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標(biāo)簽 > 擊穿電壓

擊穿電壓

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擊穿電壓技術(shù)

二極管擊穿電壓是最大值還是有效值

二極管擊穿電壓是指二極管在反向偏置下,電流突然增大,導(dǎo)致二極管損壞的電壓值。 最大值(Peak Value):最大值是指在一個周期內(nèi),電壓或電流的最大瞬...

2024-08-08 標(biāo)簽:二極管電流半導(dǎo)體材料 2207 0

變壓器局部放電的產(chǎn)生原理和后果

局部放電是指電氣設(shè)備的內(nèi)部局部地區(qū)發(fā)生的放電現(xiàn)象,其注意在變壓器的工作中產(chǎn)生,尤其是高壓的變壓器中。

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PN結(jié)發(fā)生齊納擊穿的原因是什么?

PN結(jié)發(fā)生齊納擊穿是一種特殊的物理現(xiàn)象,它在特定的條件下發(fā)生,允許電流在低于雪崩擊穿電壓的情況下流過PN結(jié)。

2024-05-29 標(biāo)簽:PN結(jié)擊穿電壓載流子 2020 0

基于碰撞電離率模型的Miller公式S參數(shù)擬合分析

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2023-11-27 標(biāo)簽:二極管PN結(jié)擊穿電壓 1714 0

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近年IGBT這個專業(yè)名詞非常的熱。電子、半導(dǎo)體、汽車、能源、電力、控制系統(tǒng)等行業(yè),好像都涉及到了這個名詞。

2024-04-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體導(dǎo)通電阻IGBT 1559 0

IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異(2)

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下面對電場積分,我們看看隨著增長,即耗盡區(qū)深度的增長,柱面結(jié)與平面結(jié)所承受電壓分布的差異。

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這里需要注意的是,載流子電流為零并不意味著載流子濃度為零,反之亦然。對于PIN1結(jié)構(gòu),因為陽極和陰極的多子濃度遠(yuǎn)大于少子濃度,所以可以忽略少子電流;

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高頻小功率晶體管設(shè)計

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產(chǎn)品發(fā)射區(qū)結(jié)構(gòu)設(shè)計為梳狀結(jié)構(gòu)。晶體管版圖中發(fā)射區(qū)半寬度選擇為30μm。

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TVS二極管可以并聯(lián)使用嗎

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TVS二極管的主要作用是保護(hù)電子設(shè)備免受瞬時過電壓或浪涌電壓的損害。這些瞬時過電壓通常由電氣干擾、雷擊、電氣開關(guān)操作等因素引起。TVS二極管通過其優(yōu)異的...

2024-12-05 標(biāo)簽:二極管TVS擊穿電壓 1054 0

TVS二極管該如何正確的選用

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TVS二極管是一種用于保護(hù)敏感電子設(shè)備免受瞬態(tài)電壓沖擊(如雷擊、靜電放電等)損壞的器件。在現(xiàn)代電子設(shè)備中,TVS二極管的正確選用是確保電路可靠性和穩(wěn)定性...

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2024-03-18 標(biāo)簽:ESDTVSUSB端口 722 0

功率二極管噪聲特性

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根據(jù)實際電參數(shù)指標(biāo)要求,在25℃室溫情況下,當(dāng)測試電流IR=5μA時,器件反向重復(fù)峰值電壓(VRRM)需高于1200V。

2023-07-12 標(biāo)簽:功率二極管電阻器單晶硅電池 514 0

MDD穩(wěn)壓二極管的極限參數(shù)詳解:功耗、電流與擊穿電壓如何權(quán)衡?

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在電子系統(tǒng)設(shè)計中,MDD穩(wěn)壓二極管(ZenerDiode)作為經(jīng)典的電壓鉗位和穩(wěn)壓元件,廣泛應(yīng)用于電源電路、電壓參考、過壓保護(hù)等場景。為了確保其在電路中...

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有源鉗位吸收器電路設(shè)計與數(shù)字實現(xiàn)方式

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