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標(biāo)簽 > 雙極晶體管
雙極晶體管一般指雙極型晶體管。由兩個(gè)背靠背PN結(jié)構(gòu)成的以獲得電壓、電流或信號(hào)增益的晶體三極管。
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本文將介紹雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)。雙極晶體管是雙極型結(jié)型晶體管(BJT)的簡(jiǎn)稱(chēng),在電力半導(dǎo)體中,也稱(chēng)作大功率晶體管(GTR),在現(xiàn)代電力電子變換器中大多...
2018-03-05 標(biāo)簽:雙極晶體管 2.6萬(wàn) 1
什么是IGBT?IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)解釋和拆解
在大致了解了它的結(jié)構(gòu)之后,我們可以用這種結(jié)構(gòu)的黑色模塊做什么呢?舉一個(gè)我們身邊的例子:新型電動(dòng)汽車(chē),大家應(yīng)該都不陌生了。三個(gè)這樣的黑色模塊可以用作三相電...
2n3055參數(shù)/引腳圖,2n3055應(yīng)用電路
2N3055 是一款功率雙極晶體管,設(shè)計(jì)用于處理 100 V 和 15 A 范圍內(nèi)的高功率負(fù)載。
2023-07-24 標(biāo)簽:應(yīng)用電路雙極晶體管2N3055 1.9萬(wàn) 0
什么是IGBT?功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)
除了IGBT外,功率半導(dǎo)體元器件(晶體管領(lǐng)域)的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等,它們主要被用作半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。
傳感器測(cè)量通常是將感興趣的物理現(xiàn)象轉(zhuǎn)換為電子電路參數(shù),如電阻和電容,然后再用橋電路進(jìn)行讀取。橋電路再產(chǎn)生與溫度和電源電壓成比例關(guān)系的輸出電壓或電流信號(hào),...
儀表放大器(IA)是運(yùn)算放大器和反饋電阻的結(jié)合,用于精確地獲取和放大信號(hào)。 使用這些通用放大器的一個(gè)常見(jiàn)錯(cuò)誤是沒(méi)有為輸入偏置電流提供一條通路。25年以來(lái)...
2018-03-21 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器雙極晶體管 7699 0
功率氮化鎵技術(shù)及電源應(yīng)用熱管理設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
在采用帶引線的TO-247封裝中采用共源共柵模式技術(shù)之后,市場(chǎng)上出現(xiàn)了許多趨勢(shì),這些市場(chǎng)朝著R DS(開(kāi)啟),更好的開(kāi)關(guān)品質(zhì)因數(shù)(FOM)和更低的電容方...
什么是IGBT?本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?IGBT是“Insulated Gate Bipolar Transistor”的縮寫(xiě),中文名稱(chēng)是“絕緣柵雙極晶體管”。
IGBT的開(kāi)關(guān)速度指的是從導(dǎo)通到截止(或反之)所需的時(shí)間。快速的開(kāi)關(guān)速度有助于減少功率損耗和提高效率,但過(guò)快的開(kāi)關(guān)速度可能會(huì)增加電壓和電流的瞬態(tài)壓降,導(dǎo)...
功率 MOSFET類(lèi)別 N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET結(jié)構(gòu)
N 溝道增強(qiáng)模式最常用于電源開(kāi)關(guān)電路,因?yàn)榕c P 溝道器件相比,它的導(dǎo)通電阻低。
2021-06-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET雙極晶體管 4937 0
雙極型晶體管的工作原理是,當(dāng)電流流向晶體管的一端時(shí),它會(huì)產(chǎn)生一個(gè)反向電壓,從而阻止電流流向另一端。這種反向電壓可以用來(lái)控制電流的流動(dòng),從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的處理。
igbt驅(qū)動(dòng)電路工作原理 igbt驅(qū)動(dòng)電路和場(chǎng)效管驅(qū)動(dòng)區(qū)別
IGBT驅(qū)動(dòng)電路工作原理: IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種特殊的雙極晶體管,結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和普通雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn)...
2024-01-23 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路雙極晶體管 4318 0
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
必須在基極和發(fā)射極之間施加電流,以在集電極中產(chǎn)生電流。圖1.2示出了MOSFET,當(dāng)在柵極和源極端子之間施加電壓時(shí)在漏極中產(chǎn)生電流。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)是現(xiàn)代電力電子設(shè)備中常用的功率器件,廣泛應(yīng)用于焊機(jī)、變頻...
IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)介紹 如何拆卸IGBT模塊?
IGBT (絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車(chē)和新能源裝備等領(lǐng)域。
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,具有高電壓、大電流、高頻率等特點(diǎn)。然而,在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中,IGBT功率管發(fā)熱是...
晶體管包括哪些類(lèi)型 晶體管的一般步驟和設(shè)計(jì)原則
晶體管包括NPN晶體管、PNP晶體管、雙極晶體管、三極晶體管等。
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用說(shuō)明
最近看到一個(gè)東芝的MOSFET的文檔,看了下,還不錯(cuò),就把內(nèi)容復(fù)制出來(lái)了,分享給大家看下。
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