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標簽 > 柵極驅動器
柵極驅動器是一個用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下,例如驅動用于數字信號傳輸的邏輯電平晶體管時,使用微控制器輸出不會損害應用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應用中,微控制器輸出通常不適合用于驅動功率較大的晶體管。
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作者:Maurizio Di Paolo Emilio CISSOID宣布了專門為降低開關損耗或提高功率而量身定制的新型液冷模塊,屬于其三相碳化硅(Si...
將dv/dt從45V/ns降至5V/ns而不帶來過長開/關延遲方案
本文重點而又全面地介紹了三種將dv/dt從45V/ns降至5V/ns而不帶來過長開/關延遲時間的方法:使用外部柵漏電容器、對器件增加RC緩沖電路,以及使...
氮化鎵(GaN)半導體的物理特性與硅器件不相上下。傳統的電源供應器金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...
使用ADuM4136隔離式柵極驅動器和LT3999 DC/DC轉換器驅動1200V SiC電源模塊
電動汽車、可再生能源和儲能系統等電源發展技術的成功取決于電力轉換方案能否有效實施。電力電子轉換器的核心包含專用半導體器件和通過柵極驅動器控制這些新型半導...
交流電機驅動使用由電壓和電流反饋測量值組成的閉環控制系統來控制交流電機的速度和扭矩。由于電壓和電流反饋需在高壓側測量,因此信號必須與低壓控制器側隔離。
60 V第四代n溝道功率MOSFET:業內適用于標準柵極驅動電路的器件
Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN,業內首款適用于標準柵極驅動電路的器件,10 V...
ADuM4135柵極驅動器與APTGT75A120 IGBT的結合使用
絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應用的經濟高效型解決方案,如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關模式電源(SMPS)應用。
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