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標簽 > 半導體器件
半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。
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三腳二極管,也稱為雙向可控硅(thyristor),是一種常見的半導體器件,它具有三個引腳,分別為陽極(A)、陰極(K)和控制極(G),通常用于交流電路...
從 20 世紀 80 年代 IGBT 被首次提出至今,IGBT 器件不斷朝著更低的正向導通壓降、更小的開關損 耗方向發展;但是,鑒于 IGBT 器件的各...
本文首先介紹了 IGBT 技術的研究現狀,并對 IGBT 不同結構的特點和電學特性做了簡要闡述;最 后列舉了一些最新的研究成果,并探討了 IGBT 的 ...
功率二極管,也叫做肖特基勢壘二極管,是一種常見的半導體器件。它的主要作用是在電路中起到電流的整流、穩壓和開關控制等功能。
首先,晶體管是一種半導體器件,它的核心部件是PN結。PN結是一種正負半導體材料的結合,其中P型半導體和N型半導體形成一個電子和空穴流動的界面。當PN結被...
三極管,全稱應為半導體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導體器件,其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號,也用作無觸點開關。
微波半導體器件在微波系統中能發揮各方面性能,歸納起來,即在微波功率產生及放大,控制、接收三個方面。而微波功率器件要求有盡可能大的輸出功率和輸出效率及功率...
變頻器是利用電力半導體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。我們現在使用的變頻器主要采用交—直—交方式,先把工頻交流電通過整流器轉換成直...
薄膜沉積是晶圓制造的三大核心步驟之- - ,薄膜的技術參數直接影響芯片性能。 半導體器件的不斷縮小對薄膜沉積工藝提出了更高要求,而ALD技術憑借沉積薄...
在電子器件的散熱過程中,熱傳導需要在兩個固體表面傳輸,但是界面處不是理想的平面,而是存在少量小尺度凹凸界面,在實際應用中界面位置也僅依靠凸起結構接觸,大...
晶體管具有放大能力的外部條件是發射結正向偏置,集電結反向偏置。在這種偏置條件下,發射區的多數載流子擴散到基區后,只有極少部分在基區被復合,絕大多數會被集...
按晶圓尺寸計算,GaN半導體器件市場的6英寸及以上GaN晶圓部分預計在預測期內將錄得更高的復合年增長率。此尺寸范圍的晶圓使制造商能夠提高生產力并在單個批...
三極管全稱應為半導體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號,也用作無觸點開關。
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