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半導(dǎo)體材料

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半導(dǎo)體材料（semiconductor material）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。

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半導(dǎo)體材料資訊

兩部門印發(fā)前沿材料產(chǎn)業(yè)化重點(diǎn)發(fā)展指導(dǎo)目錄，超導(dǎo)材料、二維半導(dǎo)體在列

8月28日，工信部和國務(wù)院國有資產(chǎn)監(jiān)督管理委員會發(fā)布《關(guān)于印發(fā)前沿材料產(chǎn)業(yè)化重點(diǎn)發(fā)展指導(dǎo)目錄（第一次）的通知》，超導(dǎo)材料、二維半導(dǎo)體材料、量子點(diǎn)材料、石...

2023-08-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料石墨烯量子點(diǎn) 956 0

威頓晶磷完成億元級Pre-IPO輪融資

中國本土的半導(dǎo)體市場需求占全球的1/3，隨著國內(nèi)新建晶圓廠陸續(xù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，配套半導(dǎo)體材料也迎來高速增長。目前國內(nèi)85%半導(dǎo)體材料需要依靠進(jìn)口，國產(chǎn)替代空間巨大。

2023-08-26 標(biāo)簽：光伏晶圓廠半導(dǎo)體材料 2362 0

瑞波科涂布型OLED相位差補(bǔ)償膜等項(xiàng)目8月底前封頂

據(jù)了解，瑞波科在郫都區(qū)投資建設(shè)的瑞波科總部及高機(jī)能半導(dǎo)體材料研發(fā)制造項(xiàng)目，主要從事涂布型OLED相位差補(bǔ)償膜和集成電路等相關(guān)領(lǐng)域功能膜材的研發(fā)、生產(chǎn)和銷...

2023-08-17 標(biāo)簽：集成電路 OLED 半導(dǎo)體材料 1075 0

半導(dǎo)體材料，將強(qiáng)勢復(fù)蘇

2023年的經(jīng)濟(jì)放緩糾正了整個(gè)供應(yīng)鏈的材料供應(yīng)限制。不過，隨著行業(yè)復(fù)蘇和全球新晶圓廠的增加，對材料的需求將會增強(qiáng)。300毫米晶圓、外延晶圓、一些特種氣體...

2023-08-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件半導(dǎo)體材料 886 0

無錫江陰正式發(fā)布“芯鏈計(jì)劃”

此次晶片鏈計(jì)劃全面啟動和簽約項(xiàng)目的成功落地，將為江陰集成電路產(chǎn)業(yè)強(qiáng)有力的鏈條完善和進(jìn)入1000億階段提供新的支持，注入新的動能。會上，江陰宣傳集成電路產(chǎn)...

2023-08-14 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體材料晶片 873 0

碳化硅晶圓對半導(dǎo)體的作用

　如今砷化鎵、磷化銦等作為第二代化半導(dǎo)體因其高頻性能效好主要是用于射頻領(lǐng)域，碳化硅、和氮化鎵等作為第三代半導(dǎo)體因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。

2023-07-25 標(biāo)簽：晶圓功率器件半導(dǎo)體材料 933 0

LED芯片廠商聚燦光電率先發(fā)布2023年半年度報(bào)告

2023年上半年，全球性公共衛(wèi)生事件影響減弱，政府經(jīng)濟(jì)刺激政策密集出臺，宏觀經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇，原本受抑制的家庭裝修、商業(yè)活動、文化旅游和運(yùn)動賽事等需求恢復(fù)，人民...

2023-07-20 標(biāo)簽：led LED芯片半導(dǎo)體材料 823 0

拓材科技總部及高純電子信息材料研發(fā)生產(chǎn)基地落戶武漢

據(jù)新城葛店消息，這個(gè)項(xiàng)目是武漢拓材科技有限公司投資10億元建設(shè)占地100畝，主要建設(shè)總公司及電子高純材料、半導(dǎo)體級高純材料、高純化合物景、半導(dǎo)體單晶襯底...

2023-07-18 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 901 0

重大進(jìn)展！中國團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)12英寸二維半導(dǎo)體晶圓批量制備

該研究提出模塊化局域元素供應(yīng)生長技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體性二維過渡金屬硫族化合物晶圓批量化高效制備，晶圓尺寸可從2英寸擴(kuò)展至與現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝兼容的12英寸...

