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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴散
樣品活動進(jìn)行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計...
2024-12-16 標(biāo)簽:功率器件測量功率半導(dǎo)體 1127 0
功率半導(dǎo)體模塊的可靠性評估:功率循環(huán)測試研究
功率半導(dǎo)體概述功率半導(dǎo)體是一種特殊的半導(dǎo)體器件,它們在電力系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。這些器件能夠高效地控制和調(diào)節(jié)電力的流動,包括電壓和頻率的轉(zhuǎn)換,以及...
2024-12-06 標(biāo)簽:測試功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 1133 0
功率半導(dǎo)體器件本質(zhì)是利用半導(dǎo)體的單向?qū)щ娦愿淖冸娐分械碾妷骸㈦娏鳌㈩l率、導(dǎo)通狀態(tài)等物理特性,實現(xiàn)電源開關(guān)和電力轉(zhuǎn)換等管理。功率半導(dǎo)體種類較多,根據(jù)可控性...
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(五)——功率半導(dǎo)體熱容
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低...
2024-11-19 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體熱設(shè)計 708 0
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(四)——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測試方法
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...
2024-11-12 標(biāo)簽:芯片功率器件功率半導(dǎo)體 1509 0
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(三)——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...
2024-11-05 標(biāo)簽:散熱器功率器件功率半導(dǎo)體 1792 0
被動元件:電阻器、電感器和電容器如何在電路中發(fā)揮作用?
在電路中使用三種類型的被動元件:電阻器、電感器和電容器。被動元件意味著這些元件在電壓或電流波動時,其行為變化較小。其他元件被稱為有源元件,對電壓和電流的...
本文對IGBT領(lǐng)域的深入研究與綜合剖析成果,首先與您分享關(guān)于IGBT的基本原理及其構(gòu)成元素,如芯片、單管及模塊等方面的知識。接下來將共同關(guān)注的是IGBT...
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(一)——功率半導(dǎo)體的熱阻
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...
2024-10-22 標(biāo)簽:熱阻功率器件功率半導(dǎo)體 1609 0
隨著電動汽車和可再生能源的不斷普及,功率半導(dǎo)體市場正迎來顯著增長,并在封裝領(lǐng)域發(fā)生巨大變革。封裝的復(fù)雜性逐漸增加,以適應(yīng)各種高功率和高溫條件的應(yīng)用。英飛...
2024-10-15 標(biāo)簽:封裝氮化鎵功率半導(dǎo)體 748 0
超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和優(yōu)勢
在我們進(jìn)入超結(jié)MOSFET的細(xì)節(jié)之前,我們先了解一些背景知識。
2024-10-15 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源MOS管 1316 0
針對應(yīng)用于2兆瓦范圍的電力電子系統(tǒng),當(dāng)下關(guān)注的焦點是采用何種技術(shù)以及具有多久的生命周期。
2024-09-27 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體Littelfuse 749 0
隨著功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展,半導(dǎo)體設(shè)備的發(fā)展也不斷興起。國家重要會議提出,到 2035 年要實現(xiàn)高水平科技自立自強。從半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的國產(chǎn)替代角度而言,目...
2024-09-12 標(biāo)簽:電源測試系統(tǒng)功率半導(dǎo)體 734 0
功率半導(dǎo)體器件是各類電子產(chǎn)品線路中不可或缺的重要組件。近年來,我國功率半導(dǎo)體器件制造企業(yè)通過持續(xù)的引進(jìn)消化吸收再創(chuàng)新以及自主創(chuàng)新,產(chǎn)品技術(shù)含量及性能水平...
2024-09-12 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體碳化硅 822 0
自20世紀(jì)80年代開發(fā)以來,IGBT已成為風(fēng)能、太陽能等高壓可再生能源應(yīng)用以及消費和工業(yè)用途的電動汽車和電動機的關(guān)鍵。功率半導(dǎo)體、功率器件、IGBT三者...
半橋驅(qū)動器和全橋驅(qū)動器是電力電子領(lǐng)域中兩種常見的電路驅(qū)動器,它們在結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點以及應(yīng)用場景等方面存在顯著差異。
2024-08-28 標(biāo)簽:全橋驅(qū)動器功率半導(dǎo)體半橋驅(qū)動器 5883 0
半橋驅(qū)動器是一種在電力電子領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用的電路驅(qū)動器,主要用于控制電機、電源轉(zhuǎn)換和其他負(fù)載設(shè)備。以下是對半橋驅(qū)動器的詳細(xì)解析,包括其定義、工作原理及相關(guān)應(yīng)用。
2024-08-28 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體半橋驅(qū)動器 4634 0
GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)作為一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件,在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢,但同時也存在一些缺...
2024-08-15 標(biāo)簽:GaN功率半導(dǎo)體HEMT 2785 0
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