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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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IGBT模塊銀燒結(jié)工藝大揭秘,成本降低與性能提升雙贏策略
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)作為其中的核心功率器件,在電力轉(zhuǎn)換和電機(jī)控制等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。為了提高IGBT模塊的可靠性和...
中科院提出名為“Zhejiang”的大芯片將使用22 納米工藝制造
光罩限制(光穿過芯片掩模以在硅晶圓上蝕刻晶體管的孔徑大小)不僅定義了小芯片的設(shè)計(jì)方式,而且還限制了離散計(jì)算和內(nèi)存塊的大小單個(gè)晶圓。
碳納米管晶體管兼容已有半導(dǎo)體制程工藝,解決碳納米管均勻可控?fù)诫s難題
研究中,他們提出了一種頂柵互補(bǔ)碳納米管金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)(Top Gate complementary CNT MOSFETs)。在該...
隨著QC處理器供應(yīng)商、有針對(duì)性的經(jīng)典控制系統(tǒng)供應(yīng)商、QC系統(tǒng)集成商、軟件編排公司以及越來越多的特定行業(yè)QC應(yīng)用開發(fā)商帶來更多機(jī)會(huì),QC生態(tài)系統(tǒng)正變得越來...
2024-01-04 標(biāo)簽:處理器控制系統(tǒng)晶體管 1041 0
IGBT的低電磁干擾特性 IGBT是一種在功率電子領(lǐng)域中常用的晶體管器件。它由一個(gè)IGBT芯片和一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路組成,用于控制高電壓和高電流的開關(guān)操作。相比...
ESD靜電二極管的基本概念 ESD靜電二極管封裝形式 esd二極管有極性嗎? ESD靜電二極管是一種用來防止靜電放電對(duì)電子器件和電路造成損害的保護(hù)裝置。...
CFET將開啟三維晶體管結(jié)構(gòu)新紀(jì)元?
CFET結(jié)構(gòu)“初露端倪”,讓業(yè)界看到了晶體管結(jié)構(gòu)新的發(fā)展前景。然而,業(yè)內(nèi)專家預(yù)估,CFET結(jié)構(gòu)需要7~10年才能投入商用。
2024-01-02 標(biāo)簽:英特爾場(chǎng)效應(yīng)管臺(tái)積電 1816 0
日本團(tuán)隊(duì)開發(fā)出一種“常關(guān)”鉆石 MOSFET
MOSFET是一種MOS結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),具有高速、低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓的特點(diǎn),特別適合作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)的開關(guān)元件,高速開關(guān)大電流等已經(jīng)完成。
2023-12-29 標(biāo)簽:MOSFET晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 697 0
為達(dá)成此目標(biāo),公司正加緊推進(jìn)N2和N2P級(jí)別的2nm制造節(jié)點(diǎn)研究,并同步發(fā)展A14和A10級(jí)別的1.4nm加工工藝,預(yù)計(jì)到2030年可以實(shí)現(xiàn)。此外,臺(tái)積...
英特爾:2030年前實(shí)現(xiàn)單個(gè)封裝內(nèi)集成1萬億個(gè)晶體管
12月9日,英特爾在IEDM 2023(2023 IEEE 國際電子器件會(huì)議)上展示了使用背面電源觸點(diǎn)將晶體管縮小到1納米及以上范圍的關(guān)鍵技術(shù)。英特爾表...
CMOS 邏輯由至少兩個(gè)晶體管組成:一個(gè) n 溝道 MOS FET 和一個(gè) p 溝道 MOS FET。晶體管數(shù)量最少的邏輯電路是反相器(邏輯反相電路),...
半導(dǎo)體行業(yè)將從設(shè)備時(shí)代過渡到材料時(shí)代
美國耗材制造商Entegris的首席技術(shù)官James O‘Neill指出,現(xiàn)如今,控制“更為精密”半導(dǎo)體工藝技術(shù)的責(zé)任已悄然轉(zhuǎn)移至先進(jìn)的硅晶圓加工材料及...
Intel 14代酷睿非K系列型號(hào)即將發(fā)布
首批六款K系列型號(hào)之后,Intel將在2024年1月7日,也就是大戰(zhàn)期間,正式解禁14代酷睿的非K系列型號(hào)。
由于中科二期擴(kuò)建先前已獲臺(tái)中市都市計(jì)劃委員會(huì)通過變更案,內(nèi)政部昨天審議通過,符合臺(tái)積電內(nèi)部預(yù)期,因此公司除了感謝相關(guān)單位協(xié)助外,不對(duì)此案后續(xù)規(guī)劃做任何回應(yīng)。
半導(dǎo)體行業(yè)邁入"材料時(shí)代",創(chuàng)新材料至關(guān)重要
他強(qiáng)調(diào)了材料領(lǐng)域的創(chuàng)新對(duì)于提升半導(dǎo)體元件生產(chǎn)效率至關(guān)重要。對(duì)此,默克集團(tuán)電子業(yè)務(wù)總經(jīng)理凱·貝克曼 (Kai Beckmann) 亦持相同看法,并贊同未來...
英飛凌科技推出集成溫度傳感器全新CoolMOS S7T產(chǎn)品系列
SSR是各種電子設(shè)備的基本配置,如果能夠?qū)鞲衅骱统Y(jié) MOSFET集成到同一封裝中,客戶便可以獲得多方面的好處。
在經(jīng)歷了近十年和五個(gè)主要節(jié)點(diǎn)以及一系列半節(jié)點(diǎn)之后,半導(dǎo)體制造業(yè)將開始從 FinFET過渡到3nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)上的全柵堆疊納米片晶體管架構(gòu)。 相對(duì)于FinFE...
帕特·基辛格進(jìn)一步預(yù)測(cè),盡管摩爾定律顯著放緩,到2030年英特爾依然可以生產(chǎn)出包含1萬億個(gè)晶體管的芯片。這將主要依靠新 RibbonFET晶體管、Pow...
IBM發(fā)布首款專為液氮冷卻設(shè)計(jì)的CMOS晶體管
IBM突破性研發(fā)的納米片晶體管,通過將硅通道薄化切割為納米級(jí)別的薄片,再用柵極全方位圍繞,實(shí)現(xiàn)更為精準(zhǔn)控電。此結(jié)構(gòu)使得在指甲蓋大小空間內(nèi)可容納最多達(dá)50...
IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點(diǎn)下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計(jì)將帶來多項(xiàng)技術(shù)進(jìn)步,并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興...
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