標(biāo)簽 > 復(fù)合介質(zhì)電容
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復(fù)合介質(zhì)電容器一般采用紙膜復(fù)合介質(zhì),以鋁宿為電極卷繞而成,然后放入塑料、監(jiān)管或金屬外殼內(nèi)封裝,而小型復(fù)合介質(zhì)電容器多采用樹脂浸涂包封。
650 – 900 MHz 高增益和線性 700 – 1000 MHz 高增益和線 具有省電模式的 1700 – 2200 集成整數(shù) N 分頻 PLL 和 VCO 1400 至 2000 MHz 寬帶、應(yīng) 1700 至 2700 MHz 寬帶、應(yīng) 1930–1990 MHz 高性能 VC 890-960 MHz 壓控振蕩器 無雜散、50 MHz 至 2.1 GHz GaAs IC 1 位數(shù)字衰減器 15 DC-3.0 GHz 六位數(shù)字衰減器,帶 0.7-4.0 GHz 五位數(shù)字衰減器,
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