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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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給大家?guī)淼氖菆A柱形器件的仿真計(jì)算,我們知道很多半導(dǎo)體器件都是圓柱形的,例如VCSEL激光器和光電探測(cè)器。那么我們?nèi)绾卫肁PSYS軟件中的Cylind...
2020-05-06 標(biāo)簽:仿真VCSEL半導(dǎo)體器件 841 0
對(duì)市場新推出的低功耗IC 及功率器件特性無法準(zhǔn)確把握?是否真正在自己的電源設(shè)計(jì)中發(fā)揮最大的作用,缺少一種簡單經(jīng)濟(jì)的評(píng)價(jià)方法。對(duì)于電源產(chǎn)品設(shè)計(jì),大功率開關(guān)...
2020-03-23 標(biāo)簽:MOSFETIGBT半導(dǎo)體器件 3119 0
全球?qū)Π雽?dǎo)體器件的需求也明顯增加 預(yù)計(jì)今年出貨量再次超過1萬億件
據(jù)國外媒體報(bào)道,在智能手機(jī)、智能手表等各種電子產(chǎn)品和智能產(chǎn)品需求越來越高的推動(dòng)下,全球?qū)Π雽?dǎo)體器件的需求也明顯增加,外媒預(yù)計(jì),明年全球半導(dǎo)體元器件的出貨...
2020-03-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件 2117 0
本文首先闡述了晶體管的用途及重要性,另外還分析了晶體管的三個(gè)工作區(qū)。
2020-03-14 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體器件 2.3萬 0
IC Insights:半導(dǎo)體器件出貨將反彈,今年有望突破1萬億個(gè)
IC Insights最新報(bào)告顯示,預(yù)期在 2020 年,包括 IC、光電器件、傳感器和分立器件 (OSD) 在內(nèi)的半導(dǎo)體組件,出貨量將同比增長7%,是...
2020-02-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件IC Insights 1562 0
研究進(jìn)展:高探測(cè)性能SACM型雪崩光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)優(yōu)化方案
基于Crosslight先進(jìn)的半導(dǎo)體器件仿真設(shè)計(jì)平臺(tái),我司技術(shù)團(tuán)隊(duì)已開發(fā)出可靠精準(zhǔn)的雪崩光電探測(cè)器模型,在低反向偏壓下,暗電流在2.5 nA/cm2左右...
2020-03-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件光電探測(cè)器 1342 0
電源是電子設(shè)備中重要的組成部分,從小到移動(dòng)電話,媒體播放器中的電源,大到各種電力驅(qū)動(dòng)和能源轉(zhuǎn)換設(shè)備,其核心都是電能的調(diào)節(jié)變化和分配。開發(fā)、設(shè)計(jì)和調(diào)試這些...
2020-03-16 標(biāo)簽:RIGOL電源測(cè)試半導(dǎo)體器件 585 0
大時(shí)代,小批量!中國元器件電商如何實(shí)現(xiàn)彎道超車?
2019年上半年的全球半導(dǎo)體處于低潮期,銷售額與2018年同期相比,降低了14.5%。中國的半導(dǎo)體市場同樣受到全球形勢(shì)的影響,但形勢(shì)好于全球整體,預(yù)計(jì)下...
2019-11-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體元器件半導(dǎo)體器件 922 0
富士康濟(jì)南項(xiàng)目將建設(shè)8寸晶圓廠功率半導(dǎo)體器件
據(jù)介紹,中鐵14局主要負(fù)責(zé)項(xiàng)目的基礎(chǔ)工程、主體工程、裝飾裝修、場區(qū)市政以及安裝工程等,目前項(xiàng)目進(jìn)場道路已經(jīng)打通,正在進(jìn)行灰土和面層混凝土施工;降水工程基...
2019-05-06 標(biāo)簽:功率器件SiC半導(dǎo)體器件 7535 0
世強(qiáng)及世強(qiáng)元件電商全面代理Pakal,上線IGTO產(chǎn)品及其相關(guān)資料
另一方面,IGTO與現(xiàn)有的IGBT供應(yīng)鏈完全兼容,從控制器到驅(qū)動(dòng)器再到無源組件,部署IGTO所需的工作量遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過對(duì)更高效率的要求。由Pakal研發(fā)的IG...
2019-04-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT半導(dǎo)體器件 6153 0
射頻氮化鎵領(lǐng)域的知識(shí)產(chǎn)權(quán)現(xiàn)狀
目前,有30多家廠商申請(qǐng)了與GaN MMIC相關(guān)的專利,其中,東芝和科銳擁有最重要的專利組合。科銳在該領(lǐng)域擁有最強(qiáng)大的專利布局,但作為后來者的東芝是Ga...
