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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
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MOSFET開關(guān)中電壓尖峰的形成原因、后果及解決方案
功率場效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),簡稱功率MOSFE...
海力士:引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革
柵極由絕緣膜(柵氧化層, gate oxide)和電極(柵電極, gate electrode)組成,在晶體管開關(guān)功能中發(fā)揮主要作用。柵氧化層由SiON...
高頻開關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個例子,它由一個SiC JFET和一個硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。本文追溯...
AiP2003是單片集成高耐壓、大電流達林頓管陣列,電路內(nèi)部包含七個獨立的達林頓管驅(qū)動單路。電路內(nèi)部設(shè)計有續(xù)流二極管,可用于驅(qū)動繼電器、步進電機等電感性...
2022-11-10 標(biāo)簽:晶體管 6483 1
為了提高隧道開關(guān)器件在 ON/OFF 電流比、亞閾值擺幅和 ON 電流密度方面的性能,一些研究試圖開發(fā)僅使用硅和 III-V 半導(dǎo)體或 2D 半導(dǎo)體的器件。
2022-11-10 標(biāo)簽:三極管晶體管場效應(yīng)晶體管 1594 0
不要用PLC輸出直接驅(qū)動接觸器和電磁閥,要通過中間繼電器隔離一下,直接驅(qū)動感性負載可能會燒壞輸出點。每組輸出的公共端前接2A的斷路器。
SK海力士引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革
組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數(shù)據(jù)的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復(fù)數(shù)據(jù)的核心晶體管(Core Transist...
聯(lián)發(fā)科天璣9200發(fā)布,安兔兔跑分超過126W
聯(lián)發(fā)科在本周發(fā)布了天璣9200,此次采用了臺積電第二代 4nm?工藝,集成了170億個晶體管,創(chuàng)新散熱封裝設(shè)計,將散熱能力提升了10%,CPU峰值功耗降...
2022-11-09 標(biāo)簽:聯(lián)發(fā)科臺積電soc 2319 0
或者,如果您正在構(gòu)建的電路需要不同的電壓電平。假設(shè)您有一個電路,其中的微控制器需要5V,電機需要12V。您可以只使用一個12V電源,并添加一個為微控制器...
2022-11-09 標(biāo)簽:電感器線性穩(wěn)壓器晶體管 2475 0
交換式電源IC TLV61220的工作原理及應(yīng)用
上一回我們利用MadisKaal的在線的設(shè)計工具示范了MC34063的設(shè)計及零件選用的過程,以及在不同特性之間取舍的設(shè)計迭代過程。我們在計算漣波電壓與輸...
化學(xué)機械拋光工藝(Chemical Mechanical Polishing,CMP)
CMP 所采用的設(shè)備及耗材包括拋光機、拋光液(又稱研磨液)、拋光墊、拋光后清洗設(shè)備、拋光終點(End Point)檢測及工藝控制設(shè)備、廢物處理和檢測設(shè)備等。
開關(guān)在不同信號之間提供了切換,使得從輸入到輸出的插入損耗更少。在非阻塞矩陣配置中,輸出端口之間的隔離度通常由功率合成器的隔離度決定,隔離度越高,信號相互...
2022-11-07 標(biāo)簽:測試系統(tǒng)晶體管分配器 1104 0
Wolfspeed的CGHV59070是內(nèi)部相匹配的;氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。CGHV59070;從50伏軌道運行;提供一般應(yīng)用...
2022-11-07 標(biāo)簽:晶體管 545 0
JL-2系列之JL-206NEMA接口旋鎖式數(shù)控光控開關(guān)(反比例)
該系列產(chǎn)品設(shè)計了帶有紅外濾波光晶體管的微處理器電路,并配備電涌放電器(MOV)。此外,預(yù)設(shè)的5-20秒的時間延遲控制功能可以避免夜間由于聚光燈或閃電造成...
一種無晶體管的內(nèi)存計算架構(gòu)的原理和器件物理特性
為了推進人工智能,賓夕法尼亞大學(xué)的研究人員最近開發(fā)了一種新的內(nèi)存計算 (CIM) 架構(gòu),用于數(shù)據(jù)密集型計算。CIM 在大數(shù)據(jù)應(yīng)用方面具有諸多優(yōu)勢,UPe...
2022-11-03 標(biāo)簽:晶體管人工智能大數(shù)據(jù) 819 0
2022年功率晶體管銷售額有望增長11%,預(yù)計達245億美元
功率晶體管市場預(yù)計將在 2024 年開始另一個增長周期,到 2026 年,年銷售額將穩(wěn)步增長,達到 289 億美元,復(fù)合年增長率 (CAGR) 有望達到...
圖1所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極。溝道...
氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET產(chǎn)品多方面的對比與分析
氮化鎵晶體管和碳化硅 MOSFET是近兩三年來新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通電阻小,寄生參數(shù)...
Chiplet的基礎(chǔ):異構(gòu)與高速互聯(lián)共同塑造的里程碑
伴隨著計算機在人類現(xiàn)代生活中承擔(dān)越來越多的處理工作,計算機體系結(jié)構(gòu)的異構(gòu)趨勢會愈發(fā)明顯,需要的芯片面積也會越來越大,同時也需要如電源管理 IC 等芯片與...
在功能上確保每一步設(shè)計與實現(xiàn)的流程轉(zhuǎn)換時,能夠保證它的邏輯不要變形,在ASIC設(shè)計與實現(xiàn)各個階段都對應(yīng)有不同的驗證手段和工作。
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