完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > 開關(guān)損耗
文章:55個(gè) 瀏覽:13683次 帖子:15個(gè)
為獲得絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)在工作過程中準(zhǔn)確的功率損耗,基于數(shù)學(xué)模型及測試,建立了 一種準(zhǔn)確計(jì)算功率逆變器損耗模型的方法。通過雙脈沖測試對影響...
近幾年主流芯片制造廠商,包括Infineon, Fuji, Mitsubishi等都相繼問世了第七代芯片,在芯片大小,芯片厚度,飽和壓降,開關(guān)損耗等權(quán)衡...
探討高輸出電流應(yīng)用時(shí)的注意事項(xiàng) 其1
上一篇文章介紹了輸入電壓升高時(shí)損耗增加的部分、注意事項(xiàng)及相應(yīng)的對策。本文將介紹在探討輸出電流較大的應(yīng)用時(shí)應(yīng)該注意的兩個(gè)事項(xiàng)之一。探討高輸出電流應(yīng)用時(shí)的注...
2023-02-23 標(biāo)簽:MOSFET輸出電流開關(guān)損耗 1029 0
DC/DC評估篇損耗探討-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的開關(guān)損耗
上一篇文章中探討了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的功率開關(guān)--輸出端MOSFET的傳導(dǎo)損耗。本文將探討開關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開關(guān)損耗。開關(guān)損耗:見文識意,開關(guān)損耗就是開關(guān)工...
2023-02-23 標(biāo)簽:MOSFET降壓轉(zhuǎn)換器開關(guān)損耗 1365 0
通過驅(qū)動器源極引腳將開關(guān)損耗降低約35%
-接下來,請您介紹一下驅(qū)動器源極引腳是如何降低開關(guān)損耗的。首先,能否請您對使用了驅(qū)動器源極引腳的電路及其工作進(jìn)行說明?Figure 4是具有驅(qū)動器源極引...
2023-02-16 標(biāo)簽:驅(qū)動器引腳開關(guān)損耗 924 0
通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗-電路板布線布局相關(guān)的注意事項(xiàng)
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?由于具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L封裝和不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝的引腳分配不同,因此在圖案布局時(shí)需要注意。
通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗-有無驅(qū)動器源極引腳的差異及其效果
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具備驅(qū)動器源極引腳,可以消除VLSOURCE對VGS_INT的影響。?具備驅(qū)動器源極引腳,可以提高導(dǎo)通速度。
通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗-傳統(tǒng)的MOSFET驅(qū)動方法
MOSFET和IGBT等電源開關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關(guān)器件產(chǎn)生的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗,但不同的應(yīng)用其降低損耗的...
開關(guān)電源內(nèi)部主要損耗要提高開關(guān)電源的效率,就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面:開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這...
2023-01-29 標(biāo)簽:開關(guān)電源開關(guān)損耗導(dǎo)通損耗 1055 0
MOS管怎么用?從認(rèn)識米勒效應(yīng)、開關(guān)損耗、參數(shù)匹配及選型入手
要比喻的話,三極管像綠皮車,MOS管像高鐵。
MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上,PFC MOSFET的開關(guān)損耗...
通態(tài)損耗Ps。大體來講,通態(tài)損耗等于集電極電流和IGBT管飽和壓降的乘積即:Ps=Ic*Uces。
2022-10-13 標(biāo)簽:IGBT續(xù)流二極管開關(guān)損耗 2936 0
有源鉗位反激轉(zhuǎn)換器如何比傳統(tǒng)QRF運(yùn)行得更快
QRF 功率轉(zhuǎn)換器是 150W 或更低輸出功率范圍內(nèi)的低功率離線應(yīng)用的熱門選擇,原因有很多
2022-08-10 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器電源轉(zhuǎn)換器開關(guān)損耗 6047 0
盡管硅是電子產(chǎn)品中使用最廣泛的半導(dǎo)體,但最近的研究表明它有一些局限性,特別是在高功率應(yīng)用中。帶隙是基于半導(dǎo)體的電路的一個(gè)相關(guān)因素,因?yàn)楦邘对诟邷亍㈦妷?..
2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)損耗 1591 0
IGBT開關(guān)損耗產(chǎn)生的原因與PiN二極管的正向恢復(fù)特性
大家好,這期我們再聊一下IGBT的開關(guān)損耗,我們都知道IGBT開關(guān)損耗產(chǎn)生的原因是開關(guān)暫態(tài)過程中的電壓、電流存在交疊部分,由于兩者都為正,這樣就會釋放功...
2022-04-19 標(biāo)簽:二極管IGBT開關(guān)損耗 5409 0
通過AI嵌入實(shí)現(xiàn)EV范圍提高多達(dá)12%
Pre-Switch通過將AI嵌入到FPGA中來解決這一挑戰(zhàn),該FPGA用于精確控制輔助諧振晶體管的時(shí)序,如圖1所示為S1和S2。
2021-03-16 標(biāo)簽:fpgaAI開關(guān)損耗 9741 0
提升電源效率帶LLC的PFC常規(guī)模擬控制設(shè)計(jì)解決方案
最近幾十年,電源的效率要求發(fā)展迅猛,與曾經(jīng)教科書中描述的要求大相徑庭,實(shí)現(xiàn)既定額定條件下的高效率只是設(shè)計(jì)的第一步,而真正完全合格且具有競爭力的電源設(shè)計(jì)必...
2020-12-18 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)EMI濾波器LLC 6016 0
關(guān)于開關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開關(guān)損耗問題探討
同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的同步開關(guān)(高邊+低邊)是對VIN和GND電壓進(jìn)行切換(ON/OFF),該過渡時(shí)間的功率乘以開關(guān)頻率后的值即開關(guān)損耗。
2020-04-06 標(biāo)簽:降壓轉(zhuǎn)換器開關(guān)損耗 1164 0
一個(gè)高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達(dá)95%,而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件(MOSFET和二極管),所以正確的測量開關(guān)器件的損耗,對于效率分析是非常關(guān)鍵的。
2019-07-31 標(biāo)簽:開關(guān)電源開關(guān)損耗 6512 0
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |