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標簽 > 晶體管
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關速度可以非常快，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關速度可以非常快，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
2016年，勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm，完成了計算技術界的一大突破。
嚴格意義上講，晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，包括各種半導體材料制成的二極管、三極管、場效應管、可控硅等。晶體管有時多指晶體三極管。
晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。
晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極（Base） 和集電極（Collector）;場效應晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。
晶體管因為有三種極性，所以也有三種的使用方式，分別是發(fā)射極接地（又稱共射放大、CE組態(tài)）、基極接地（又稱共基放大、CB組態(tài)）和集電極接地（又稱共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨耦器）。
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關速度可以非常快，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
2016年，勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm，完成了計算技術界的一大突破。
嚴格意義上講，晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，包括各種半導體材料制成的二極管、三極管、場效應管、可控硅等。晶體管有時多指晶體三極管。
晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。
晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極（Base） 和集電極（Collector）;場效應晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。
晶體管因為有三種極性，所以也有三種的使用方式，分別是發(fā)射極接地（又稱共射放大、CE組態(tài)）、基極接地（又稱共基放大、CB組態(tài)）和集電極接地（又稱共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨耦器）。
隨著半導體器件特征尺寸不斷微縮，對高質量薄膜材料的需求愈發(fā)迫切。外延技術作為一種在半導體工藝制造中常用的單晶薄膜生長方法，能夠在單晶襯底上按襯底晶向生長...
晶體管輸出型光耦的性能，取決于其輸入參數(shù)、輸出參數(shù)和傳輸特性，傳輸特性決定著其電性能傳送能力和特點。其中最重要的參數(shù)為電流傳輸比(Currenttran...
在芯片的硅基世界中，硼離子注入（Boron Implant） 如同納米級的外科手術——通過精準控制高能硼原子打入晶圓特定區(qū)域，構建出晶體管性能的“地基”...
對碳化硅技術進行商業(yè)化應用時，需要持續(xù)關注材料缺陷、器件可靠性和相關封裝技術。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實用知識，幫助了解碳化硅如何為功率半導...
不管是車載高頻逆變器還是太陽能離網工頻逆變器存在有推挽拓撲、全橋拓撲電路，而在電路開發(fā)的過程中工程師是需要結合不同的電路特性來選型的。因此對于推挽拓撲、...
在5納米以下的芯片制程中，晶體管柵極介質層的厚度已縮至1納米以下（約5個原子層）。此時，傳統(tǒng)二氧化硅（SiO?）如同漏水的薄紗，電子隧穿導致的漏電功耗可...
這些指令主要是針對用 PLC 直接聯(lián)動伺服放大器，目的是可以不借助其他擴展設備(例如1GM 模塊)來進行簡單的點位控制， 使用這些指令時最好配合三菱的伺...
芯片的設計理念眾所周知，芯片擁有極為復雜的結構。以英偉達的B200芯片為例，在巴掌大的面積上，塞入了2080億個晶體管。里面的布局，堪稱一個異次元空間級...
Analog Devices Inc. ADPA7007 GaAs pHEMT MMIC功率放大器數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices ADPA7007 GaAs pHEMT MMIC功率放大器是一款假晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、單片微波集成電路 ...
隨著技術的飛速發(fā)展，商業(yè)、工業(yè)及汽車等領域對耐高溫集成電路（IC）的需求持續(xù)攀升?。高溫環(huán)境會嚴重制約集成電路的性能、可靠性和安全性，亟需通過創(chuàng)新技術手...
ULN2003 7通道SOP16封裝達林頓晶體管驅動器英文手冊立即下載
類別：IC datasheet pdf 2025-04-17 標簽：晶體管達林頓晶體管
MJE13005D高壓快速開關NPN功率晶體管英文手冊立即下載
類別：IC datasheet pdf 2025-03-21 標簽：晶體管NPN
大族數(shù)控攜最新激光解決方案亮相JPCA SHOW 2025
此前，2025年6月4日至6日，大族數(shù)控攜最新激光解決方案重磅亮相日本JPCA SHOW。作為亞洲電子電路產業(yè)的標桿盛會，JPCA SHOW2025匯聚...
喜報 |捷捷微電榮獲銳捷“最佳質量進步獎”，晶體管品類唯一獲獎供應商！
近日，在星網銳捷舉辦的《2024年供應商質量總結及2025年質量戰(zhàn)路發(fā)布會》上，江蘇捷捷微電子股份有限公司憑借在產品質量管控方面的卓越表現(xiàn)，榮獲“最佳質...
圓柱電芯大范圍應用于數(shù)碼設備、電動工具、儲能系統(tǒng)及新能源汽車等領域，隨著新能源行業(yè)的發(fā)展，對電芯制造過程中的焊接工藝提出了更高要求。BT-850XZ晶體...
什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組？特性是什么？主要應用哪里？
IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT（絕緣柵雙極型晶體管） ? 電力電子領域核心開關器件，通過柵極電壓...
英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)...
在純電動汽車的眾多電子系統(tǒng)中，功率電子設備是核心所在，而半導體在其能源管理中發(fā)揮著關鍵作用，確保能源的高效使用。由碳化硅制成的金屬氧化物半導體場效應晶體...
IGBT的靜態(tài)參數(shù)有哪些？怎樣去精確測量這些參數(shù)呢？
IGBT靜態(tài)參數(shù)是評估其正常工作狀態(tài)下電學特性的關鍵指標，主要包含以下核心參數(shù)及定義： 一、基本靜態(tài)參數(shù) ? 柵極-發(fā)射極閾值電壓（VGE(th)） ?...
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種復合型功率半導體器件，結合了?雙極型晶體管（BJT）?和?絕緣柵型場效應管（MOSFET）?的技術優(yōu)勢，廣泛應用于高...
晶體管我們經常說的參數(shù)有哪些？怎樣去測量這些參數(shù)？
晶體管參數(shù)分類及說明 晶體管參數(shù)可從性能極限、電學特征、頻率特性等維度劃分，以下是綜合參數(shù)分類及關鍵定義： 一、?極限參數(shù)（最大耐受值）? ?電壓參數(shù)?...
2025-05-16 標簽：晶體管 169 0
晶體管（Transistor）是一種?半導體器件?，用于?放大電信號?、?控制電流?或作為?電子開關?。它是現(xiàn)代電子技術的核心元件，幾乎所有電子設備（從...
2025-05-16 標簽：晶體管 477 0
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