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標(biāo)簽 > 基極電流
基極電流是載流子在基區(qū)擴(kuò)散與復(fù)合形成的復(fù)合電流，在發(fā)射極是IE，為了保證基極電流流過(guò)Re，產(chǎn)生的電壓降與IE流過(guò)時(shí)一樣，所以要將Re乘以（1+β），基區(qū)是雙極型晶體管（BJT）結(jié)構(gòu)中的一個(gè)重要區(qū)域。
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閂鎖效應(yīng)（Latch-up）原理及其抑制方法解析
閂鎖效應(yīng)：實(shí)際上是由于CMOS電路中基極和集電極相互連接的兩個(gè)BJT管子(下圖中，側(cè)面式NPN和垂直式PNP)的回路放大作用形成的
2023-12-01 標(biāo)簽：CMOS電路VDD閂鎖效應(yīng) 2.2萬(wàn) 0
IGBT/三極管/MOS管這三種元器件之間有什么區(qū)別？
三極管的結(jié)構(gòu)是給一塊純硅進(jìn)行三層摻雜，其中較窄區(qū)域高濃度N型摻雜，含有大量自由電子，中間極窄區(qū)域普通濃度P型摻雜，含有少數(shù)空穴，上邊較寬區(qū)域普通濃度N型...
2024-04-09 標(biāo)簽：三極管MOS管發(fā)射機(jī) 1.8萬(wàn) 0
共射放大電路直流工作點(diǎn)和交流放大倍數(shù)的計(jì)算方法
這一節(jié)繼續(xù)對(duì)共射放大電路進(jìn)行總結(jié)分析，直流工作點(diǎn)和交流放大倍數(shù)計(jì)算!
當(dāng)NPN三極管的基極接收到高電平信號(hào)時(shí)，三極管導(dǎo)通，允許電流從其集電極流向發(fā)射極。這個(gè)電流通過(guò)繼電器線圈，使繼電器吸合，其觸點(diǎn)狀態(tài)發(fā)生改變（常開觸點(diǎn)閉合...
差分放大電路對(duì)共模信號(hào)和差模信號(hào)的影響
當(dāng)集電極電流Icq有微小變化時(shí)，會(huì)在發(fā)射極電阻Re上產(chǎn)生壓降，而Re上的壓降又會(huì)影響b-e之間的電壓，從而會(huì)影響Icq，達(dá)到穩(wěn)定工作點(diǎn)。
電力晶體管（Giant Transistor—GTR），是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—...
2024-03-07 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)電路BJTGTR 7817 0
在一些電流波動(dòng)的場(chǎng)合總需要用到限流，然而限流電路有多種，有些地方對(duì)成本敏感又需要有一定控制精度，推薦用下面介紹的三極管做簡(jiǎn)單限流。
此電路看似簡(jiǎn)單，實(shí)際原理是當(dāng)采樣電阻R4的電壓變化時(shí)，直接反饋到運(yùn)放的反相輸入端，它與同相輸入端電壓的差值被運(yùn)放放大，輸出控制三極管的基極電流，改變?nèi)龢O...
芯片設(shè)計(jì)都不可避免的考慮要素—閂鎖效應(yīng)latch up
閂鎖效應(yīng)，latch up，是個(gè)非常重要的問(wèn)題。現(xiàn)在的芯片設(shè)計(jì)都不可避免的要考慮它。我今天就簡(jiǎn)單地梳理一下LUP的一些問(wèn)題。
2023-12-01 標(biāo)簽：CMOS芯片設(shè)計(jì)BJT 4607 0
因?yàn)楫?dāng)三極管處在放大工作狀態(tài)時(shí)，基極電流每增大或減小1mA則集電極或是發(fā)射極電流的變化量會(huì)有幾十mA甚至上百毫安的變化量。通過(guò)集電極或是發(fā)射極串聯(lián)的電阻...
典型的共發(fā)射極放大器如下圖，利用三極管的基極電流對(duì)集電極電流的控制作用，實(shí)現(xiàn)對(duì)輸入信號(hào)的放大。Vcc是為放大器提供電壓的直流電源，通過(guò)基極偏置電阻Rb給...
以上為解題思路當(dāng)我們遇到實(shí)際三極管不導(dǎo)通時(shí)，我們第一反應(yīng)是三極管燒了，可以用萬(wàn)用表直接測(cè)，但我們理論怎么分析呢。
為什么說(shuō)IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件？它們有何區(qū)別和聯(lián)系？
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)...
在實(shí)際應(yīng)用中，基極電流和集電極電流之間的關(guān)系可能會(huì)受到動(dòng)態(tài)因素的影響。在電子學(xué)和半導(dǎo)體物理學(xué)中，基極電流（Ib）和集電極電流（Ic）是雙極型晶體管（BJ...
2024-07-18 標(biāo)簽：PN結(jié)半導(dǎo)體器件集電極電流 3011 0
我們都知道，晶體三極管具有電流放大作用，其實(shí)質(zhì)是三極管能以基極電流微小的變化量來(lái)控制集電極電流較大的變化量。
IGBT中的若干PN結(jié)—PNPN結(jié)構(gòu)介紹
在前文的PNP結(jié)構(gòu)中，我們描述了一種現(xiàn)象，如果IGBT中的兩個(gè)BJT都處于工作狀態(tài)，那么就會(huì)發(fā)生失控，產(chǎn)生latch-up現(xiàn)象。
在基本放大電路中,基極端連接著開關(guān)S,只要打開S,則集電極發(fā)射極之間幾乎沒(méi)有電流流通,蜂鳴器不發(fā)聲。如果閉合s,則基極發(fā)射極之間電流導(dǎo)通,同時(shí)集電極發(fā)射...
伏安特性是指橫軸為電壓、縱軸為電流的一組測(cè)試記錄。 那么NPN型晶體管的伏安特性增模描述呢？ 晶體管有三個(gè)引腳，因此需用通過(guò)兩個(gè)伏安特性來(lái)展示晶體管的特...
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型（1）
在前面關(guān)于PIN&MOS模型分析中，特別強(qiáng)調(diào)了這個(gè)模型所存在的一個(gè)短板，即所有電流都通過(guò)MOS溝道，實(shí)際上只有電子電流通過(guò)MOS溝道，而空穴電流...
射極跟隨電路的原理圖在上一節(jié)我們已經(jīng)通過(guò)理論分析大致畫了出來(lái)。接下來(lái)求從“設(shè)計(jì)的角度”出發(fā)，思考射極跟隨電路的原理。不但需要計(jì)算各器件的參數(shù)，還要進(jìn)行參...
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