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功率半導(dǎo)體

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功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。

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功率半導(dǎo)體技術(shù)

簡(jiǎn)述碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)

碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料...

2023-02-03 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體硅材料碳化硅 3108 0

簡(jiǎn)單說(shuō)一下功率半導(dǎo)體的特色

『集成電路IC』，指采用半導(dǎo)體制備工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊晶片上，然后封裝好，成為具有一定功能...

2023-02-03 標(biāo)簽：集成電路 IGBT 功率半導(dǎo)體 787 0

到底什么是功率半導(dǎo)體？

功率半導(dǎo)體的功能主要是對(duì)電能進(jìn)行轉(zhuǎn)換，對(duì)電路進(jìn)行控制，改變電子裝置中的電壓和頻率，直流或交流等，均具有處理高電壓，大電流的能力。

2023-02-03 標(biāo)簽：大電流 IGBT 功率半導(dǎo)體 3997 0

何謂功率半導(dǎo)體？

功率半導(dǎo)體是能夠支持高電壓、大電流的半導(dǎo)體。具有不同于一般半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)，在使用高電壓、大電流時(shí)也不會(huì)損壞。另外，由于使用大功率容易發(fā)熱產(chǎn)生高溫，因而成為...

2023-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體大電流功率半導(dǎo)體 2035 0

功率半導(dǎo)體用于什么領(lǐng)域

功率半導(dǎo)體用于電力電子領(lǐng)域。使用固態(tài)設(shè)備，電力電子控制和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的電力。這些包括汽車、手機(jī)、電源、太陽(yáng)能逆變器、火車和風(fēng)力渦輪機(jī)。常常有人將功...

2023-02-02 標(biāo)簽：逆變器功率半導(dǎo)體功率IC 3337 0

了解什么是功率半導(dǎo)體芯片嗎

想讓大家了解什么是功率半導(dǎo)體，那么在此之前有必要先說(shuō)說(shuō)人類社會(huì)技術(shù)革命至關(guān)重要的幾次飛躍

2023-02-02 標(biāo)簽：芯片交流電功率半導(dǎo)體 3650 0

IGBT功率半導(dǎo)體的主要引用領(lǐng)域有哪些

功率半導(dǎo)體器件也被稱作電力電子器件或功率器件，它是具有包括變頻、變壓、變流、功率管理等功率管理能力的一種特殊開關(guān)。在計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)電子、新能源、汽車...

2023-02-02 標(biāo)簽：變頻器計(jì)算機(jī)IGBT 989 0

硅片半導(dǎo)體制造工藝詳細(xì)圖文版科普

硅錠生長(zhǎng)是一個(gè)將多晶硅制成單晶硅的工序，將多晶硅加熱成液體后，精密控制熱環(huán)境，成長(zhǎng)為高品質(zhì)的單晶。

2023-02-01 標(biāo)簽：硅片功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體制造 9376 0

智能化與電動(dòng)化雙輪驅(qū)動(dòng)，汽車MOSFET大有可為

MOSFET最早出現(xiàn)在大概上世紀(jì)60年代，首先出現(xiàn)在模擬電路的應(yīng)用。功率MOSFET在上世紀(jì)80年代開始興起，在如今電力電子功率器件中，無(wú)疑成為了最重要...

2022-11-30 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率半導(dǎo)體 1052 0

碳化硅器件制造那些事兒

離子注入是一種向半導(dǎo)體材料內(nèi)加入一定數(shù)量和種類的雜質(zhì)，以改變其電學(xué)性能的方法，可以精確控制摻入的雜質(zhì)數(shù)量和分布情況。

2022-11-30 標(biāo)簽：制造功率半導(dǎo)體碳化硅 2749 0

深度解析七大汽車芯片產(chǎn)業(yè)等細(xì)分領(lǐng)域機(jī)遇與挑戰(zhàn)