2023-07-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓半導(dǎo)體材料 971 0

12英寸二維半導(dǎo)體晶圓的批量制備完成

研究人員針對擴(kuò)大二維半導(dǎo)體晶圓尺寸和批量制備的核心科學(xué)問題，提出了一種全新的模塊化局域元素供應(yīng)生長策略，成功實(shí)現(xiàn)了最大尺寸為12英寸的二維半導(dǎo)體晶圓的批量制備。

2023-07-13 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體材料 516 0

劉開輝教授課題組在12英寸二維半導(dǎo)體晶圓批量制備研究中取得進(jìn)展

晶圓級二維半導(dǎo)體的批量制備，是推動相應(yīng)先進(jìn)技術(shù)向產(chǎn)業(yè)化過渡的關(guān)鍵所在。二維半導(dǎo)體薄膜尺寸需達(dá)到與硅基技術(shù)兼容的直徑300 mm（12-inch）標(biāo)準(zhǔn)，以...

2023-07-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓半導(dǎo)體材料 1015 0

中國團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)12英寸二維半導(dǎo)體晶圓批量制備技術(shù)

二維半導(dǎo)體是一種新興半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，以單層過渡金屬硫族化合物為代表。與傳統(tǒng)半導(dǎo)體發(fā)展路線類似，晶圓材料是推動二維半導(dǎo)體技術(shù)邁向產(chǎn)業(yè)化...

2023-07-12 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體材料 900 0

中國團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)12英寸二維半導(dǎo)體晶圓批量制備技術(shù)！

二維半導(dǎo)體是一種新興半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，如層數(shù)依賴的可調(diào)帶隙、自旋-谷鎖定特性、超快響應(yīng)速度、高載流子遷移率、高比表面積等，因此成為新一...

2023-07-12 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體材料模塊化 923 0

限制出口的鎵和鍺有何重要性？

鎵和鍺是新興的戰(zhàn)略關(guān)鍵礦產(chǎn)，已被列入國家戰(zhàn)略性礦產(chǎn)名錄。中國在鎵和鍺的儲量和出口方面都處于全球領(lǐng)先地位。

2023-07-10 標(biāo)簽：衛(wèi)星通信半導(dǎo)體材料砷化鎵 1748 0

商務(wù)部和海關(guān)總署發(fā)布公告，對鎵、鍺相關(guān)物限制出口

該公告規(guī)定了涉及金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵、磷化鎵、砷化鎵、銦鎵砷、硒化鎵、銻化鎵，以及金屬鍺、區(qū)熔鍺錠、磷鍺鋅、鍺外延生長襯底、二氧化鍺、四氯化鍺等相關(guān)物...

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半導(dǎo)體材料都有哪些？半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)分類狀況

集成電路產(chǎn)業(yè)鏈包括設(shè)計(jì)、制造和封測等關(guān)鍵步驟，其中半導(dǎo)體材料是集成電路上游關(guān)鍵原材料，按用途可分為晶圓制造材料和封裝材料。

2023-07-03 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體材料氮化鎵 3.4萬 0

中電化合物與韓國Power Master簽約，供應(yīng)8英寸在內(nèi)的SiC材料

中電化合物致力研發(fā)、生產(chǎn)寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要聚焦大尺寸、高性能的碳化硅材料和氮化鎵外延材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，已在寧波前灣新區(qū)數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園建成包含碳...

2023-06-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料 SiC 華大半導(dǎo)體 834 0

收購JSR對于增強(qiáng)日本競爭力非常重要

松野博一表示：“個(gè)別投資的判斷由jic來做。該事業(yè)是產(chǎn)業(yè)競爭力的核心——尖端半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)能力的核心——半導(dǎo)體材料的核心，因此，為了加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)競爭力，結(jié)...

2023-06-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料 jic 748 0

漲知識！半導(dǎo)體材料的分類

根據(jù)制造工藝分類，半導(dǎo)體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以SOI硅片為代表的高端硅基材料。單晶硅錠經(jīng)過切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經(jīng)過外延生...

2023-06-27 標(biāo)簽：芯片封裝半導(dǎo)體材料 7409 0

國產(chǎn)碳化硅行業(yè)加速發(fā)展

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底、外延、器件和應(yīng)用四大環(huán)節(jié)，襯底與外延占據(jù) 70%的碳化硅器件成本。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，碳化硅器件的成本構(gòu)成中，襯底、外延...

2023-06-26 標(biāo)簽：晶體半導(dǎo)體材料碳化硅 1229 0

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RISC-V是一個(gè)基于精簡指令集（RISC）原則的開源指令集架構(gòu)（ISA），重點(diǎn)在于它是開源的，這是與另外兩個(gè)主流架構(gòu)英特爾的 X86和軟銀的Arm最大區(qū)別。
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梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，畢業(yè)后曾在美國處理器大廠AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺積電，后來到三星，現(xiàn)在為中芯國際執(zhí)行長。
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