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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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一種用于平面微流控芯片架構(gòu)的先進(jìn)電路概念
類似于雙極晶體管,CVPT是一個(gè)三端控制閥(圖1)。這三個(gè)端子分別稱為基極(B)、發(fā)射極(E)和集電極(C)。當(dāng)作為控制信號(hào)的化學(xué)濃度低于閾值濃度時(shí)(圖...
集成電路的組件及其工作原理 與它們的前輩不同,集成電路能夠?qū)⒏嗟墓β蕢嚎s到更小的空間中。盡管構(gòu)成集成電路的二極管、晶體管和微處理器具有特定的功能,但它...
IP 是現(xiàn)代集成電路設(shè)計(jì)與開發(fā)工作中不可或缺的要素。IP 核(Intellectual Property Core)是指在半導(dǎo)體集成電路設(shè)計(jì)中那些可以重...
即便如此,晶體管數(shù)量的增加趨勢(shì)其實(shí)仍有一定的參考價(jià)值,雖然各大廠商也不能完全遵循這一趨勢(shì),但基本也不會(huì)偏離太遠(yuǎn)。國(guó)外分析師David Schor為此做了...
盡管如此,當(dāng)今技術(shù)的現(xiàn)實(shí)情況是,2D材料只在實(shí)驗(yàn)室中少量配備,以支持學(xué)術(shù)研究。與其急于發(fā)表另一篇關(guān)于石墨烯驚人潛力的研究論文,不如關(guān)注如何開發(fā)在工業(yè)規(guī)模...
Techinsights對(duì)存儲(chǔ)器未來的發(fā)展分析
而主要的 NAND 制造商正在競(jìng)相增加垂直 3D NAND 門的數(shù)量,并推出了 1yyL 3D NAND 設(shè)備。例如,三星 V7 V-NAND、鎧俠和西...
電容往往被人們所忽視。電容既沒有數(shù)十億計(jì)的晶體管,也沒有采用最新的亞微米制造工藝。在許多工程師的心目中,電容不過是兩個(gè)導(dǎo)體加上中間的隔離電解質(zhì)??偠灾?..
盡管SERDES(SERializer/DESerializer)擁有十分復(fù)雜的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證過程,但已成為SoC中不可或缺的組成部分。
集成式高功率密度電機(jī)驅(qū)動(dòng)器減小系統(tǒng)尺寸
有刷直流電機(jī)控制簡(jiǎn)單、成本低廉且功能多樣,非常適合需要集成式大功率可靠電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的汽車負(fù)載,比如車窗升降器、天窗控制、門鎖、鎖存器和發(fā)動(dòng)機(jī)閥門。
2022-07-10 標(biāo)簽:電阻器晶體管電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 1116 0
Mandell引用 VDC Research 的 2020 年物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式和移動(dòng)處理器技術(shù)報(bào)告,預(yù)計(jì)嵌入式 SoC 的全球市場(chǎng)將“在未來幾年繼續(xù)超...
昨天我們了解了芯片是如何設(shè)計(jì)的,也知道了它的完成難度有多高,可但從文字表面我們無法真正體會(huì)到芯片設(shè)計(jì)的難度,那我們今天就來看看設(shè)計(jì)好的芯片內(nèi)部是怎樣的,...
FinFET確切的說,是一個(gè)技術(shù)的代稱。世界上第一個(gè)3D三維晶體管是由英特爾在2011年5月宣布研制成功,當(dāng)時(shí)英特爾稱其為 “Tri-Gate”(三柵極...
在頂級(jí)的硅半導(dǎo)體的芯片中,數(shù)百億個(gè)晶體管遵循這一種被稱為“布爾代數(shù)”的二進(jìn)制邏輯進(jìn)行運(yùn)算。這種邏輯并不高效,但非常靈活而通用,以至于在經(jīng)歷了五十余年以摩...
3nm芯片什么時(shí)候出 3nm芯片有多少個(gè)晶體管
3nm芯片是2020年臺(tái)積電剛剛生產(chǎn)出來的目前最為先進(jìn)的芯片,它對(duì)信息化產(chǎn)業(yè)、通訊產(chǎn)業(yè)具有戰(zhàn)略意義。那么這款3nm芯片什么時(shí)候?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)呢?他又有多少個(gè)晶體管呢?
7nm和14nm的區(qū)別 7nm和14nm哪個(gè)好
在芯片設(shè)計(jì)和制造中,納米表示的是芯片中晶體管與晶體管之間的距離,在體積相同大小的情況下,7nm工藝的芯片容納的晶體管的數(shù)量,幾乎是14nm工藝芯片的2倍。
芯片為什么越小越好,首先我們需要了解芯片的工作原理及制成,目前大多數(shù)芯片都是由微型硅晶體管制成的,這些晶體管的尺寸非常小,一個(gè)芯片上有數(shù)百個(gè)晶體管。
臺(tái)積電正式公布2nm制造技術(shù),首次采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù),而非現(xiàn)在的FinFET鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù),GAAFET技術(shù)將大大降低了漏電流和...
IBM已經(jīng)突破了2nm的芯片研發(fā)技術(shù),2nm芯片最小元件比NDA單鏈還要小,指甲蓋大小的芯片可以容納500億根晶體管,可以在不同的應(yīng)用中提升計(jì)算速度。
先進(jìn)的5納米工藝芯片,每個(gè)晶體管只有20個(gè)硅原子的大小,一塊芯片上,有100億到200億個(gè)的這種晶體管,一個(gè)頭發(fā)絲的截面,就有100多萬個(gè)原件!
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