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失效機(jī)理

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失效機(jī)理技術(shù)

詳解半導(dǎo)體集成電路的失效機(jī)理

半導(dǎo)體集成電路失效機(jī)理中除了與封裝有關(guān)的失效機(jī)理以外，還有與應(yīng)用有關(guān)的失效機(jī)理。

2025-03-25 標(biāo)簽：芯片集成電路半導(dǎo)體 551 0

封裝失效分析的流程、方法及設(shè)備

本文首先介紹了器件失效的定義、分類和失效機(jī)理的統(tǒng)計(jì)，然后詳細(xì)介紹了封裝失效分析的流程、方法及設(shè)備。

2025-03-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝失效機(jī)理 714 0

廣電計(jì)量|功率場(chǎng)效應(yīng)管過壓失效機(jī)理及典型特征分析

失效分析最常觀察到的現(xiàn)象是EOS過電失效，分為過壓失效及過流失效的兩種失效模式。對(duì)于以功率器件為代表的EOS過電失效樣品，其失效表征往往表現(xiàn)為芯片的大面...

2024-09-18 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 MOS 失效機(jī)理 1439 0

一文看元器件失效機(jī)理

由于P-N結(jié)的正向壓降受溫度的影響較大，所以用P-N為基本單元構(gòu)成的雙極型半導(dǎo)體邏輯元件（TTL、HTL等集成電路）的電壓傳輸特性和抗干擾度也與溫度有密...

2023-10-13 標(biāo)簽：元器件失效機(jī)理 p-n結(jié) 1943 0

元器件失效主要受哪些因素影響

2023-10-13 標(biāo)簽：集成電路元器件熱敏電阻 734 0

電容器的常見失效模式和失效機(jī)理

電參數(shù)變化(包括電容量超差、損耗角正切值增大、絕緣性能下降或漏電流上升等)，部分功能失效

2023-08-23 標(biāo)簽：電容器失效機(jī)理鋁電解電容器 2995 0

常見的電子元器件失效機(jī)理與分析

電阻線或電阻膜在制備過程中都會(huì)承受機(jī)械應(yīng)力，使其內(nèi)部結(jié)構(gòu)發(fā)生畸變，線徑愈小或膜層愈薄，應(yīng)力影響愈顯著。一般可采用熱處理方法消除內(nèi)應(yīng)力，殘余內(nèi)應(yīng)力則可能在...

2023-05-08 標(biāo)簽：電阻電子元器件失效機(jī)理 1781 0

壓接型與焊接式IGBT的失效模式與失效機(jī)理

失效率是可靠性最重要的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)，所以研究IGBT的失效模式和機(jī)理對(duì)提高IGBT的可靠性有指導(dǎo)作用。

2023-04-20 標(biāo)簽：封裝 IGBT 焊接 3435 0

MOSFET的失效機(jī)理：dV/dt失效和雪崩失效

當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，會(huì)造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。

2023-04-15 標(biāo)簽：二極管轉(zhuǎn)換器 MOSFET 2443 0

IGBT功率模塊封裝主要面臨哪些問題？

功率器件的封裝正朝著小體積和3D封裝發(fā)展，在工作損耗不變的情況下，使得器件的發(fā)熱功率密度變得更大，在熱導(dǎo)率和熱阻相同的情況下，會(huì)使得封裝體和裸芯的溫度更...

2023-03-20 標(biāo)簽：封裝 IGBT 失效機(jī)理 1801 0

MOSFET的失效機(jī)理

MOSFET等開關(guān)器件可能會(huì)受各種因素影響而失效。因此，不僅要準(zhǔn)確了解產(chǎn)品的額定值和工作條件，還要全面考慮電路工作中的各種導(dǎo)致失效的因素。本系列文章將介...

2023-03-20 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 失效機(jī)理 1624 0

MOSFET的失效機(jī)理：什么是dV/dt失效

MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而...

2023-02-13 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管失效機(jī)理 1668 0

MOSFET的失效機(jī)理：什么是雪崩失效

當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，就會(huì)發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場(chǎng)時(shí)，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會(huì)導(dǎo)致碰撞電離...

2023-02-13 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 失效機(jī)理 2917 0

MOSFET的失效機(jī)理：什么是SOA（Safety Operation Area）失效

MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?SOA是“Safety Operation Area”的縮寫，意為“安全工作區(qū)”。?需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSF...

2023-02-13 標(biāo)簽：MOSFET 失效機(jī)理 SOA 2198 0

保護(hù)器件過電應(yīng)力失效機(jī)理和失效現(xiàn)象淺析

半導(dǎo)體元器件在整機(jī)應(yīng)用端的失效主要為各種過應(yīng)力導(dǎo)致的失效，器件的過應(yīng)力主要包括工作環(huán)境的緩變或者突變引起的過應(yīng)力，當(dāng)半導(dǎo)體元器件的工作環(huán)境發(fā)生變化并產(chǎn)生...

2023-01-06 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體靜電 3121 0

工程師必知的那些元器件失效機(jī)理

溫度導(dǎo)致失效環(huán)境溫度是導(dǎo)致元件失效的重要因素。溫度變化對(duì)半導(dǎo)體器件的影響：構(gòu)成雙極型半導(dǎo)體器件的基本單元P-N結(jié)對(duì)溫度的變化很敏感，當(dāng)P-N結(jié)反向偏...

2022-08-22 標(biāo)簽：元器件元件失效機(jī)理 1306 0

工程師必知的那些元器件失效機(jī)理

環(huán)境溫度是導(dǎo)致元件失效的重要因素。

2022-08-22 標(biāo)簽：元器件熱敏電阻失效機(jī)理 1686 0

元器件失效機(jī)理分析

元件的失效直接受濕度、溫度、電壓、機(jī)械等因素的影響。

2022-08-19 標(biāo)簽：元器件電容失效機(jī)理 1419 0

變壓器線圈常見三種失效機(jī)理介紹

本文主要對(duì)變壓器線圈常見的三種失效機(jī)理進(jìn)行了介紹，另外還對(duì)電感和變壓器類失效機(jī)理與故障進(jìn)行了分析。

2018-05-31 標(biāo)簽：變壓器失效機(jī)理 1.2萬 0

什么是電阻器的失效模式？失效機(jī)理深度分析必看

失效模式：各種失效的現(xiàn)象及其表現(xiàn)的形式。失效機(jī)理：是導(dǎo)致失效的物理、化學(xué)、熱力學(xué)或其他過程。1、電阻器的主要

2017-10-11 標(biāo)簽：失效機(jī)理失效模式 1.4萬 0

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