半導體功率轉(zhuǎn)換拓撲架構(gòu)和挑戰(zhàn) 寬帶隙半導體的技術進展

功率轉(zhuǎn)換器設計者的終極目標是以最高效率將來自配電系統(tǒng)（公用事業(yè)AC或DC匯流排）電壓轉(zhuǎn)換為不同DC或AC電平。

2021-03-08 標簽：意法半導體寬帶隙器件寬帶隙半導體 4522 0

突破200 kHz：電力電子硬件在環(huán)(HIL)測試的創(chuàng)新解決方案

“萬物電氣化”影響著社會和工業(yè)的各個領域。為了實現(xiàn)可持續(xù)性發(fā)展的經(jīng)濟轉(zhuǎn)型，需要低成本且高效的電力電子技術來滿足各種應用需求。這不僅要求為每個特定應用開發(fā)...

2025-03-18 標簽：測試HIL電動化 322 0

寬帶隙器件的應用有哪些

寬帶隙 （WBG） 半導體器件的集成在多種技術應用中作為硅技術的替代品是一個不斷增長的市場，它可以提供效率和功率密度的改進，這對能源和成本節(jié)約有很大的影...

2022-04-22 標簽：半導體器件寬帶隙器件 2522 0

寬帶隙技術對電源轉(zhuǎn)換器的好處

眾所周知，與硅相比，碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 等寬帶隙 （WBG） 半導體可提供卓越的性能。這些包括更高的效率、更高的開關頻率、更高的工...

2022-04-22 標簽：半導體電源轉(zhuǎn)換器寬帶隙器件 2295 0

寬帶隙半導體：到電動汽車及以后

在電力電子領域，硅在過去的 40 年中已成為主流技術；今天，硅功率晶體管和二極管是如此普遍和普遍，以這種材料為基礎的設備在我們的生活中無處不在。這種采用...

2022-08-05 標簽：電動汽車轉(zhuǎn)換器半導體 1073 0

使用 WBG 半導體進行設計需要一些額外的專業(yè)知識

電磁干擾、并聯(lián)、布局都是工程師懂的東西，但是從硅基芯片過渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r，就需要多注意這些問題了

2022-08-18 標簽：半導體SiCGaN 1068 0

理想封裝設計的碳化硅陶瓷基板及寬帶隙器件

? ? ? 針對要求最嚴苛的功率開關應用的功率分立元件和模塊的封裝趨勢，從而引入改進的半導體器件。即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶隙類型，將顯...

2022-11-16 標簽：封裝陶瓷基板寬帶隙器件 999 0

寬帶隙器件如何在汽車雙向電源轉(zhuǎn)換中增加價值

寬帶隙（WBG）開關器件由于其高速度和高效率而得到應用，這種器件可減小功率轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和損耗。

2020-04-14 標簽：電源轉(zhuǎn)換寬帶隙器件 855 0

寬帶隙器件對于下一代空間系統(tǒng)的發(fā)展具有重要意義

　長期以來，硅基器件一直是半導體領域的基準標準。從 2007 年開始，由于摩爾定律的失敗，復合材料被開發(fā)出來，特別關注寬帶隙半導體，因為它們利用了重要的...

2022-09-11 標簽：傳感器氮化鎵半導體器件 835 0

Nexperia與科世達達成合作 共同推進汽車應用寬帶隙器件的生產(chǎn)

近日，全球領先的半導體公司Nexperia宣布與知名汽車供應商科世達(KOSTAL)建立戰(zhàn)略合作伙伴關系。這一合作將專注于開發(fā)和生產(chǎn)符合汽車行業(yè)嚴格規(guī)范...

2024-11-06 標簽：Nexperia科世達寬帶隙器件 780 0

認證效率高達33.10%，基于寬帶隙表面重構(gòu)技術實現(xiàn)高效鈣鈦礦/硅串聯(lián)太陽能電池

寬帶隙鈣鈦礦太陽能電池對鈣鈦礦/硅疊層的發(fā)展至關重要，但寬帶隙鈣鈦礦太陽能電池表面缺陷多，會導致嚴重的界面載流子損失和相分離，影響電池性能。研究通過納米...

2024-12-18 標簽：太陽能電池鈣鈦礦寬帶隙器件 748 0