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晶圓制造

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晶圓制造技術(shù)

芯片設(shè)計(jì)難度大嗎 芯片設(shè)計(jì)難在哪里

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芯片設(shè)計(jì),環(huán)節(jié)眾多,每個(gè)環(huán)節(jié)都面臨很多挑戰(zhàn)。以相對(duì)較為簡單的數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)為例設(shè)計(jì)多采用自頂向下設(shè)計(jì)方式,層層分解后包括: 需求定義:結(jié)合外部環(huán)境...

2023-09-06 標(biāo)簽:fpga集成電路芯片設(shè)計(jì) 1674 0

芯片制造的7個(gè)前道工藝

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本文簡單介紹了芯片制造的7個(gè)前道工藝。 ? 在探索現(xiàn)代科技的微觀奇跡中,芯片制造無疑扮演著核心角色,它不僅是信息技術(shù)飛速發(fā)展的基石,也是連接數(shù)字世界與現(xiàn)...

2025-01-08 標(biāo)簽:芯片制造晶圓制造光刻工藝 1649 0

半導(dǎo)體封裝測試工藝詳解

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半導(dǎo)體:生產(chǎn)過程主要可分為(晶圓制造 Wafer Fabrication) 、(封裝工序 Packaging)、(測試工序 Test) 幾個(gè)步驟。

2023-08-17 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體封裝測試 1623 0

中國碳化硅襯底價(jià)格2024年快速滑落 800V的春天看來要到了

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國際半導(dǎo)體IDM廠商,如意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美、羅姆電子等,在中國市場仍然占據(jù)碳化硅元件的重要地位。消息人士補(bǔ)充,外國汽車品牌或與中國合資的汽車品牌...

2024-03-14 標(biāo)簽:SiC碳化硅射頻器件 1622 0

半導(dǎo)體晶圓的制造流程

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在自然界中,獲取成本最低的半導(dǎo)體就是硅。而硅料的提取是熔煉砂子。提到這里可能有朋友想到“光伏電池片用的也是硅片”。

2024-04-16 標(biāo)簽:光伏電池光刻膠晶圓制造 1324 0

芯片的百萬億的晶體管是怎么來的?

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2023-05-23 標(biāo)簽:芯片晶體管寄生電容 1309 0

晶圓制造中的T/R的概念、意義及優(yōu)化

在晶圓制造領(lǐng)域中,T/R(Turn Ratio)指在制品的周轉(zhuǎn)率。它是衡量生產(chǎn)線效率、工藝設(shè)計(jì)合理性和生產(chǎn)進(jìn)度的重要指標(biāo)之一。本文介紹了T/R的概念、意...

2024-12-17 標(biāo)簽:工藝晶圓制造 1194 0

中國電科宣布已實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)離子注入機(jī)28納米工藝制程全覆蓋

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離子注入機(jī)是芯片制造中的關(guān)鍵裝備。在芯片制造過程中,需要摻入不同種類的元素按預(yù)定方式改變材料的電性能,這些元素以帶電離子的形式被加速至預(yù)定能量并注入至特...

2023-07-03 標(biāo)簽:集成電路芯片制造光刻機(jī) 1160 0

Metalenz聯(lián)合UMC將其開創(chuàng)性的超構(gòu)表面光學(xué)器件推向市場

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Metalenz表示,與UMC的新合作伙伴關(guān)系將有助于其超構(gòu)表面光學(xué)器件首次直接推向公開市場。Metalenz成立于2016年,早在2021年就公布了其...

2023-07-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體光學(xué)器件晶圓制造 1160 0

晶圓制造良率限制因素簡述(1)

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下圖列出了一個(gè)11步工藝,如第5章所示。典型的站點(diǎn)良率列在第3列,累積良率列在第5列。對(duì)于單個(gè)產(chǎn)品,從站點(diǎn)良率計(jì)算的累積fab良率與通過將fab外的晶圓...

