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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來(lái)完成特定功能的電子器件,可用來(lái)產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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功率半導(dǎo)體是對(duì)功率進(jìn)行變頻、變壓、變流、功率放大及管理的半導(dǎo)體器件,不但實(shí)施電能的存儲(chǔ)、傳輸、處理和控制,保障電能安全、可靠、高效和經(jīng)濟(jì)的運(yùn)行,而且將能...
2023-02-06 標(biāo)簽:功率功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 1749 0
功率半導(dǎo)體器件IGBT結(jié)溫測(cè)試方法
功率循環(huán)試驗(yàn)中最重要的是準(zhǔn)確在線測(cè)量結(jié)溫,直接影響試驗(yàn)結(jié)果和結(jié)論。比較總結(jié)了各種溫度測(cè)量方法的一致性、線性、靈敏度、難度和物理意義。基于通態(tài)特性的電學(xué)參...
2023-02-06 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 2246 0
氮化鎵GaN晶圓的制造流程及應(yīng)用領(lǐng)域
第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度大,具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。因此采用第三代半導(dǎo)體材料制備的半導(dǎo)體器件能在更高的溫度下穩(wěn)定運(yùn)...
2023-02-05 標(biāo)簽:晶圓氮化鎵半導(dǎo)體器件 5004 0
說(shuō)起“Diamond”給人第一印象是什么? 無(wú)疑是高貴優(yōu)雅,晶瑩剔透,尤其對(duì)于女性來(lái)說(shuō)鉆石是充滿(mǎn)誘惑的,正如1948年戴比爾斯經(jīng)典廣告所宣傳“Th...
2023-02-02 標(biāo)簽:金剛石半導(dǎo)體器件寬禁帶 1067 0
寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體器件主要應(yīng)用于哪?
集成寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體器件作為硅技術(shù)在多種技術(shù)應(yīng)用中的替代品,是一個(gè)不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng),可以提供效率和功率密度的改善,在能源和成本節(jié)約方面有很大的反響。...
2023-02-02 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體器件寬帶隙器件 2466 0
什么是晶體管,關(guān)于晶體管誕生的故事和技術(shù)細(xì)節(jié)
1904年,世界上第一個(gè)電子管(真空管)誕生,標(biāo)志著人類(lèi)進(jìn)入了電子管時(shí)代。電子管的崛起,降低了人們對(duì)礦石檢波器和半導(dǎo)體技術(shù)的關(guān)注熱情。
2023-02-02 標(biāo)簽:無(wú)線通信晶體三極管半導(dǎo)體器件 1864 0
視覺(jué)傳感器自清潔背后的超聲波清洗ULC技術(shù)
基礎(chǔ)的物理知識(shí)我們很早就學(xué)過(guò),共振是可以對(duì)材料本身產(chǎn)生很明顯作用的,不過(guò)在達(dá)到材料的破碎臨界點(diǎn)前,人眼是很難捕捉到這種振動(dòng)的。超聲波清潔ULC技術(shù)使用壓...
2023-02-01 標(biāo)簽:超聲波視覺(jué)傳感器半導(dǎo)體器件 1673 0
分類(lèi)細(xì)敘各類(lèi)電子元器件的失效模式與機(jī)理
所以掌握各類(lèi)電子元器件的實(shí)效機(jī)理與特性是硬件工程師比不可少的知識(shí)。下面分類(lèi)細(xì)敘一下各類(lèi)電子元器件的失效模式與機(jī)理。
2023-02-01 標(biāo)簽:電子元器件電阻器半導(dǎo)體器件 2003 0
一種通過(guò)選擇合適的晶體取向來(lái)提高電子自旋波壽命的方法
電子是基本粒子之一,是其他系統(tǒng)的基石,電子具有特定的性質(zhì),如自旋或角動(dòng)量,可以被操縱來(lái)攜帶信息,從而為推動(dòng)現(xiàn)代信息技術(shù)的發(fā)展做準(zhǔn)備。
2023-01-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件 780 0
LED調(diào)光器中可控硅LTH16-08應(yīng)用分析
調(diào)光器被應(yīng)用與各種各樣的場(chǎng)合,例如酒店,場(chǎng)館,展覽館等需要照明的場(chǎng)合,主要是通過(guò)改變光源的通過(guò)量來(lái)調(diào)節(jié)照明的亮度。
2023-01-12 標(biāo)簽:可控硅半導(dǎo)體器件LED調(diào)光器 484 0
在TAB和FCB中也存在WB中的部分失效問(wèn)題,同時(shí)也有它們自身的特殊問(wèn)題,如由于芯片凸點(diǎn)的高度-致性差,群焊時(shí)凸點(diǎn)形變不一-致,從面造成各焊點(diǎn)的 鍵合...
