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標簽 > 場效應管
場效應管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件,并以此命名。
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合科泰NMOS管HKTQ50N03與HKTQ80N03應用案例
MOS管也叫場效應管,它可以分為PMOS管(P溝道型)和NMOS(N溝道型)管,屬于絕緣柵場效應管。NMOS也叫N型金屬氧化物半導體,而由NMOS組成的...
場效應管(fet)是電場效應控制電流大小的單極型半導體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小,具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩定性好、制造工藝簡單等特點...
場效應管是一種電子元件,它可以控制電流或電壓,通過改變極化層的電場來控制電流或電壓。根據其結構特點分為MOSFET(金屬氧化物半導體場效應管)、JF...
三極管,全稱應為半導體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號,也用作無觸點開關。
三極管,全稱應為半導體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導體器件,其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號, 也用作無觸點開關。
功率MOSFET是較常使用的一類功率器件。“MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的...
晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件,包括各種半導體材料制成的二極管、三極管、場效應管、晶閘管等。晶體管具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號...
IGBT的柵極-發射極電壓VGE類似于MOSFET的柵極-源極電壓VGS,集電極電流IC類似于漏極電流ID,集電極-發射極電壓VCE類似于漏源電壓VDS。
功率開關管是指能承受較大電流,漏電流較小,在一定條件下有較好飽和導通及截止特性的三極管,可不太考慮其放大性能
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