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寬帶隙半導(dǎo)體

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寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)

寬帶隙半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)：緩慢的開(kāi)關(guān)沿可減少過(guò)沖和EMI

在寬帶隙半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的新時(shí)代，器件類(lèi)型的選擇包括具有自己的特性并聲稱(chēng)具有最佳性能的SiC?MOSFET和GaN HEMT單元。但是，這兩者都不是理想的開(kāi)關(guān)...

2021-03-18 標(biāo)簽：電容器 MOSFET 緩沖器 7995 0

半導(dǎo)體功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浼軜?gòu)和挑戰(zhàn) 寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)進(jìn)展

功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)者的終極目標(biāo)是以最高效率將來(lái)自配電系統(tǒng)（公用事業(yè)AC或DC匯流排）電壓轉(zhuǎn)換為不同DC或AC電平。

2021-03-08 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體寬帶隙器件寬帶隙半導(dǎo)體 4521 0

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢(shì)

設(shè)計(jì)出色功效的電子應(yīng)用時(shí)，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的器件。與電子開(kāi)關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術(shù)具有...

2023-10-12 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵電子開(kāi)關(guān) 2835 1

寬帶隙半導(dǎo)體GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)腐蝕

寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，這些特性使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕，即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HN...

2022-07-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 蝕刻 2710 0

寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用和發(fā)展

　　寬帶隙半導(dǎo)體是一種具有寬帶隙的半導(dǎo)體材料，其特性是具有較寬的能帶隙，可以吸收和發(fā)射更多的光子，從而提高半導(dǎo)體器件的效率。它廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、激光...

2023-02-16 標(biāo)簽：太陽(yáng)能半導(dǎo)體電池 2142 0

分析用于電力電子的寬帶隙半導(dǎo)體

使用寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)可以滿足當(dāng)今行業(yè)所需的所有需求。顧名思義，它們具有更大的帶隙，因此各種電子設(shè)備可以在高電壓、高溫和高頻率下工作。碳化硅（SiC）...

2022-07-29 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 2131 0

直流電能計(jì)量的應(yīng)用和解決方案

在基于寬帶隙半導(dǎo)體（例如GaN和SiC器件）的高效經(jīng)濟(jì)型功率轉(zhuǎn)換技術(shù)發(fā)展的推動(dòng)下，許多應(yīng)用現(xiàn)在都看到了轉(zhuǎn)換為直流電能的好處。因此，精確的直流電能計(jì)量變得...

2024-08-21 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體電能計(jì)量 1975 0

分析寬帶隙半導(dǎo)體的計(jì)算模型

了解半導(dǎo)體價(jià)帶和導(dǎo)帶的形成機(jī)制對(duì)于新材料生產(chǎn)的潛在技術(shù)影響至關(guān)重要。這項(xiàng)工作提出了一種寬帶隙計(jì)算模型，突出了理解能帶結(jié)構(gòu)的理論困難，然后將其與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)...

2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體計(jì)算模型碳化硅 1557 0

寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)為實(shí)現(xiàn)更高效功率轉(zhuǎn)換打開(kāi)大門(mén)

電動(dòng)車(chē)是車(chē)輪上的數(shù)據(jù)中心，具有工業(yè)規(guī)模的電動(dòng)機(jī)控制（圖1），它的可行性取決于牽引逆變器和充電電路的效率。效率每提高一個(gè)百分點(diǎn)都能促進(jìn)散熱需求降低、重量減...

2022-09-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體寬帶 UnitedSiC 1441 0

利用寬帶隙半導(dǎo)體和數(shù)字控制設(shè)計(jì)更有效的功率因數(shù)校正電路

作者：Jeff Shepard 為了最大限度地提高交流市電供電設(shè)備（包括 AC/DC 電源、電池充電器、基于電池的儲(chǔ)能系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和不間斷電源）的效...

2023-10-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率因數(shù)電源轉(zhuǎn)換器 1403 0

寬帶隙半導(dǎo)體帖子

寬帶隙半導(dǎo)體資料下載

使用寬帶隙半導(dǎo)體和數(shù)字控制設(shè)計(jì)更有效的功率因數(shù)校正立即下載

類(lèi)別：電子資料 2022-11-24 標(biāo)簽：應(yīng)用筆記得捷寬帶隙半導(dǎo)體 224 0

寬帶隙半導(dǎo)體資訊

碳化硅寬帶隙半導(dǎo)體有什么好處

寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體極大地影響了使用它們的設(shè)備的可能性。材料的帶隙是指電子從半導(dǎo)體價(jià)帶的最高占據(jù)態(tài)移動(dòng)到導(dǎo)帶的最低未占據(jù)態(tài)所需的能量。

2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2161 0

寬帶隙半導(dǎo)體終結(jié)了硅的主導(dǎo)地位

寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已經(jīng)終結(jié)了硅在電力電子領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。自硅問(wèn)世以來(lái)，WBG 半導(dǎo)體被證明是電力...

2022-07-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 FET 碳化硅 1939 0

寬帶隙半導(dǎo)體為通向太空鋪平道路

自硅問(wèn)世以來(lái)，寬帶隙半導(dǎo)體，如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已被證明是電力電子領(lǐng)域最有前途的材料。與傳統(tǒng)的硅基技術(shù)相比，這些材料具有多個(gè)優(yōu)勢(shì)...