2024-10-09 標(biāo)簽:芯片晶圓工藝 1139 0

SiC單晶襯底加工技術(shù)的工藝流程

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SiC單晶是一種硬而脆的材料,切片加工難度大,磨削精度要求高,因此晶圓制造是一個(gè)長時(shí)間且難度較高的過程。本文介紹了幾種SiC單晶的切割加工技術(shù)以及近年來...

2024-11-14 標(biāo)簽:SiC工藝流程加工技術(shù) 1134 0

半導(dǎo)體行業(yè)之晶圓制造與封裝概述(四)

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有許多單獨(dú)的模式處理步驟,這些處理步驟標(biāo)識(shí)了器件的數(shù)量、器件的具體結(jié)構(gòu),器件中堆疊層的組合方式,并且可以在物理尺寸的層面上繼續(xù)縮小。

2024-01-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電阻器晶體管 1129 0

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用于確定漏電流的穩(wěn)定性,這與IGBT的場畸變有關(guān)。HTRB 通過高溫反向偏置測試來增強(qiáng)故障機(jī)制,因此是器件質(zhì)量和可靠性的良好指標(biāo),也可以驗(yàn)證過程控制的有效性。

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淺談集成電路工藝原理

微電子學(xué): Microelectronics- 微型電子學(xué)微電子學(xué)是研究在固體(主要是半導(dǎo)體)材料上構(gòu)成的微小型化電路及系統(tǒng)的電子學(xué)分支。

2023-04-21 標(biāo)簽:集成電路摩爾定律晶圓制造 1078 0

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下圖中描述了一個(gè)中等規(guī)模集成(MSI)/雙極顯微照片集成電路。選擇整合的水平,以便一些表面細(xì)節(jié)可以看到。高密度電路的元件非常小,以至于它們?cè)谡麄€(gè)芯片的顯...

2024-01-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電阻器MOS管 1048 0

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晶圓是集成電路、功率器件及半導(dǎo)體分立器件的核心原材料,超過90%的集成電路均在高純度、高品質(zhì)的晶圓上制造而成。晶圓的質(zhì)量及其產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)能力,直接關(guān)乎集成...

2025-01-09 標(biāo)簽:晶圓晶圓制造 1043 0

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在晶圓制造良率部分討論的工藝變化會(huì)影響晶圓分選良率。在制造區(qū)域,通過抽樣檢查和測量技術(shù)檢測工藝變化。檢查抽樣的本質(zhì)是并非所有變化和缺陷都被檢測到,因此晶...

2024-10-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓制造良率 1035 0

半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)跟蹤報(bào)告:ALD技術(shù)進(jìn)行薄膜沉積工藝優(yōu)勢(shì)

薄膜沉積是晶圓制造的三大核心步驟之- - ,薄膜的技術(shù)參數(shù)直接影響芯片性能。 半導(dǎo)體器件的不斷縮小對(duì)薄膜沉積工藝提出了更高要求,而ALD技術(shù)憑借沉積薄...

2023-02-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件晶圓制造 1033 0

半導(dǎo)體薄膜沉積技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

在半導(dǎo)體制造業(yè)這一精密且日新月異的舞臺(tái)上,每一項(xiàng)技術(shù)都是推動(dòng)行業(yè)躍進(jìn)的關(guān)鍵舞者。其中,原子層沉積(ALD)技術(shù),作為薄膜沉積領(lǐng)域的一顆璀璨明星,正逐步成...

2025-01-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體薄膜晶圓制造 973 0

半導(dǎo)體行業(yè)之晶圓制造與封裝概述(三)

半導(dǎo)體行業(yè)之晶圓制造與封裝概述(三)

電路設(shè)計(jì)是制造微芯片的第一步。電路設(shè)計(jì)人員首先會(huì)從設(shè)計(jì)電路的單元功能圖開始,如邏輯圖中所示的這樣。

2024-01-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS晶體管晶圓制造 914 0

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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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