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標(biāo)簽 > 存儲單元
存儲單元是多個(gè)存儲元的集合。一般應(yīng)具有存儲數(shù)據(jù)和讀寫數(shù)據(jù)的功能,以8位二進(jìn)制作為一個(gè)存儲單元,也就是一個(gè)字節(jié)。
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因?yàn)殚L久以來,人們在使用具有矩形或者多邊形結(jié)構(gòu)的平面石磚砌墻或者鋪地面的時(shí)候發(fā)現(xiàn)一個(gè)規(guī)律,要想更好的利用手頭的材料,更少的產(chǎn)生材料的冗余,需要先從平鋪區(qū)...
PSRAM的時(shí)序比較簡單,主要根據(jù)各個(gè)時(shí)序圖理解每個(gè)時(shí)序階段,及其參數(shù)。重點(diǎn)要理解DQS/DM是誰驅(qū)動的,代表什么意思, 數(shù)據(jù)采樣的時(shí)間即DQS上升沿延...
最近幾年,電子產(chǎn)品的價(jià)格走勢不斷降低,大家也覺得日后的電子產(chǎn)品會越來越便宜,但事實(shí)是從去年開始,手機(jī)、電腦、家電等產(chǎn)品價(jià)格一直在持續(xù)漲價(jià),而這其中的主要...
閃存發(fā)展到現(xiàn)在,經(jīng)歷了2D平面到現(xiàn)在的3D立體制程(Process)的大發(fā)展,目標(biāo)只有一個(gè):硅片單位面積(mm2)能設(shè)計(jì)生產(chǎn)出更多的比特(bits),讓...
憶阻器英文名為memristor, 用符號M表示,與電阻R,電容C,電感L構(gòu)成四種基本無源電路器件,它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶,其同時(shí)具備電阻和...
在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中,動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)和嵌入式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器...
NOR Flash的技術(shù)體系和結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
本文分析了NOR Flash的技術(shù)體系,結(jié)構(gòu)特點(diǎn),并對實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲的基本原理以及發(fā)展趨勢進(jìn)行介紹。
Flash存儲器是一種非易失性存儲器,即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
DRAM(Dynamic Random Access Memory) 即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存,...
存儲單元是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的基本元素,用于存儲和檢索數(shù)據(jù)。以下是對存儲單元的全面解析,涵蓋其定義、類型、功能、特點(diǎn)以及在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的重要作用。
2024-08-30 標(biāo)簽:cpu存儲單元計(jì)算機(jī)系統(tǒng) 5279 0
為什么語句的不完整會導(dǎo)致鎖存器的產(chǎn)生?
時(shí)序電路,生成觸發(fā)器,觸發(fā)器是有使能端的,使能端無效時(shí)數(shù)據(jù)不變,這是觸發(fā)器的特性。
專用集成電路的定義、分類、設(shè)計(jì)流程、應(yīng)用領(lǐng)域以及優(yōu)缺點(diǎn)
專用集成電路(Application-Specific Integrated Circuit,簡稱ASIC)指的是用于特定應(yīng)用的定制芯片。與通用集成電路...
EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)的擦除過程是一個(gè)涉及硬件和軟件操作...
本文提出了一種簡單快速的新方法來分離出分離柵極SuperFlash?單元中循環(huán)擦寫引起的退化分量,本方法基于隧穿電流穩(wěn)定性在線性斜坡擦除電壓期間的作用。...
串行Nor Flash的結(jié)構(gòu)和參數(shù)特性(1)
引言:串行Nor Flash是一類使用比較多的存儲器件,在特殊應(yīng)用場景中具有不可替代的地位,本節(jié)是數(shù)字存儲器件系列第一節(jié),介紹串行Nor Flash的結(jié)...
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