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標(biāo)簽 > 晶圓制造
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芯片設(shè)計(jì)難度大嗎 芯片設(shè)計(jì)難在哪里
芯片設(shè)計(jì),環(huán)節(jié)眾多,每個(gè)環(huán)節(jié)都面臨很多挑戰(zhàn)。以相對(duì)較為簡單的數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)為例設(shè)計(jì)多采用自頂向下設(shè)計(jì)方式,層層分解后包括: 需求定義:結(jié)合外部環(huán)境...
2023-09-06 標(biāo)簽:fpga集成電路芯片設(shè)計(jì) 1674 0
本文簡單介紹了芯片制造的7個(gè)前道工藝。 ? 在探索現(xiàn)代科技的微觀奇跡中,芯片制造無疑扮演著核心角色,它不僅是信息技術(shù)飛速發(fā)展的基石,也是連接數(shù)字世界與現(xiàn)...
中國碳化硅襯底價(jià)格2024年快速滑落 800V的春天看來要到了
國際半導(dǎo)體IDM廠商,如意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美、羅姆電子等,在中國市場仍然占據(jù)碳化硅元件的重要地位。消息人士補(bǔ)充,外國汽車品牌或與中國合資的汽車品牌...
傳統(tǒng)CMOS技術(shù)的缺陷在于: 襯底的厚度會(huì)影響片上的寄生電容, 間接導(dǎo)致芯片的性能下降。 SOI技術(shù)主要是將 源極/漏極 和 硅片襯底分開, 以達(dá)到(部...
在晶圓制造領(lǐng)域中,T/R(Turn Ratio)指在制品的周轉(zhuǎn)率。它是衡量生產(chǎn)線效率、工藝設(shè)計(jì)合理性和生產(chǎn)進(jìn)度的重要指標(biāo)之一。本文介紹了T/R的概念、意...
中國電科宣布已實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)離子注入機(jī)28納米工藝制程全覆蓋
離子注入機(jī)是芯片制造中的關(guān)鍵裝備。在芯片制造過程中,需要摻入不同種類的元素按預(yù)定方式改變材料的電性能,這些元素以帶電離子的形式被加速至預(yù)定能量并注入至特...
Metalenz聯(lián)合UMC將其開創(chuàng)性的超構(gòu)表面光學(xué)器件推向市場
Metalenz表示,與UMC的新合作伙伴關(guān)系將有助于其超構(gòu)表面光學(xué)器件首次直接推向公開市場。Metalenz成立于2016年,早在2021年就公布了其...
下圖列出了一個(gè)11步工藝,如第5章所示。典型的站點(diǎn)良率列在第3列,累積良率列在第5列。對(duì)于單個(gè)產(chǎn)品,從站點(diǎn)良率計(jì)算的累積fab良率與通過將fab外的晶圓...
有許多單獨(dú)的模式處理步驟,這些處理步驟標(biāo)識(shí)了器件的數(shù)量、器件的具體結(jié)構(gòu),器件中堆疊層的組合方式,并且可以在物理尺寸的層面上繼續(xù)縮小。
用于確定漏電流的穩(wěn)定性,這與IGBT的場畸變有關(guān)。HTRB 通過高溫反向偏置測試來增強(qiáng)故障機(jī)制,因此是器件質(zhì)量和可靠性的良好指標(biāo),也可以驗(yàn)證過程控制的有效性。
微電子學(xué): Microelectronics- 微型電子學(xué)微電子學(xué)是研究在固體(主要是半導(dǎo)體)材料上構(gòu)成的微小型化電路及系統(tǒng)的電子學(xué)分支。
下圖中描述了一個(gè)中等規(guī)模集成(MSI)/雙極顯微照片集成電路。選擇整合的水平,以便一些表面細(xì)節(jié)可以看到。高密度電路的元件非常小,以至于它們?cè)谡麄€(gè)芯片的顯...
晶圓是集成電路、功率器件及半導(dǎo)體分立器件的核心原材料,超過90%的集成電路均在高純度、高品質(zhì)的晶圓上制造而成。晶圓的質(zhì)量及其產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)能力,直接關(guān)乎集成...
半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)跟蹤報(bào)告:ALD技術(shù)進(jìn)行薄膜沉積工藝優(yōu)勢(shì)
薄膜沉積是晶圓制造的三大核心步驟之- - ,薄膜的技術(shù)參數(shù)直接影響芯片性能。 半導(dǎo)體器件的不斷縮小對(duì)薄膜沉積工藝提出了更高要求,而ALD技術(shù)憑借沉積薄...
2023-02-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件晶圓制造 1033 0
半導(dǎo)體薄膜沉積技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用
在半導(dǎo)體制造業(yè)這一精密且日新月異的舞臺(tái)上,每一項(xiàng)技術(shù)都是推動(dòng)行業(yè)躍進(jìn)的關(guān)鍵舞者。其中,原子層沉積(ALD)技術(shù),作為薄膜沉積領(lǐng)域的一顆璀璨明星,正逐步成...
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