晶振電路中電容電阻的一些基本原理和作用解析

晶振電路中的電容和電阻是調(diào)整和維持晶振振蕩穩(wěn)定性的關(guān)鍵元件。KOAN凱擎小妹帶大家了解一下晶振電路中電容電阻的一些基本原理和作用。

2024-02-20 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻振蕩器反相器 2299 0

SRAM CLA和SRAM有什么區(qū)別

每個(gè)SRAM單元的核心由兩個(gè)CMOS反相器構(gòu)成，這兩個(gè)反相器相互連接，每個(gè)反相器的輸出電位被用作另一個(gè)反相器的輸入。這種結(jié)構(gòu)使得每個(gè)SRAM單元都可以保...

2024-02-19 標(biāo)簽：CMOS存儲(chǔ)器sram 1404 0

如何用異或門實(shí)現(xiàn)反向功能 異或門如何連接輸入端實(shí)現(xiàn)求反

在這種實(shí)現(xiàn)中，當(dāng)控制信號(hào) B 為高電平時(shí)，異或門的輸出將反轉(zhuǎn)輸入信號(hào) A 的邏輯電平。如果 A 是高電平，則輸出是低電平；如果 A 是低電平，則輸出是高...

2024-02-04 標(biāo)簽：反相器異或門邏輯電平 5303 0

異或門兩種常見的實(shí)現(xiàn)方式

這兩種實(shí)現(xiàn)方式都能夠?qū)崿F(xiàn)異或門的功能，具體的選擇取決于設(shè)計(jì)需求和邏輯門的可用性。實(shí)際構(gòu)建異或門時(shí)，可以使用離散電子元件（如晶體管、二極管等）或整合電路芯...

2024-02-04 標(biāo)簽：CMOSTTL反相器 1.5萬 0

淺談反相器（非門電路）邏輯表達(dá)式

時(shí)序圖是基于一個(gè)時(shí)間的基準(zhǔn)，能準(zhǔn)確地顯示兩個(gè)或多個(gè)波形之間的相互系，即時(shí)序圖顯示兩個(gè)或多個(gè)波形的時(shí)間關(guān)系。

2024-02-04 標(biāo)簽：反相器波形非門電路 2354 0

去耦電容靠近用電器件電源管腳的原因

通常，電源完整性是一個(gè)整體的概念，"完整性"這個(gè)詞傳達(dá)了以下幾個(gè)方面的含義

2023-12-28 標(biāo)簽：CMOS反相器穩(wěn)壓芯片 1307 0

脈沖發(fā)生器電路原理圖

該脈沖發(fā)生器最多可在輸出端生成 12 個(gè)脈沖。數(shù)量由十六進(jìn)制開關(guān)S2和S3的配置決定。矩形脈沖由 IC3c 產(chǎn)生，其電路值如所示，其脈沖重復(fù)率 (prr...

2023-12-21 標(biāo)簽：電路原理圖反相器計(jì)數(shù)器 3478 0

IO的VIL和VIH的測(cè)量方法

IO端口作為輸入端口時(shí)，一般內(nèi)嵌遲滯（hysteresis），以抵抗噪聲干擾。以反相器結(jié)構(gòu)為例，輸入要高于某電平（VIH）時(shí)，輸出才翻轉(zhuǎn)為0，反之輸入要...

2023-12-14 標(biāo)簽：電容反相器電壓源 4551 0

什么是電平轉(zhuǎn)化電路 電平轉(zhuǎn)換器原理分析

那么M1導(dǎo)通，VD拉到0。讓我們把這個(gè)過程放大一萬倍，最關(guān)鍵的地方就在VD被拉到0這個(gè)過程。事實(shí)上，M1導(dǎo)通以后，M3也會(huì)立馬跟著導(dǎo)通，也會(huì)有電流的。

2023-12-07 標(biāo)簽：電流反相器電平轉(zhuǎn)換器 1921 0

淺析D觸發(fā)器的建立時(shí)間和保持時(shí)間物理含義

我理解這個(gè)D觸發(fā)正常運(yùn)轉(zhuǎn)要滿足四個(gè)約束，第一個(gè)是建立時(shí)間，第二個(gè)是保持時(shí)間，第三個(gè)是對(duì)于最后一個(gè)傳輸門的關(guān)斷時(shí)間的控制，第四個(gè)是[時(shí)鐘周期]() 約束。

2023-12-04 標(biāo)簽：反相器鎖存器D觸發(fā)器 2513 0

上下拉電阻能否增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力？

一個(gè)最簡(jiǎn)單的二極管與門如下圖。與門實(shí)現(xiàn)邏輯與操作Y=A&B，即A或者B任意為L(zhǎng)的時(shí)候，輸出Y為L(zhǎng)，只有當(dāng)A和B都為H時(shí)，Y才為H。

2023-12-02 標(biāo)簽：CMOS二極管上拉電阻 724 0

三點(diǎn)式振蕩電路圖及工作原理

　Y1是晶體，相當(dāng)于三點(diǎn)式里面的電感，C1和C2就是電容，5404和R1實(shí)現(xiàn)一個(gè)NPN的三極管，大家可以對(duì)照高頻書里的三點(diǎn)式電容振蕩電路。接下來分析一下...

2023-12-02 標(biāo)簽：mcu電容反相器 8765 0

芯片功耗組成—internal power與總功耗的理解

靜態(tài)功耗（漏電功耗）是指芯片待機(jī)狀態(tài)下所產(chǎn)生的的功率消耗，來源于MOS管內(nèi)部的泄漏電流；泄漏電流有多個(gè)組成部分

2023-12-01 標(biāo)簽：MOS管反相器靜態(tài)功耗 2.0萬 0

對(duì)USB轉(zhuǎn)RS485轉(zhuǎn)換器自收發(fā)電路中電容的作用

今天我對(duì)USB轉(zhuǎn)RS485轉(zhuǎn)換器做測(cè)試的時(shí)候突然醒悟了那個(gè)電容的作用，因?yàn)檫@個(gè)自動(dòng)收發(fā)算是兩線制的RS485，即不需要單獨(dú)的管腳做方向控制，而是 利用了...

2023-11-30 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電容usb 2519 0

一個(gè)小小的反相器引發(fā)的問題

于是多找了幾顆芯片繼續(xù)做了EMMI實(shí)驗(yàn)，可毫無例外地，每顆芯片的亮斑位置基本一樣。這基本就排除了芯片個(gè)體差異性的可能。真實(shí)問題可能就是在那塊電路那里，但...

2023-11-30 標(biāo)簽：邏輯門反相器靜態(tài)電流 1055 0

振蕩器原理詳解(2)

如圖一，假設(shè)振蕩器由N級(jí)反相器組成，N必須為奇數(shù)，以保證電路DC時(shí)為負(fù)反饋。每級(jí)反相器延時(shí)TD，振蕩周期為2*N*TD。這樣的振蕩器有三個(gè)特點(diǎn)：一，供電...

2023-11-22 標(biāo)簽：振蕩器反相器負(fù)載電容 3293 1