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標簽 > 半導體器件
半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。
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Nanodcal如何生成graphene原胞電聲耦合項數據文件
Nanodcal是一款基于非平衡態格林函數-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運過...
Nanodcal半導體器件:計算n型摻雜NiSi2-Si器件的輸運特性
Nanodcal軟件通過虛晶近似(Virtual Crystal Approximation,VCA)的方法實現半導體的n型或者p型摻雜。為了確保Si在...
Nanodcal是一款基于非平衡態格林函數-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運過...
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2022-08-26 標簽:計算軟件半導體器件Device Studio 2260 0
器件溫度變化的物理原因可以由緊湊模型準確描述,也使用實驗數據來驗證模型擴展。文章也討論了這些模型可以用于仿真和預估低溫下的電路性能。這是第一次展示從室溫...
3D晶圓級封裝,包括CIS發射器、MEMS封裝、標準器件封裝。是指在不改變封裝體尺寸的前提下,在同一個封裝體內于垂直方向疊放兩個以上芯片的封裝技術,它起...
首先,讓我們先來看一下SiC MOSFET開關暫態的幾個關鍵參數,圖片來源于Cree官網SiC MOS功率模塊的datasheet。開通暫態的幾個關鍵參...
然而,在實際應用中,工程師們都會遇到一個相同的困惑:器件的選型著實令人頭疼。對此,小編感同身受。今天,我們就一起來看看MOSFET和IGBT之間的有哪些...
【技術大咖測試筆記系列】之十:在當今高壓半導體器件上執行擊穿電壓和漏流測量
準確的電源和測量測試對表征這些高壓器件非常關鍵,以便能夠及時制訂正確的設計決策。提高設計裕量和過度設計只會推動成本上升,導致性能下降。
功率MOSFET及其雪崩擊穿額定值背后的理論和設計過程中的局限性
一些功率半導體器件設計為在有限時間內承受一定量的雪崩電流,因此可以達到雪崩額定值。其他人會在雪崩開始后很快失敗。性能差異源于特定的設備物理、設計和制造。
在過去的幾年中,已經發布了許多涉及用于半導體器件的高級封裝體系結構的公告。這些架構為產品設計人員提供了極大的靈活性,使其能夠異構集成在封裝上不同硅工藝上...
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