光伏發(fā)電小科普

硅料是光伏發(fā)電系統(tǒng)的核心原材料。 光伏硅料，即太陽能級多晶硅（SoG-Si），是光伏產(chǎn)業(yè)鏈中最上游的原材料，為帶有金屬光澤的灰黑色固體，具有熔點(diǎn)高（14...

2023-04-04 標(biāo)簽：太陽能光伏發(fā)電半導(dǎo)體材料 2.0萬 0

Kunpeng處理器組織及芯片架構(gòu)

晶粒(die)是以半導(dǎo)體材料制作而成未經(jīng)封裝的一小塊集成電路本體，該集成電路的既定功能就是在這一小片半導(dǎo)體上實(shí)現(xiàn)。通常情況下，集成電路是以大批方式，經(jīng)光...

2023-03-24 標(biāo)簽：處理器集成電路半導(dǎo)體材料 6159 0

普通發(fā)光二極管和激光二極管如何區(qū)分

在某些半導(dǎo)體材料的PN結(jié)中，注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時會把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉(zhuǎn)換為光能。PN結(jié)加反向電壓，少數(shù)載流子難...

2023-03-17 標(biāo)簽：發(fā)光二極管PN結(jié)半導(dǎo)體材料 1325 0

碳化硅晶片的性質(zhì)及其用途

碳化硅晶片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由碳和硅組成，具有高溫、高壓、高頻、高功率等特性。

2023-02-25 標(biāo)簽：led照明半導(dǎo)體材料紅外探測器 3653 0

首次實(shí)現(xiàn)二維氮化物基寬禁帶半導(dǎo)體的室溫鐵磁性

二維磁性半導(dǎo)體是一種兼具鐵磁性和半導(dǎo)體性的材料，有望將信息存儲和邏輯運(yùn)算機(jī)集成為一個單元，是下一代低能耗集成電路、自旋電子學(xué)與部分自旋量子器件的基礎(chǔ)。

2023-02-22 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 1008 0

氮化鎵用途和性質(zhì)

氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，具有良好的電子特性，可以用于改善電子器件的性能。氮化鎵的主要用途是制造半導(dǎo)體器件，如晶體管、集成電路和光電器件。

2023-02-15 標(biāo)簽：晶體管半導(dǎo)體材料氮化鎵 3439 0

砷化鎵的應(yīng)用及技術(shù)工藝

砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料，它具有優(yōu)異的電子特性，廣泛應(yīng)用于電子器件的制造。砷化鎵具有良好的電子性能，具有高電子遷移率、低漏電流、高熱穩(wěn)定性和高熱導(dǎo)率...

2023-02-14 標(biāo)簽：電子器件半導(dǎo)體材料砷化鎵 3146 0

碳化硅原理及應(yīng)用

碳化硅是一種半導(dǎo)體材料，它具有優(yōu)異的電子特性，可以用于制造電子器件。它是由碳原子和硅原子組成的，具有高熔點(diǎn)、高熱穩(wěn)定性和高電阻率等特性。

2023-02-14 標(biāo)簽：電子器件半導(dǎo)體材料碳化硅 2107 0

氮化鎵技術(shù)概念股

氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常...

2023-02-13 標(biāo)簽：激光二極管半導(dǎo)體材料氮化鎵 3298 0

SIC碳化硅SIC二極管器件的作用與發(fā)展趨勢

碳化硅材料以其優(yōu)異的性能被行業(yè)列為第三代半導(dǎo)體材料，其擊穿場強(qiáng)是硅的10倍，熱導(dǎo)率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高溫環(huán)境...

2023-02-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料碳化硅MOS器件 1265 0

氮化鎵的應(yīng)用及如何制備

進(jìn)入90年代以后，第二代半導(dǎo)體砷化鎵、磷化銦等具有高遷移率的半導(dǎo)體材料逐漸出現(xiàn)，使得有線通訊技術(shù)迅速發(fā)展。隨后在本世紀(jì)初，碳化硅，氮化鎵等具有寬禁帶的第...

2023-02-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 3055 0

什么是硅基氮化鎵？

硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用于功率器件，憑借更小體積、更高效率對傳統(tǒng)硅材料進(jìn)行替代。預(yù)計(jì)中短期內(nèi)硅基氮 化鎵將在手機(jī)快充充電器...

2023-02-06 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵 4404 1

碳化硅在“新基建”領(lǐng)域有哪些應(yīng)用？

碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料之一，具備大功率、低損耗、高可靠、低散熱等特點(diǎn)，可應(yīng)用于 1200 伏特以上的高壓、嚴(yán)苛環(huán)境，可廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、鐵路等大型交通...

2023-02-03 標(biāo)簽：逆變器半導(dǎo)體材料碳化硅 712 0

碳化硅二極管在各個領(lǐng)域的應(yīng)用

碳化硅（SiC）是一種高性能的半導(dǎo)體材料，基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，成為新能...

2023-02-03 標(biāo)簽：肖特基二極管半導(dǎo)體材料SiC 669 0

氮化鎵你了解多少？

氮化鎵（GaN）是一種非常堅(jiān)硬且在機(jī)械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體材料。由于具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開關(guān)，更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電阻，氮化鎵基功率器件...

2023-02-02 標(biāo)簽：電阻半導(dǎo)體材料氮化鎵 4322 0

什么是碳化硅（SiC）？

碳化硅（SiC）是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片，這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂，石油焦，鋸末等原材料而制造的。

2023-02-02 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體材料SiC 2.9萬 0

解讀用于毫米波的半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體技術(shù)

運(yùn)行在很高頻率下的電子器件所表現(xiàn)的性能主要與：1)組成半導(dǎo)體的材料特性和2)器件的結(jié)構(gòu)有關(guān)[3]。Si，GaAs 和InP 是目前具有截止頻率在300G...

2023-01-10 標(biāo)簽：CMOS振蕩器晶體管 1368 0