完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>
標(biāo)簽 > 開關(guān)損耗
文章：55個(gè) 瀏覽：13683次 帖子：15個(gè)
雜散電感對(duì)IGBT開關(guān)過程的影響(1)
IGBT的開關(guān)損耗特性研究對(duì)IGBT變流器設(shè)計(jì)具有重要的意義，在有結(jié)構(gòu)緊湊性要求或可靠性要求較高或散熱條件特殊的場(chǎng)合，都需要嚴(yán)格按器件損耗特性進(jìn)行大余量...
安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術(shù)已經(jīng)發(fā)布。M3S MOSFET 的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗均較低，提供 650 V 和 ...
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的開關(guān)...
2024-09-14 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體開關(guān)損耗 1597 0
MOSFET的操作可以分為兩種基本模式：線性模式和開關(guān)模式。在線性模式下，晶體管的柵源電壓足以使電流通過通道，但通道電阻相對(duì)較高。通道上的電壓和通過通道...
2024-06-13 標(biāo)簽：MOSFET晶體管開關(guān)損耗 2200 0
電源開關(guān)損耗是電子電路中一個(gè)重要的性能指標(biāo)，它反映了開關(guān)器件在開關(guān)過程中產(chǎn)生的能量損失。準(zhǔn)確測(cè)量電源開關(guān)損耗對(duì)于優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、提高系統(tǒng)效率具有重要意義。...
2024-05-27 標(biāo)簽：示波器電源開關(guān)開關(guān)損耗 1773 0
使用Cauer網(wǎng)絡(luò)仿真熱行為與對(duì)開關(guān)損耗影響的評(píng)估
過去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型，它們主要適用于簡(jiǎn)單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當(dāng)涉及到功率器件時(shí)，這些簡(jiǎn)單的模型通常無法預(yù)測(cè)與為優(yōu)化器件...
Ton和Toff已經(jīng)接近圖二要求的時(shí)間，MOS管24V時(shí)帶載27歐，輸出功率21.3W，輸出電壓正常，MOS管基本不發(fā)熱。 總結(jié)一：MOS管發(fā)熱原因小結(jié)...
2023-12-11 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)限流電阻開關(guān)損耗 1134 0
問題1：在功率MOSFET管應(yīng)用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負(fù)載開關(guān)的功率MOSFET管導(dǎo)通時(shí)間計(jì)算，通常取多少比較好？相應(yīng)的PCB設(shè)計(jì)，銅箔面積布設(shè)多大散...
2023-12-03 標(biāo)簽：負(fù)載開關(guān)功率MOSFET管MOSFET管 1531 0
MOSFET 的選擇關(guān)乎效率，設(shè)計(jì)人員需要在其傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間進(jìn)行權(quán)衡。傳導(dǎo)損耗發(fā)生在在 MOSFET 關(guān)閉期間，由于電流流過導(dǎo)通電阻而造成；開關(guān)...
由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。
詳解MOS管的米勒效應(yīng)、開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、續(xù)流損耗
要比喻的話，三極管像綠皮車，MOS管像高鐵。
2023-08-21 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 4721 0
MOS 管的開關(guān)損耗對(duì)ＭOS 管的選型和熱評(píng)估有著重要的作用，尤其是在高頻電路中，比如開關(guān)電源，逆變電路等。
CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡(jiǎn)單了。
2023-07-17 標(biāo)簽：開關(guān)電源MOS管DCM 1.6萬 0
引言：上節(jié)（傳送門：DC-DC-21：如何選擇DC-DC的開關(guān)頻率-1簡(jiǎn)述了DC-DC的工作頻率定義和基本的頻率影響因素，本節(jié)簡(jiǎn)述開關(guān)頻率的另一個(gè)選擇考...
2023-07-04 標(biāo)簽：PCBDC-DC開關(guān)頻率 3391 0
效率一直以來都是電源領(lǐng)域的研究重點(diǎn)，尤其在一些小體積高功率密度的電源系統(tǒng)中尤為重要。比如，適配器電源、模塊電源、服務(wù)器用電源等。近年來，第三代GaN半導(dǎo)...
目前電力電子設(shè)備的發(fā)展趨勢(shì)都是小型化，同時(shí)對(duì)裝置的效率和電磁兼容性有著很高的要求。 設(shè)備向著高頻化的方向發(fā)展，這樣可以減小濾波器、變壓器等器件的體積和重...
2023-04-11 標(biāo)簽：變壓器開關(guān)電路濾波器 1.5萬 0
MOSFET選型注意事項(xiàng)及應(yīng)用實(shí)例
MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于：首先驅(qū)動(dòng)電路比較簡(jiǎn)單。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小...
在調(diào)寬狀態(tài)當(dāng)占空比較小的時(shí)候，由圖 2可知調(diào)寬橋臂MOS管Sa和Sb的驅(qū)動(dòng)信號(hào)有很長(zhǎng)一段時(shí)間處于低電平，諧振電流只能流過MOS管的體二極管。一旦諧振電流...
MOS管在電源應(yīng)用中作為開關(guān)用時(shí)將會(huì)導(dǎo)致一些不可避免的損耗，這些損耗可以分為兩類。
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |
關(guān)注我們的微信
下載發(fā)燒友APP
電子發(fā)燒友觀察
版權(quán)所有 ? 湖南華秋數(shù)字科技有限公司
長(zhǎng)沙市望城經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)航空路6號(hào)手機(jī)智能終端產(chǎn)業(yè)園2號(hào)廠房3層（0731-88081133）
電子發(fā)燒友 （電路圖） 湘公網(wǎng)安備43011202000918
工商網(wǎng)監(jiān)
湘ICP備2023018690號(hào)-1