2022-12-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件IC芯片 1041 0
車(chē)聯(lián)網(wǎng):車(chē)聯(lián)網(wǎng)指按照一定的通信協(xié)議和數(shù)據(jù)交互標(biāo)準(zhǔn),在“人車(chē)-路-云“之間進(jìn)行信息交換的網(wǎng)絡(luò)。智能汽車(chē)可理解為“自動(dòng)駕駛“+“車(chē)聯(lián)網(wǎng)”智能電動(dòng)汽車(chē):智能駕...
2022-12-01 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體器件自動(dòng)駕駛 593 0
金絲球焊技術(shù)的基本原理和判別焊接質(zhì)量的方法介紹
金絲球焊是目前半導(dǎo)體器件芯片封裝焊接工藝中最具代表性的焊接技術(shù),焊接過(guò)程通過(guò)熱、超聲、壓力的共同作用形成,工藝參數(shù)調(diào)試得當(dāng)與否直接影響到封裝器件的質(zhì)量和可靠性。
2022-11-23 標(biāo)簽:換能器半導(dǎo)體器件 8019 0
淺談半導(dǎo)體器件熱設(shè)計(jì)與熱分析技術(shù)
熱量從何而來(lái)? 工作過(guò)程中,功率元件耗散的熱量,即由電能轉(zhuǎn)換成為熱能; 周?chē)墓ぷ鳝h(huán)境,通過(guò)導(dǎo)熱、對(duì)流和輻射的形式,將熱量傳遞給電子元器件;
2022-11-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件熱設(shè)計(jì) 933 0
計(jì)算光刻 (Computational Lithography)技術(shù)是指利用計(jì)算機(jī)輔助技術(shù)來(lái)增強(qiáng)光刻工藝中圖形轉(zhuǎn)移保真度的一種方法,它是分辦率增強(qiáng)技術(shù)(...
2022-10-26 標(biāo)簽:計(jì)算機(jī)半導(dǎo)體器件光刻技術(shù) 3312 0
電子元器件的主要失效模式包括但不限于開(kāi)路、短路、燒毀、爆炸、漏電、功能失效、電參數(shù)漂移、非穩(wěn)定失效等。
2022-10-24 標(biāo)簽:電阻電子元器件半導(dǎo)體器件 3576 0
碳化硅器件制造環(huán)節(jié)與硅基器件的制造工藝流程大體類(lèi)似,主要包括光刻、清洗、摻雜、蝕刻、成膜、減薄等工藝。不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升...
2022-10-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件碳化硅 9561 0
Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計(jì)算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運(yùn)過(guò)...
2022-09-16 標(biāo)簽:服務(wù)器函數(shù)半導(dǎo)體器件 2357 0
如何計(jì)算硅的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)
Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計(jì)算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運(yùn)過(guò)...
2022-09-14 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體器件電子結(jié)構(gòu) 3581 0
NAMD計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果差別的主要原因是什么
半導(dǎo)體器件在光照和電偏壓等外界條件作用下會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子。非平衡載流子的壽命對(duì)半導(dǎo)體器件性能有關(guān)鍵性影響,例如,光伏和發(fā)光器件的效率、電子器件的開(kāi)關(guān)速...
2022-09-13 標(biāo)簽:集成電路仿真設(shè)計(jì)半導(dǎo)體器件 1976 0
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