2019-04-11 標(biāo)簽:射頻氮化鎵半導(dǎo)體器件 8263 0
通過投票決定對(duì)某些半導(dǎo)體器件,集成電路和含有該器件的消費(fèi)產(chǎn)品啟動(dòng)337調(diào)查
美國ITC經(jīng)過投票,目前已經(jīng)啟動(dòng)了此次的337調(diào)查(337-TA-1149),不過尚未對(duì)案件的案情作出任何決定。ITC的首席行政法法官將該案件分配給其中...
2019-04-03 標(biāo)簽:集成電路封裝技術(shù)半導(dǎo)體器件 4239 0
2018年半導(dǎo)體器件出貨量超萬億 預(yù)計(jì)在2019年將增長7%
2018年,包括集成電路和光電子、傳感器和分立(O-S-D)器件在內(nèi)的半導(dǎo)體器件年出貨量增長了10%,并首次超過了1萬億個(gè)大關(guān)。IC Insight在其...
2019-01-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件 1737 1
基本半導(dǎo)體發(fā)布高可靠性1200V碳化硅MOSFET
基本半導(dǎo)體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝,結(jié)合元胞鎮(zhèn)流電阻設(shè)計(jì),開發(fā)出了短路耐受時(shí)間長,導(dǎo)通電阻小,閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能...
2019-01-17 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體器件碳化硅 1.0萬 0
Technavio預(yù)測(cè):2019至2023年WBG功率半導(dǎo)體器件市場復(fù)合年增長率將達(dá)到39%
由于寬禁帶電力電子產(chǎn)品具有重量輕、易維護(hù)、更好的控制和故障檢測(cè)智能等優(yōu)勢(shì),因此航空航天和國防領(lǐng)域的需求尤其高。特別是,無線電探測(cè)和測(cè)距(雷達(dá))、無人駕駛...
2018-12-29 標(biāo)簽:電力系統(tǒng)半導(dǎo)體器件無人駕駛 6130 0
現(xiàn)代電子技術(shù)偏愛高壓,轉(zhuǎn)向?qū)捊麕О雽?dǎo)體的高壓系統(tǒng),是因?yàn)椋菏紫龋邏阂馕吨碗娏鳎@也意味著系統(tǒng)所用的銅總量會(huì)減少,結(jié)果會(huì)直接影響到系統(tǒng)成本的降低;其次...
2018-12-13 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件半導(dǎo)體器件 5604 0
5G時(shí)代即將到來,我們需要更好的半導(dǎo)體器件
“即將到來的5G,帶寬非常寬,需要更好的半導(dǎo)體的器件來完成,希望跟全世界各國的半導(dǎo)體行業(yè)的企業(yè)能夠共同努力,大家攜手并肩把這件事情做好。”
2018-08-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件5G 1446 0
美方對(duì)中國2000億美元輸美產(chǎn)品的征稅稅率由10%提高到25%
在這個(gè)市場,基美公司(KEMET)是全球最知名的電容器生產(chǎn)商之一,在無源電子技術(shù)領(lǐng)域占有全球領(lǐng)先地位。公司總部座落于美國南卡羅萊納州格林維爾市(Gree...
2018-08-08 標(biāo)簽:電容發(fā)光二極管半導(dǎo)體器件 8213 0
國內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈主要公司及主要產(chǎn)品
IGBT作為能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵钠骷軌蛱岣哂秒娦屎唾|(zhì)量,具有高效節(jié)能和綠色環(huán)保的特點(diǎn)。被大規(guī)模應(yīng)用于電動(dòng)汽車、電力機(jī)車?yán)锏碾姍C(jī)驅(qū)動(dòng)以及并網(wǎng)技術(shù)、儲(chǔ)...
2018-04-03 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT半導(dǎo)體器件 12.3萬 0
恩智浦半導(dǎo)體物理不可克隆功能技術(shù)保障個(gè)人芯片數(shù)據(jù)被竊
恩智浦半導(dǎo)體智能識(shí)別事業(yè)部執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理Ruediger Stroh指出:「雖然使用智能卡或是使用NFC手機(jī)內(nèi)的智能卡功能,在世界各地越來越流行...
2018-04-09 標(biāo)簽:恩智浦nfc半導(dǎo)體器件 2103 0
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