氧化鎵成超寬禁帶功率半導(dǎo)體新寵

美國佛羅里達(dá)大學(xué)、美國海軍研究實(shí)驗(yàn)室和韓國大學(xué)的研究人員在AIP出版的《應(yīng)用物理學(xué)》上發(fā)表了研究有關(guān)，展現(xiàn)最具前景的超寬帶化合物——氧化鎵（Ga2O3）...

2018-12-28 標(biāo)簽：MOSFET功率半導(dǎo)體 6242 0

半橋驅(qū)動器和全橋驅(qū)動器的差異

半橋驅(qū)動器和全橋驅(qū)動器是電力電子領(lǐng)域中兩種常見的電路驅(qū)動器，它們在結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)以及應(yīng)用場景等方面存在顯著差異。

2024-08-28 標(biāo)簽：全橋驅(qū)動器功率半導(dǎo)體半橋驅(qū)動器 5898 0

首個5微米的Ga2O3MOSFET問世

半導(dǎo)體世界可能會有一個新的參與者，它以氧化鎵技術(shù)的形式出現(xiàn)。

2018-11-20 標(biāo)簽：MOSFET功率半導(dǎo)體 5378 0

功率半導(dǎo)體分立器件工藝流程

功率半導(dǎo)體分立器件的主要工藝流程包括：在硅圓片上加工芯片（主要流程為薄膜制造、曝光和刻蝕），進(jìn)行芯片封裝，對加工完畢的芯片進(jìn)行技術(shù)性能指標(biāo)測試，其中主要...

2023-02-24 標(biāo)簽：芯片分立器件功率半導(dǎo)體 5364 0

晶閘管的作用及特點(diǎn)有哪些

晶閘管（SCR）是一種大功率半導(dǎo)體器件，主要用于電力電子領(lǐng)域中的電壓和電流控制。

2024-05-24 標(biāo)簽：晶閘管SCR功率半導(dǎo)體 5337 0

可再生能源系統(tǒng)中的SiC實(shí)現(xiàn)更高效，更小且更具成本效益的電力方案

風(fēng)能和太陽能等必不可少的可再生能源解決方案通常與能源存儲結(jié)合使用，是該行業(yè)增長最快的行業(yè)之一，寬帶隙碳化硅（SiC）技術(shù)是這些解決方案的核心。終端系統(tǒng)設(shè)...

2021-03-12 標(biāo)簽：電容器升壓轉(zhuǎn)換器DCDC 5189 0

功率半導(dǎo)體的革命：SiC與GaN的共舞

功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二...

2013-03-07 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 5003 0

氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù)

氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù) 作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件，氮化鎵應(yīng)用范圍非常廣泛，氮化鎵在數(shù)據(jù)中心，新能源汽車等領(lǐng)域都有運(yùn)用。那么這么牛的氮化鎵技...

2023-02-16 標(biāo)簽：晶體氮化鎵GaN 4950 0

IGBT功率半導(dǎo)體的主要引用領(lǐng)域有哪些？

可控硅：能夠被低功率的控制信號打開，但只能由主電路（功率電路）自身來關(guān)斷而不能被控制信號關(guān)斷，因此又被稱為半可控開關(guān)。

2023-02-23 標(biāo)簽：變壓器IGBT功率半導(dǎo)體 4764 0

半橋驅(qū)動器的工作原理和應(yīng)用

半橋驅(qū)動器是一種在電力電子領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用的電路驅(qū)動器，主要用于控制電機(jī)、電源轉(zhuǎn)換和其他負(fù)載設(shè)備。以下是對半橋驅(qū)動器的詳細(xì)解析，包括其定義、工作原理及相關(guān)應(yīng)用。

2024-08-28 標(biāo)簽：MOSFET功率半導(dǎo)體半橋驅(qū)動器 4652 0

IGBT的基本概念、分類、技術(shù)發(fā)展及市場趨勢

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高功率半導(dǎo)體器件，具有開關(guān)速度快、損耗低、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于...

2023-09-12 標(biāo)簽：MOSFETIGBTBJT 4520 0