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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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2025中國電機(jī)智造與創(chuàng)新應(yīng)用暨電機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈交流會(春季)
2025中國電機(jī)智造與創(chuàng)新應(yīng)用暨電機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈交流會(春季) 時間:2025年 3月27日 主辦單位:Big-Bit商務(wù)網(wǎng) 承辦單位:《半導(dǎo)體器件應(yīng)用》雜志...
2025-01-22 標(biāo)簽:電機(jī)半導(dǎo)體器件 611 0
長鑫存儲"半導(dǎo)體器件冷卻設(shè)備"專利公開
該發(fā)明涉及一種新型半導(dǎo)體器件冷卻裝置,主要由冷卻部及驅(qū)動部組成。冷卻部內(nèi)置第一冷卻介質(zhì)通道,驅(qū)動部可在第一位置與第二位置間移動,在第一位置時,驅(qū)動部與冷...
2024-04-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件長鑫存儲 602 0
在現(xiàn)代電子技術(shù)中,二極管和晶體管是兩種不可或缺的半導(dǎo)體器件。它們在電路設(shè)計中有著廣泛的應(yīng)用,從簡單的信號處理到復(fù)雜的集成電路。 二極管 二極管是一種兩端...
2025-02-07 標(biāo)簽:二極管晶體管半導(dǎo)體器件 585 0
電源是電子設(shè)備中重要的組成部分,從小到移動電話,媒體播放器中的電源,大到各種電力驅(qū)動和能源轉(zhuǎn)換設(shè)備,其核心都是電能的調(diào)節(jié)變化和分配。開發(fā)、設(shè)計和調(diào)試這些...
2020-03-16 標(biāo)簽:RIGOL電源測試半導(dǎo)體器件 585 0
這項發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制備設(shè)備及制備策略,主要包含氣體管道、氣體優(yōu)化系統(tǒng)及反應(yīng)腔室三大組件。其中,氣體管道設(shè)有多個氣體入口管道;在反應(yīng)腔室內(nèi),自上而下依...
2024-04-03 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體器件長鑫存儲 573 0
下一代 CMOS 邏輯晶體管的另一個有希望的候選者是通道是過渡金屬二硫?qū)倩?(TMD) 化合物的二維材料(單層和極薄材料)的晶體管。
該發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件,包含底座,又劃分為第一和第二園區(qū),一個位于另兩個鄰側(cè)之間;兩個子漏區(qū),坐落于底座的第一園區(qū);虛擬結(jié)構(gòu),位于兩子漏區(qū)間的底座上;...
2024-04-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件華虹宏力 547 0
華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司"半導(dǎo)體器件制造"專利公開
該技術(shù)方案主要包括以下步驟:首先在襯底內(nèi)構(gòu)建第一溝槽與第二溝槽,其中第一溝槽位于MOS區(qū)域,第二溝槽位于SBR區(qū)域;接著在上述溝槽的內(nèi)壁依次制備第一氧化...
2024-05-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體制造華虹宏力 541 0
在現(xiàn)代電子技術(shù)中,高頻二極管扮演著至關(guān)重要的角色。它們不僅在通信、雷達(dá)、衛(wèi)星等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用,還在消費(fèi)電子產(chǎn)品中發(fā)揮著不可或缺的作用。 1. 高頻二...
2025-02-07 標(biāo)簽:衛(wèi)星電子技術(shù)半導(dǎo)體器件 504 0
Nexperia擴(kuò)展超低電容ESD保護(hù)二極管產(chǎn)品
靜電放電(ESD)二極管通過耗散靜電放電的高能量來保護(hù)關(guān)鍵電子系統(tǒng)和子系統(tǒng)。這可以保護(hù)重要的SOC(系統(tǒng)芯片)和其他器件在ESD事件期間免遭損壞。
2023-10-11 標(biāo)簽:二極管ESD數(shù)據(jù)接口 499 0
在近期的2024年IEEE國際電子器件會議(IEDM 2024)上,英特爾代工展現(xiàn)了一系列創(chuàng)新技術(shù),為半導(dǎo)體行業(yè)的未來發(fā)展注入了強(qiáng)勁動力。 在新材料領(lǐng)域...
碳化硅襯底材料能量損失更小。在相同的電壓和轉(zhuǎn)換頻率下,400V電壓時,碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的29%-60%之間;8...
2023-05-18 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體器件碳化硅 432 0
SC2020半導(dǎo)體器件測試系統(tǒng) 晶體管參數(shù)檢測設(shè)備技術(shù)解析
C2020晶體管測試系統(tǒng)是專為二極管、三極管、IGBT、MOSFET等?半導(dǎo)體分立器件?設(shè)計的?電學(xué)參數(shù)測試設(shè)備?,集成實(shí)驗室級測量精度(±0.1%)與...
2025-03-13 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體器件 390 0
第一代半導(dǎo)體材料是指硅、鍺元素等單質(zhì)半導(dǎo)體材料,鍺做的晶體管曾經(jīng)也是流行的老大,但由于速度較慢、不耐熱等缺點(diǎn),在八十年代初就被硅基管給取代了,一直到現(xiàn)今...
2023-12-20 標(biāo)簽:晶體管特斯拉半導(dǎo)體器件 348 0
半導(dǎo)體利用 SiC 來減少能量損失并延長太陽能和風(fēng)能電力轉(zhuǎn)換器的使用壽命。SiC(碳化硅)由于其寬帶隙而用于高功率應(yīng)用。
2024-03-22 標(biāo)簽:功率器件SiC功率半導(dǎo)體 336 0
“AI+”推動,我國半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造利潤大增105.1%!
5月27日,國家統(tǒng)計局發(fā)布2025年1—4月份全國規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)利潤數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)顯示,1—4月份,全國規(guī)上工業(yè)企業(yè)實(shí)現(xiàn)利潤總額21170.2億元,同比增...
2025-05-30 標(biāo)簽:AI半導(dǎo)體器件 96 0
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