2022-08-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 GaN 寬帶隙半導(dǎo)體 1686 0

寬帶隙半導(dǎo)體：到電動(dòng)汽車(chē)及以后

在電力電子領(lǐng)域，硅在過(guò)去的 40 年中已成為主流技術(shù)；今天，硅功率晶體管和二極管是如此普遍和普遍，以這種材料為基礎(chǔ)的設(shè)備在我們的生活中無(wú)處不在。這種采用...

2022-08-05 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體 1073 0

如何賦能新一代寬帶隙半導(dǎo)體？這三類(lèi)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器了解一下~

在電力電子領(lǐng)域，為了最大限度地降低開(kāi)關(guān)損耗，通常希望開(kāi)關(guān)時(shí)間短。然而快速開(kāi)關(guān)同時(shí)隱藏了高壓瞬變的危險(xiǎn)，這可能會(huì)影響甚至損壞處理器邏輯。因此，必須設(shè)計(jì)更高...

2023-11-17 標(biāo)簽：亞德諾寬帶隙半導(dǎo)體 1012 0

寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體助力可持續(xù)電動(dòng)汽車(chē)電源轉(zhuǎn)換，頂部冷卻(TSC)技術(shù)提升熱性能

現(xiàn)如今，全球移動(dòng)出行領(lǐng)域正處于一個(gè)重大轉(zhuǎn)變之中，電動(dòng)汽車(chē)(EV)銷(xiāo)量激增，各國(guó)政府和消費(fèi)者也在努力低碳出行減輕氣候變化的影響，預(yù)計(jì)到2030年，電動(dòng)汽車(chē)...

2024-06-27 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)電源 SiC 939 0

寬帶隙半導(dǎo)體提高新型功率器件的效率

效率是所有工業(yè)部門(mén)的驅(qū)動(dòng)力，包括消費(fèi)部門(mén)。在電子系統(tǒng)中，效率會(huì)導(dǎo)致性能限制以及使用壽命縮短。然而，更高的效率推動(dòng)行業(yè)朝著更高的功率密度發(fā)展，并有可能擁有...

2022-08-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件寬帶隙半導(dǎo)體 904 0

在航天和衛(wèi)星動(dòng)力系統(tǒng)中使用寬帶隙半導(dǎo)體要克服三個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn)

寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體在電源轉(zhuǎn)換方面具備幾個(gè)優(yōu)勢(shì)，如功率密度和效率更高，同時(shí)可通過(guò)允許使用更小無(wú)源元器件的高頻開(kāi)關(guān)，減少系統(tǒng)尺寸和重量。這些優(yōu)勢(shì)在航...

2023-09-20 標(biāo)簽：得捷電子寬帶隙半導(dǎo)體 903 0

為什么說(shuō)這兩種寬帶隙半導(dǎo)體將成為數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)的新寵？

數(shù)據(jù)中心在日益數(shù)字化、互聯(lián)化和虛擬化的世界中發(fā)揮著關(guān)鍵和重要的作用。由于數(shù)據(jù)中心有巨大的能源需求，因此需要能夠減少電力損失、提高效率和加強(qiáng)熱控制的電源解...

2023-10-04 標(biāo)簽：得捷電子寬帶隙半導(dǎo)體 824 0

用于電動(dòng)汽車(chē)的寬帶隙半導(dǎo)體

我們與 ROHM Semiconductor 的電源系統(tǒng)總監(jiān) Aly Mashaly 就這個(gè)不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)進(jìn)行了交談。使用電力驅(qū)動(dòng)的車(chē)輛而不是化石燃料...

2022-07-28 標(biāo)簽：電動(dòng)車(chē)半導(dǎo)體功率器件 816 0

寬帶隙半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)

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電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立，是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國(guó)電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國(guó)電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車(chē)駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因?yàn)檫@是從“Tesla”這個(gè)英文名直接音譯過(guò)來(lái)的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬(wàn)伏的高頻電壓。
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電路過(guò)電流過(guò)電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動(dòng)機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過(guò)大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車(chē)在牽引、電阻制動(dòng)或自負(fù)載工況下，對(duì)主電路的過(guò)電流和過(guò)電壓均進(jìn)行保護(hù)。
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過(guò)零檢測(cè)指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過(guò)零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測(cè)。可作開(kāi)關(guān)電路或者頻率檢測(cè)。漏電開(kāi)關(guān)的漏電檢測(cè)是檢測(cè)零序電流。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
VHF

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AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）=AI（人工智能）+IoT（物聯(lián)網(wǎng)）。 AIoT融合AI技術(shù)和IoT技術(shù)，通過(guò)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)生、收集海量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于云端、邊緣端，再通過(guò)大數(shù)據(jù)分析，以及更高形式的人工智能，實(shí)現(xiàn)萬(wàn)物數(shù)據(jù)化、萬(wàn)物智聯(lián)化，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與人工智能追求的是一個(gè)智能化生態(tài)體系，除了技術(shù)上需要不斷革新，技術(shù)的落地與應(yīng)用更是現(xiàn)階段物聯(lián)網(wǎng)與人工智能領(lǐng)域亟待突破的核心問(wèn)題。
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74LS00是一個(gè)內(nèi)部擁有四個(gè)獨(dú)立的二輸入與非門(mén)電路，它滿足與非門(mén)的邏輯功能，可以實(shí)現(xiàn)與非門(mén)的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX
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功率放大器（英文名稱(chēng)：power amplifier），簡(jiǎn)稱(chēng)“功放”，是指在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動(dòng)某一負(fù)載（例如揚(yáng)聲器）的放大器。

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