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標簽 > 半導體器件
半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。
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Si3N4為何要用AMB工藝?AMB Si3N4的生產流程介紹
功率電子器件在電力存儲,電力輸送,電動汽車,電力機車等眾多工業領域得到越來越廣泛的應用。
頻譜儀的非線性特性 二/三極管等半導體器件屬于非線性器件,從而才可以用于實現放大、變頻和檢波等功能。混; 頻器通常由_極管實現,...
單相調壓器的使用方法可以直接把半導體器件連接在電源和負載中間使用,我們只需要調整到我們需要的負載上的電壓電流的功率即可使用。同時,在使用安裝時應該裝上配...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)作為一種新型功率半導體器件,是國際上公認的電力電子技術第三次革命最具代表性...
新一代毫米波無線通信系統技術主要包括工作于毫米波頻段的大規模 MIMO 系統架構、波束成形芯片、基站( BS )和用戶終端(UT )的天線、系統測量和校...
一般認為第五代移動通信技術(5G )將部署電磁頻譜的毫米波頻段,第六代移動通信技術(6G )將開發利用太赫茲(0.1~10THz )頻段。5G和6G 回...
隨著半導體器件向著微型化、髙度集成化及高功率密度方向發展,其發熱量急劇增大,熱失效已經成為阻礙微電子封裝器件性能和壽命的首要問題。
在產品散熱設計時需要查看風扇的工作點是否合理,FLOEFD在計算完成之后,可以直接查看風扇工作狀態點。
IGBT (絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導體器件,廣泛應用于軌道交通、智能電網、工業節能、電動汽車和新能源裝備等領域。
SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET,特別是 SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結組成。 ...
電力二極管屬于半導體器件,通常也被稱為功率二極管。它們主要用于高功率、高電壓和高頻率的電路中,用于控制和轉換電能。電力二極管具有低導通電阻、高擊穿電壓和...
晶閘管導通條件:門極G加觸發信號,主端子A、K之間加正向電壓,且使得主端子間的正向電流大于擎住電流。
功率模塊一般指的是將功率MOSFET、IGBT等功率半導體器件與其驅動電路、散熱器等部分集成在一起的電路模塊。這種模塊具有集成度高、可靠性好、穩定性強等...
氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結構材料,具有許多優異的電子、光學和機械性質,因此受到了廣泛關注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導體材料,具有優異的...
具有自關斷能力的電力半導體器件稱為全控性器件,全控型器件又稱為自關斷器件,是指通過控制信號既可以控制其導通,又可以控制其關斷的電力電子器件。
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