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標簽 > 半導體材料
半導體材料(semiconductor material)是一類具有半導體性能(導電能力介于導體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內)、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。
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根據霍爾效應用半導體材料制成的元件叫霍爾元件。它具有對磁場敏感、結構簡單、體積小、頻率響應寬、輸出電壓變化大和使用壽命長等優點。因此,在測量、自動化、計...
半導體材料按被研究和規模化應用的時間先后順序通常分為三代。第一代:20 世紀 40 年代,硅(Si)、鍺(Ge)開始應用,硅的自然儲量大、制 備工藝簡單...
新瑞半導體成立于2022年8月,是中民實業和嘉實晶體(也成立于2022年8月)的合資公司,中民實業成立于2018年,共有地產、科技、金融、文旅等四大業務板塊。
這些先進性將為敏捷自適應波束成型技術提供最大的自由度—每一個構成元素都可能是一個潛在的波束—并在動態范圍上線性的增長。但這種構想在天線架構層面存在較大的...
畢馬威針對中國芯片領域內致力于推進通信終端及網絡、感知系統、數字處理及邏輯運用、物聯網實體應用以及半導體材料的高成長企業,通過線上模型和線下專家團隊綜合...
作為國內唯一擁有自主知識產權的智能網卡產品和技術供應商,芯啟源將加大研發投入,擴大智能網卡技術、性能領先優勢,為下一代前沿技術應用場景提供符合國家行業標...
單晶硅錠經過切片、研磨、蝕刻、拋光、外延(如有)、鍵合(如有)、清洗等工藝步驟,制造成為半導體硅片。在生產環節中,半導體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷,保...
根據公告,中電化合物將分二期建設該項目:一期計劃投資2.2億元,租用杭州灣數字產業園1萬平方米廠房,二期征用土地70畝,形成年產8萬片4-6寸碳化硅襯底...
根據霍爾效應用半導體材料制成的元件叫霍爾元件。它具有對磁場敏感、結構簡單、體積小、頻率響應寬、輸出電壓變化大和使用壽命長等優點。因此,在測量、自動化、計...
常見的半導體材料有硅(si)、鍺(ge),化合物半導體,如砷化鎵(gaas)等;摻雜或制成其它化合物半導體材料,如硼(b)、磷(p)、錮(in)和銻(s...
同時具有高電子和空穴遷移率以及高導熱率的半導體材料有益于提升微電子和光電子器件的性能(1,2)。然而,到目前為止,仍然沒有確認同時具有高遷移率和熱導率的材料。
半導體行業是典型的高技術產業,從原材料到設計軟件、半導體設備,再到晶圓制造環節,濃縮的是人類智慧的結晶,技術含量極高,技術壁壘極高。 近年來,關于半導體...
SiC MOSFET 較 IGBT 可同時具備耐高壓、低損耗和高頻三大優勢。1)碳化硅擊穿電場強度是硅的十余倍,使得碳化硅器件耐高壓特性顯著高于同等硅器件。
硅具有良好的電子遷移率,但空穴遷移率較差,而其他材料,如廣泛應用于激光器的砷化鎵,同樣對電子具有良好的遷移率,但是對空穴則沒有。
在當今的商業環境中,能源、物流和材料附加費在許多材料領域的成本都在增加。對于硅晶圓,供應有限,因為目前的生產受到限制,因為今年和 2023 年沒有新的綠...
研究人員正在探索用于紅外探測器應用的鋁和碳納米管。他們知道,在小的貴金屬顆粒(例如,金,銀,鉑)上照射光會引起所謂的等離子體效應,其中材料上的電荷以一種...
在如今的半導體行業中,散熱幾乎可以說是除PPA(功耗、性能和面積)外最不能忽視一環。就拿移動SoC為例,芯片過熱降頻的問題影響著市面任何一款智能手機。但...
2022-07-29 標簽:半導體材料 3460 0
FLOSFIA 的氧化鎵功率器件使用一種稱為α-Ga2O3的材料。氧化鎵具有不同晶形的β-Ga2O3,結構更穩定。然而,由于α型在帶隙等特性方面優越(S...
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