在車載鏡頭領(lǐng)域，舜宇光學(xué)（02382.HK）龍頭地位穩(wěn)固，其車載鏡頭出貨量已連續(xù)9年穩(wěn)居世界第一，2020年市占率32%，與第二名份額拉開較大差距。

2022-11-02 標(biāo)簽：mcu MOSFET IGBT 2340 0

Trench MOSFET結(jié)構(gòu)模型分析

本文基于仿真和實(shí)驗(yàn)方法，開展了 100VN 溝槽 MOSFET 的設(shè)計(jì)研究工作。通過(guò)溝槽深度，體區(qū)注入劑量和柵氧化層厚度拉偏，獲得了對(duì)擊穿電壓，閾值電壓...

2022-10-08 標(biāo)簽：MOSFET 功率半導(dǎo)體 1.1萬(wàn) 0

汽車功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化的號(hào)角吹響國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體未來(lái)可期

在新能源汽車的供應(yīng)鏈上電池、電機(jī)、電控、功率半導(dǎo)體、視頻傳感器、激光雷達(dá)、控制器、執(zhí)行器件等硬件正在成為新的重要組成部分。

2022-09-05 標(biāo)簽：新能源汽車功率器件功率半導(dǎo)體 988 0

驗(yàn)證功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的CV測(cè)量挑戰(zhàn)

對(duì)于寬帶隙功率半導(dǎo)體器件越來(lái)越重要，高壓電容-電壓 (CV) 測(cè)量可用于預(yù)測(cè)關(guān)鍵動(dòng)態(tài)特性

2022-08-29 標(biāo)簽：CV 功率半導(dǎo)體電容容量 3609 0

IGBT技術(shù)及應(yīng)用介紹

功率半導(dǎo)體是半導(dǎo)體行業(yè)的細(xì)分領(lǐng)域，雖不像集成電路一樣被大眾熟知，但其重要性不可忽視。IGBT是功率半導(dǎo)體的一種，作為電子電力裝置和系統(tǒng)中的“CPU”，高...

2022-08-08 標(biāo)簽：cpu 功率半導(dǎo)體 2431 0

深度解析IGBT功率半導(dǎo)體框架

IGBT行業(yè)需求增長(zhǎng)： IGBT廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車、通信及消費(fèi)電子領(lǐng)域，主要電壓應(yīng)用范圍在600V到1200V之間。由于經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展，我國(guó)能源需求大...

2022-08-08 標(biāo)簽：IGBT 功率半導(dǎo)體 1211 0

不常見(jiàn)的半導(dǎo)體功率器件有哪些

1940年貝爾實(shí)驗(yàn)室在研究雷達(dá)探測(cè)整流器時(shí)，發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng)，1958年美國(guó)通用電氣（GE）公司研發(fā)出世界上第一個(gè)工業(yè)用普通晶閘管，標(biāo)志著電力電子技...

2022-07-14 標(biāo)簽：二極管晶閘管功率器件 1494 0

功率MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)

我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號(hào)流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過(guò)...

2022-07-08 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 功率半導(dǎo)體 1.4萬(wàn) 0

什么是功率半導(dǎo)體？IGBT 的下一步是什么？

BC-IGBT 由結(jié)構(gòu)頂部和底部的柵極組成。東京大學(xué)的研究員 Takuya Saraya 在論文中說(shuō)：“IGBT 的一個(gè)主要缺點(diǎn)是其開關(guān)頻率相對(duì)較低，因...

2022-06-15 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率半導(dǎo)體 3.2萬(wàn) 0

SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓測(cè)試結(jié)果離譜的六大原因

開關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開關(guān)器件最重要的特性之一，由器件在開關(guān)過(guò)程中的驅(qū)動(dòng)電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評(píng)估時(shí)可以采用雙脈沖測(cè)試，而在電路設(shè)計(jì)時(shí)直...

2022-06-02 標(biāo)簽：變換器功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電壓 3591 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
LT8705

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