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場(chǎng)效應(yīng)晶體管

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)（FET））簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管。

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管資訊

一種集成低功耗pH傳感器的離子敏感場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ISFET）

據(jù)麥姆斯咨詢(xún)報(bào)道，德國(guó)弗勞恩霍夫光子微系統(tǒng)研究所（Fraunhofer IPMS）開(kāi)發(fā)出一種用于芯片式pH值測(cè)量的傳感層，并成功將其集成到離子敏感場(chǎng)效應(yīng)...

2024-03-11 標(biāo)簽：傳感器半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1905 0

運(yùn)算放大器參數(shù)選型

原文來(lái)自：泉城嵌入式運(yùn)算放大器（IntegratedOperational Amplifier）簡(jiǎn)稱(chēng)集成運(yùn)放，是一種高電壓增益、高輸入電阻和低輸出電阻...

2024-03-27 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1791 0

三星半導(dǎo)體將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”！

近期，科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個(gè)引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。

2024-03-06 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管三星半導(dǎo)體人工智能芯片 1468 0

王中林院士團(tuán)隊(duì)，石墨烯器件新突破！

傳統(tǒng)半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展面臨著尺寸持續(xù)縮小的技術(shù)瓶頸，新興的石墨烯等二維材料基于其納米級(jí)厚度和極高的載流子遷移率一直備受關(guān)注。

2024-03-01 標(biāo)簽：人機(jī)交互物聯(lián)網(wǎng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1208 0

有消息稱(chēng)蘋(píng)果公司已悄然啟動(dòng)基于臺(tái)積電2nm工藝的芯片設(shè)計(jì)工作

作為臺(tái)積電最大的客戶(hù)，蘋(píng)果通常是第一個(gè)獲得其新芯片的公司。

2024-03-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 iPhone 芯片設(shè)計(jì) 910 0

薩科微推出SL40T120FL系列IGBT單管和CMOS運(yùn)算放大器SLA333等產(chǎn)品

深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司一直研究新材料新工藝，不斷推出新產(chǎn)品，驅(qū)動(dòng)公司不斷發(fā)展。

2024-02-28 標(biāo)簽：CMOS MOSFET 運(yùn)算放大器 983 0

IGBT和MOSFET在對(duì)飽和區(qū)的定義差別

IGBT和MOSFET在對(duì)飽和區(qū)的定義差別? IGBT和MOSFET是傳輸電力和控制電流的重要電子器件。它們?cè)谠S多電力電子應(yīng)用中起著關(guān)鍵的作用。飽和區(qū)是...

2024-02-18 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3251 1

Qorvo發(fā)布碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管產(chǎn)品

Qorvo最近發(fā)布了一款新的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品，這款產(chǎn)品專(zhuān)為電動(dòng)汽車(chē)（EV）而設(shè)計(jì)，符合車(chē)規(guī)標(biāo)準(zhǔn)。

2024-02-01 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管碳化硅 Qorvo 916 0

H20R1203到底能不能用IRF 250代換？

H20R1203到底能不能用IRF 250代換？ H20R1203和IRF250是兩種不同的電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管。雖然它們可能在一些電路應(yīng)用中具有相似的性能...

2024-01-15 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管額定電流 5659 0

日本團(tuán)隊(duì)公布金剛石MOSFET研制取得最新進(jìn)展

早稻田大學(xué)和 Power Diamonds Systems (PDS) 開(kāi)發(fā)了一種結(jié)構(gòu)，其中金剛石表面覆蓋有氧化硅終端（C-Si-O 終端），當(dāng)柵極電壓...

2024-01-02 標(biāo)簽：MOSFET MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1467 0

日本團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出一種“常關(guān)”鉆石 MOSFET

MOSFET是一種MOS結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)，具有高速、低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓的特點(diǎn)，特別適合作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)的開(kāi)關(guān)元件，高速開(kāi)關(guān)大電流等已經(jīng)完成。

2023-12-29 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 693 0

碳化硅器件領(lǐng)域，中外的現(xiàn)況如何？

導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過(guò)在導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層，得到碳化硅外延片后進(jìn)一步加工制成，品種包括SBD（肖特基二極管）、MOSFET（金屬氧化物...

2023-12-27 標(biāo)簽：IGBT 場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件 583 0

MOS管在電路中如何控制電流大小？

MOS管在電路中如何控制電流大小？ MOS管是一種非常常見(jiàn)的電子器件，常用于各種電路中來(lái)控制電流的大小。一、MOS管的基本原理和結(jié)構(gòu) MOS管全稱(chēng)金屬...

2023-12-21 標(biāo)簽：MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管擊穿電壓 5319 0

臺(tái)積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù)，2nm 工藝按計(jì)劃 2025 年量產(chǎn)

12 月 14 日消息，臺(tái)積電在近日舉辦的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）的小組研討會(huì)上透露，其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開(kāi)。同時(shí)，...

2023-12-18 標(biāo)簽：臺(tái)積電場(chǎng)效應(yīng)晶體管 845 0

場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電流是多大

場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電流是多大場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種基于電場(chǎng)控制的電子器件，常用于放大、開(kāi)關(guān)和調(diào)制等...

2023-12-08 標(biāo)簽：放大器 FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2092 0

如何判定一個(gè)MOS晶體管是N溝道型還是P溝道型呢？

MOS的三個(gè)極怎么判定？是N溝道還是P溝道？ MOS是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Ef...

2023-11-30 標(biāo)簽：晶體管 MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1987 0

GaN氮化鎵材料，主要適用于哪些領(lǐng)域

GaN器件是平面器件，與現(xiàn)有的Si半導(dǎo)體工藝兼容性強(qiáng)，因此更容易與其他半導(dǎo)體器件集成，進(jìn)一步降低用戶(hù)的使用門(mén)檻，并在不同應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)它的屬性和優(yōu)勢(shì)，很有...

2023-11-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 1470 0

p溝道和n溝道的區(qū)別 n溝道和p溝道怎樣區(qū)分？

p溝道和n溝道的區(qū)別 n溝道和p溝道怎樣區(qū)分？區(qū)分p溝道和n溝道的關(guān)鍵在于材料的雜質(zhì)摻入和本征類(lèi)型。在材料中摻入不同類(lèi)型的雜質(zhì)能夠改變材料的導(dǎo)電性質(zhì)，...

2023-11-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 5188 0

一鍵解鎖！晶體管結(jié)構(gòu)工藝發(fā)展歷程

2023-12-07 標(biāo)簽：晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 FinFET 1131 0

選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管的六大訣竅

2023-12-05 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管 765 0

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Arduino

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱(chēng)叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
20nm

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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車(chē)相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
TI公司

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TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷(xiāo)售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶(hù)、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
羅姆

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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通常可以先在本地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線鏈路可用時(shí)再行處理。
金升陽(yáng)

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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷(xiāo)售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
Vicor

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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專(zhuān)注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開(kāi)關(guān) （ZCS）及零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制

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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無(wú)需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。
Zynq

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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車(chē)駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus LogIC

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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開(kāi)發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
華星光電

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
研華

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32位單片機(jī)

32位單片機(jī)

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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
驍龍

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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱(chēng)。
Cortex-A

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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
Mobileye

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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶(hù)端功能，例如車(chē)道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車(chē)輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車(chē)距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
CC2541

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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
超級(jí)本

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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類(lèi)筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
G3-PLC

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