進(jìn)行了化簡,由化簡的公式可得碰撞電離率積分和外加電壓之間存在一定的關(guān)系。
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異(2)
下面對電場積分,我們看看隨著增長,即耗盡區(qū)深度的增長,柱面結(jié)與平面結(jié)所承受電壓分布的差異。
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型(3)
這里需要注意的是,載流子電流為零并不意味著載流子濃度為零,反之亦然。對于PIN1結(jié)構(gòu),因為陽極和陰極的多子濃度遠(yuǎn)大于少子濃度,所以可以忽略少子電流;
產(chǎn)品發(fā)射區(qū)結(jié)構(gòu)設(shè)計為梳狀結(jié)構(gòu)。晶體管版圖中發(fā)射區(qū)半寬度選擇為30μm。
2023-07-05 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻晶體管擊穿電壓 1059 0
TVS二極管是一種用于保護(hù)敏感電子設(shè)備免受瞬態(tài)電壓沖擊(如雷擊、靜電放電等)損壞的器件。在現(xiàn)代電子設(shè)備中,TVS二極管的正確選用是確保電路可靠性和穩(wěn)定性...
一、GDT參數(shù)選擇步驟關(guān)于GDT的選型上海雷卯EMC小哥引用“AC220V線路進(jìn)行2kV線間和4kV線對地的過電壓防護(hù)”案例來闡述GDT的選型。1.續(xù)流...
MDD穩(wěn)壓二極管的極限參數(shù)詳解:功耗、電流與擊穿電壓如何權(quán)衡?
在電子系統(tǒng)設(shè)計中,MDD穩(wěn)壓二極管(ZenerDiode)作為經(jīng)典的電壓鉗位和穩(wěn)壓元件,廣泛應(yīng)用于電源電路、電壓參考、過壓保護(hù)等場景。為了確保其在電路中...
2025-05-14 標(biāo)簽:穩(wěn)壓二極管擊穿電壓MDD 281 0
有源鉗位吸收器電路設(shè)計與數(shù)字實現(xiàn)方式
隨著MOSFET擊穿電壓額定值的增大,導(dǎo)通電阻也會增大。在這樣場景中如何消除同步整流器上的電壓尖峰和振鈴,另外有源-鉗位方案優(yōu)勢有哪些?
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