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標簽 > 半導體器件
半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。
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雙向觸發二極管(Bidirectional Trigger Diode,簡稱BTD)是一種具有雙向導通特性的半導體器件,廣泛應用于電子電路中,如過壓保護...
二極管是一種半導體器件,具有單向導電性。其伏安特性是描述二極管在不同電壓下電流變化的曲線。根據二極管的伏安特性,我們可以將其分為以下幾個區域: 截止區(...
二極管是一種半導體器件,廣泛應用于電子電路中。其主要特性是單向導電性,即只允許電流從正極流向負極,而不允許從負極流向正極。這種特性使得二極管在電路中具有...
二極管是一種半導體器件,具有單向導電性。它的伏安特性曲線是描述二極管在不同電壓下電流變化的圖形。根據二極管的工作狀態,伏安特性曲線可分為以下幾個區: 截...
晶閘管(Thyristor)是一種半導體器件,具有單向導電性,廣泛應用于電力電子領域。晶閘管的正向阻斷特性是其正常工作的基礎。 一、晶閘管的結構 晶閘管...
晶閘管(Thyristor),也稱為可控硅(SCR),是一種半導體器件,廣泛應用于電力電子領域。晶閘管是一種四層三端器件,具有兩個PN結,其結構類似于一...
晶閘管(Thyristor)是一種半導體器件,具有單向導電性,廣泛應用于電力電子領域。晶閘管的阻斷狀態有兩種:正向阻斷狀態和反向阻斷狀態。以下是對這兩種...
晶閘管(Thyristor)是一種半導體器件,具有單向導電性,廣泛應用于電力電子領域。晶閘管的反向阻斷性是指在反向電壓作用下,晶閘管能夠保持截止狀態,不...
晶閘管(Thyristor)是一種半導體器件,具有單向導電性,廣泛應用于電力電子領域。晶閘管的導通方式多種多樣,本文將介紹晶閘管可能導通的幾種情況。 正...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應用于電力電子領域的半導體器件,具有高輸入阻抗、低導通壓降、快速開關速度等特點。在IGBT的應用過程中,VCE(集...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導體器件,廣泛應用于電力電子領域。IGBT...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應用于電力電子領域的功率半導體器件。它結合了MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)和BJT(雙極型晶體管)的...
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種廣泛應用于電力電子領域的半導體器件,具有高輸入阻抗、低導通壓降、快速開關速度等特點。然而,IGBT在長時間工作過程中,...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導體器件,廣泛應用于電力電子領域,如變頻器、電源、電動汽車等。IGBT在工作過程中會產生大量的熱量,需要通過散熱...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應用于電力電子領域的功率半導體器件,具有高電壓、大電流、高頻率等特點。然而,在實際應用過程中,IGBT功率管發熱是...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)是兩種常見的功率半導體器件,它們在許多電子設備中都有廣泛的應用。盡管它們在...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導體器件,廣泛應用于電力電子領域。在IGB...
靜態工作點(Q點)是半導體器件在直流條件下的運行狀態,它對電路的性能和穩定性有著重要的影響。在本文中,我們將介紹靜態工作點的高低對電路的影響,包括其對放...
場效應管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種半導體器件,它利用電場效應來控制電流的流動。場效應管主要由源極(Source...
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